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公开(公告)号：KR101531181B1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：KR1020080102948
申请日：2008-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/12 , H01L23/48 , H01L23/045
CPC classification number: H01L2224/13 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/014
Abstract: 적층패키지는제1 반도체칩, 범프및 제2 반도체칩을포함한다. 상기제1 반도체칩은개구를갖는기판및 상기개구를채우면서상부에리세스를갖는플러그를구비한다. 상기범프는상기리세스내에형성된다. 상기제2 반도체칩은상기제1 반도체칩 상에적층되며상기범프에의해상기제1 반도체칩과전기적으로연결된다.
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公开(公告)号：KR100828027B1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020060058780
申请日：2006-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 마금희
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/0557 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/04941 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01014 , H01L2924/013
Abstract: 스택형 웨이퍼 레벨 패키지는 관통공이 형성된 반도체 칩, 도전 패턴 및 도전성 범프를 포함한다. 도전 패턴은 반도체 칩의 상면에 형성되어 반도체 칩과 전기적으로 연결된 도전성 트레이스, 및 도전성 트레이스로부터 관통공을 통해 연장된 도전성 패드를 포함한다. 도전성 패드는 반도체 칩의 밑면보다 돌출되지 않는다. 도전성 범프는 도전성 패드의 상부와 대응하는 도전성 트레이스 상에 형성된다.
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公开(公告)号：KR100687069B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020050001684
申请日：2005-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L2224/48091 , H04N5/2257 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 레벨에서 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈의 오염을 막을 수 있고, 이미지 센서 칩과 플랙서블 기판 사이의 전기적 연결 통로 길이를 최소화하기 위해서, 본 발명은 활성면의 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 이미지 센서 칩과; 상기 마이크로 렌즈를 덮도록 상기 활성면에 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성된 투명한 보호판;을 포함하며, 상기 이미지 센서 칩은, 상기 활성면에 반대되는 후면을 통하여 상기 칩 패드에 접속되는 금속 플러그와; 상기 후면에 노출된 금속 플러그에 형성된 솔더 볼;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법을 제공한다.
이미지 센서, 촬상, 감광, 접착제, 웨이퍼 레벨-
公开(公告)号：KR100643017B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050001683
申请日：2005-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/14625 , H01L27/14634 , H01L27/14685 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/16235 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼에 관한 것으로, 이미지 센서 모듈의 제조 환경에 존재하는 미세한 입자에 의해 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈가 오염되는 것을 차단하기 위해서, 활성면의 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 이미지 센서 칩들과, 상기 이미지 센서 칩들을 구분하는 칩 절단 영역이 형성된 웨이퍼와; 상기 웨이퍼의 활성면을 덮도록 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성된 보호판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼를 제공한다. 본 발명은 또한 전술된 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼를 절단하여 보호판이 부착된 이미지 센서 칩 및 그의 제조 방법도 제공한다.
여기서 이미지 센서 칩과 보호판의 접착 수단으로 감광성 접착제를 사용함으로써, 웨이퍼 레벨에서 일반적인 사진 공정을 통하여 보호판에 감광성 접착 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 웨이퍼 레벨에서 보호판이 부착된 이미지 센서 칩을 일괄적으로 얻을 수 있는 장점도 있다.
이미지 센서, 촬상, 감광, 접착제, 웨이퍼 레벨-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101624972B1
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020100011117
申请日：2010-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555
Abstract: 서로다른두께의반도체칩들을갖는반도체장치를제공한다. 이장치는반도체칩 상에적층된하나또는다수의얇은반도체칩들을구비한다. 상기얇은반도체칩들은다수의관통전극들(TSV)을구비하며상기반도체칩보다작은두께를갖는다. 상기얇은반도체칩들중 선택된하나의표면에형성된다수의외부접속단자들이제공된다. 상기외부접속단자들은상기관통전극들(TSV)을경유하여상기반도체칩 및상기얇은반도체칩들에전기적으로접속된다.
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公开(公告)号：KR1020090056044A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123003
申请日：2007-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L23/055 , H01L23/10 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/97 , H01L2225/06572 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: A semiconductor device package and a method of fabricating the same are provided to prevent bend of a capping layer and a substrate by selecting a material of the capping layer to minimize thermal expansion coefficient of the capping layer and each material. A via hole(103) passing through inside a substrate(100) and penetration electrode(130) is received into the via hole. A first semiconductor chip(160) is provided on the substrate and is electrically connected to the penetration electrode, and in a capping layer, a groove larger than the size of the first semiconductor chip. The capping layer is formed on the substrate so that the first semiconductor chip is received to the groove, and a second semiconductor chip is separated from the first semiconductor chip while the substrate is installed between them, and it is electrically connected with the first semiconductor chip through at least one of the penetration electrodes.
Abstract translation: 提供一种半导体器件封装及其制造方法，以通过选择覆盖层的材料来防止封盖层和基板的弯曲，以使封盖层和每种材料的热膨胀系数最小化。 穿过基板（100）和穿透电极（130）内部的通孔（103）被接收到通孔中。 第一半导体芯片（160）设置在基板上并与穿透电极电连接，并且在封盖层中，具有大于第一半导体芯片的尺寸的凹槽。 覆盖层形成在基板上，使得第一半导体芯片被接收到沟槽中，并且第二半导体芯片与第一半导体芯片分离，同时将基板安装在它们之间，并且其与第一半导体芯片 穿过至少一个穿透电极。
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公开(公告)号：KR100843718B1
公开(公告)日：2008-07-04
申请号：KR1020070007940
申请日：2007-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/147 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L2224/24051 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/14
Abstract: Semiconductor packages having immunity against voids due to an adhesive material and a method for forming the same are provided to improve electrical characteristics thereof by preventing delamination of a first to third package bodies. A first package body(100) is connected electrically to a printed circuit board(30). The first package body includes a first package substrate(48), a first adhesive pattern(85), and a first package insulating layer(73). The first package insulating layer and the first adhesive pattern are positioned below the first package substrate in order to contact the printed circuit board. The first package insulating layer surrounds the first adhesive pattern. A second package body(200) is electrically connected to the first package body. The second package body includes a second package substrate(148), a second adhesive pattern(185), and a second package insulating layer(173). The second package insulating layer and the second adhesive pattern are positioned below the second package substrate to contact the first package body. The second package insulating layer surrounds the second adhesive pattern. A controller(400) having a protective layer(373) and a controller substrate(348) is electrically connected to the second package body.
Abstract translation: 提供了具有针对由粘合剂材料引起的空隙的抗扰性的半导体封装件及其形成方法，以通过防止第一至第三封装体的分层来改善其电气特性。 第一封装体（100）电连接到印刷电路板（30）。 第一封装体包括第一封装衬底（48），第一粘合剂图案（85）和第一封装绝缘层（73）。 第一封装绝缘层和第一粘合剂图案位于第一封装基板的下方以便与印刷电路板接触。 第一包装绝缘层围绕第一粘合剂图案。 第二包装体（200）电连接到第一包装体。 第二封装主体包括第二封装衬底（148），第二粘合剂图案（185）和第二封装绝缘层（173）。 第二封装绝缘层和第二粘合剂图案位于第二封装基板的下方以接触第一封装体。 第二包装绝缘层围绕第二粘合剂图案。 具有保护层（373）和控制器基板（348）的控制器（400）电连接到第二封装主体。
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公开(公告)号：KR100610497B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020050067248
申请日：2005-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/148
Abstract: 본 발명은 이미지 센서 소자의 마이크로렌즈의 오염 방지 방법 및 그를 이용한 이미지 센서 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 종래의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼 활성면에 감광성 접착 패턴을 형성할 때 현상 공정에서 제거되어야 할 마이크로렌즈 상의 감광성 접착제가 잔류하여 마이크로렌즈를 오염시키는 문제가 발생되었다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 칩 패드 오픈용으로 사용되는 감광막 패턴을 감광성 접착 패턴을 형성한 이후에 벗겨내는 공정을 진행함으로써, 감광막 패턴이 덮고 있는 마이크로렌즈가 감광성 접착제에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. 즉 감광성 접착 패턴을 형성하는 과정에서 마이크로렌즈 상에 잔류할 수 있는 감광성 접착제는 감광막 패턴 상에 잔류하게 되고, 감광막 패턴을 벗겨내는 과정에서 잔류하는 감광성 접착제도 함께 제거되기 때문에, 마이크로렌즈가 감광성 접착제에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
마이크로렌즈, 감광성, 이미지 센서, 오염, 스트립, 에싱Abstract translation: 本发明涉及防止图像传感器元件的微透镜污染的方法以及使用该方法制造图像传感器元件的方法。 在常规的制造过程中，即在显影过程中除去在微透镜的感光性粘接剂的问题，形成感光性粘接剂图案的残留污染物在晶片有源侧的微透镜已经发生。
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