公开(公告)号：KR100711203B1

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：KR1020050077109

申请日：2005-08-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/0087 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/285

Abstract: 본 발명은 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 특히 새로운 구리 금속이 첨가된 p-형 산화아연 박막 제작기술과 이를 이용한 발광 다이오드, 전기 및 자기 디바이스 등의 응용에 관한 것이다.
본 발명의 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법은 사파이어 단결정 기판 위에 저온 산화아연 버퍼층을 증착하는 제1공정; 상기 증착된 저온 산화아연 버퍼층 위에 n형 갈륨 도핑 산화아연층을 증착하는 제2공정; 상기 증착된 n형 갈륨 도핑 산화아연층 위에 진성 산화아연 박막을 증착하는 제3공정; 상기 증착된 진성 산화아연 박막 위에 p형 산화아연 박막층을 형성하는 제4공정; 습식 에칭을 통하여 상기 p형 산화아연 박막층 위에 MESA 구조를 형성하는 제5공정; 및 상기 결과물을 후 열처리하는 제6공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
산화아연 반도체, 산화아연 박막, 이온주입, 구리금속, 발광 다이오드

公开(公告)号：KR100624627B1

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050023448

申请日：2005-03-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용

IPC: C08F8/06 ,  C08F8/00

Abstract: 본 발명은 10-90 eV의 초저 에너지와 0.5 mW/cm
2 이상의 고에너지 밀도를 갖는 활성화 빔을 폴리비닐리덴 플루오라이드 표면에 조사하여 PVDF의 표면을 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명에서는 짧은 시간 동안 표면 손상이 거의 없이 증류수에 대한 접촉각을 61
o 에서
2
o 미만으로 낮추어 PVDF 표면을 표면 에너지가 80 mN/m 이상인 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명에 의해 개질된 PVDF 표면은 금속, 전도성 고분자, 투명 전극 물질 등에 대한 접착력이 증가하여 한외여과용 멤브레인, 수소 이온 전도성 폴리비닐리덴 불소 수지 멤브레인의 친수성화 및 투명 연성 스피커 및 디스플레이와 스피커 일체형의 연성 청취가능 디스플레이 (flexible audio-video/audible display) 스피커 등에 응용할 수 있다.
초저 에너지 활성화 빔, 폴리이미드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 압전소재, 접촉각, 표면 에너지, 접착력, 오디오디스플레이, 투명 연성 스피커

Abstract translation: 本发明涉及10-90eV的超低能量和0.5mW / cm的低能量

公开(公告)号：KR100620076B1

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：KR1020050035184

申请日：2005-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  강동헌 ,  이경주

IPC: B01J37/08 ,  B01J21/06 ,  B01J37/02 ,  B01J35/00

Abstract: 순수한 TiO
2 의 O가 C와 N으로 치환된 일반식 TiO
2-x-δ C
x N
δ 로 표시되는 박막형 이산화티탄계 광촉매 및 자성 물질이 제공된다. Ti와 Ar, N
2 , CO
2 , CO 및 O
2 등의 기체를 사용하여 직류 반응성 스퍼터링에 의하여 TiO
2-x-δ C
x N
δ 박막을 형성시키는 공정과 상기 형성된 박막을 500℃ 정도의 온도에서 열처리하여 결정화시키는 공정으로 이루어지는 일반식 TiO
2-x-δ C
x N
δ 로 표시되는 박막형 이산화티탄계 광촉매 및 자성 물질의 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 의한 일반식 TiO
2-x-δ C
x N
δ 로 표시되는 이산화티탄계 광촉매 및 자성 물질은 순수한 이산화티탄에 비하여 광학적 밴드갭이 작아 가시광 영역에서 광촉매로서 작동하고, 또한 순수한 아나타제 결정상만으로 구성되고, 결정립의 크기가 작기 때문에 광촉매 효율 및 자정 능력이 매우 우수하다.
광촉매, 이산화티탄, 자정 유리, 초친수성, 가시광 영역 광촉매.

Abstract translation: 纯TiO

公开(公告)号：KR200418987Y1

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR2020060009353

申请日：2006-04-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이재갑 ,  최원국

IPC: A45D44/22

Abstract: 본 고안은 피부미용기구에 관한 것으로, 구상의 CVD다이아몬드 입자가 고착되며 피부미용의 대상이 되는 부위에 직접 접촉되는 팁부와; 일단에는 상기 팁부가 착탈가능하게 결합되며, 타단에는 본체와 연결된 연결호스가 결합되는 몸체부;를 포함하여 구성되도록 함으로써, 생체적으로 안전할 뿐만 아니라 삭피면의 균일성이 향상되어 민감한 피부를 할큄 없이 삭피할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
피부미용기구, 구상CVD다이아몬드

公开(公告)号：KR100566917B1

公开(公告)日：2006-04-03

申请号：KR1020030089429

申请日：2003-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: H01J37/00

Abstract: 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다.
산화아연 박막, 사파이어(sapphire), 저에너지 이온빔, AlON, AlN, 발광(photoluminescene)

公开(公告)号：KR1020050091962A

公开(公告)日：2005-09-16

申请号：KR1020040017150

申请日：2004-03-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: C23C16/50

Abstract: 본 발명은 200eV 정도의 저에너지와 100mW/cm
2 정도의 고전력 이온빔을 사용하여 고분자 표면을 짧은 시간안에 표면처리하여 금속에 대한 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 혼합 이온빔 내지는 고 이온전류 밀도의 산소, 아산화 질소 이온빔을 고분자 표면에 조사하여 짧게는 1초 내외의 5×10
15 /cm
2 정도의 작은 이온 조사량을 사용하여 증류수에 대한 접촉각을 2
o 미만으로 낮추고, 표면 에너지를 42 mN/m에서 81 mN/m 까지 증가시킨다. 특히, 표면처리된 고분자 표면과 금속의 접착력을 0.8 kgf/cm이상으로 향상시켜 접착층이 없는 우수한 FCCL의 제작이 가능하게 되었다.

公开(公告)号：KR1020050056417A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020030089429

申请日：2003-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: H01J37/00

CPC classification number: H01J37/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02631

Abstract: 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다.

公开(公告)号：KR100403191B1

公开(公告)日：2003-10-23

申请号：KR1020000024465

申请日：2000-05-08

Applicant: 광주과학기술원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 김한기 ,  성태연 ,  최원국 ,  김경국 ,  김병국

IPC: H01L33/14

Abstract: 본 발명은 청색 및 녹색 발광다이오드(LED: Blue/Green Light Emitting Diode) 및 레이저다이오드(LD: laser diode)와 같은 광전자소자의 제작에 핵심 기술인 고품위 산화아연(ZnO) 산화물 반도체 박막 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 최근 차세대 발광다이오드용 물질로 각광 받고 있는 산화아연(ZnO) 산화물 반도체를 기존의 단순한 성장조건 변화에 따른 박막제조 방법이 아닌 특정가스 분위기 하에서 후 열처리(post-growth annealing treatment)를 시행함으로써 전기적, 구조적, 광학적 특성이 우수한 산화아연박막을 제조하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은, 스퍼터 시스템(sputter system)으로 반에피텍시 박막을 성장시키고 이 박막을 99.9%이상의 고순도 산소분위기 하에서 고온 열처리하여 그레인(grain) 재배열을 유도함으로써 구조적 특성을 향상시켰으며, 산소분위기 열처리에 의한 산소 주입으로 산화아연 박막내의 산소공공(vacancy)을 줄여줌으로써 전기적, 광학적 특성이 우수한 박막을 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100402200B1

公开(公告)日：2003-10-17

申请号：KR1020010003412

申请日：2001-01-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정형진 ,  송종한 ,  송재훈 ,  권순남 ,  황정남

IPC: H01J37/30

Abstract: PURPOSE: A gas cluster ion accelerator is provided to generate gas cluster by using adiabatic expansion and readily adjust acceleration energy of gas cluster. CONSTITUTION: A gas cluster ion accelerator comprises a cluster generating unit, an ionizing unit(32), a lens unit(52), a cluster measuring unit(36), an accelerating unit(54) and scanning units(56,58). The cluster generating unit jets gas from high pressure to low pressure under adiabatic expansion condition to convert the gas to cluster state. The ionizing unit(32) ionizes the cluster from the cluster generating unit. The lens part(52) adjusts focus of the ionized cluster from the ionizing unit(32). The cluster measuring unit(36) measures size of the ionized cluster from the lens part(52). The accelerating unit accelerates the ionized cluster. The scanning units(56,58) scan the accelerated ionized cluster from the accelerating unit(54) onto a target(75).

Abstract translation: 用途：提供气体团簇离子加速器，利用绝热膨胀产生气体团簇，随时调整气体团簇的加速能量。 本发明公开了一种气体团簇离子加速器，包括团簇生成单元，电离单元32，透镜单元52，簇测量单元36，加速单元54和扫描单元56,58。 气体发生单元在绝热膨胀条件下将气体从高压喷射到低压，以将气体转化为团簇状态。 电离单元（32）使簇生成单元的簇离子化。 透镜部分（52）调整来自电离单元（32）的电离簇的焦点。 簇测量单元（36）测量来自透镜部分（52）的电离簇的尺寸。 加速单元加速电离簇。 扫描单元（56,58）将加速离子化簇从加速单元（54）扫描到目标（75）上。

公开(公告)号：KR1020020036125A

公开(公告)日：2002-05-16

申请号：KR1020000066143

申请日：2000-11-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송종한 ,  최원국 ,  정형진 ,  임성일

IPC: H01L33/02

Abstract: PURPOSE: A ZnO/Si heterojunction photodiode is provided to simply embody a photodiode through a single deposition process of a ZnO thin film by using the ZnO thin film as a visible ray transmission window, and to increase quantum efficiency by 50 percent through a thickness control of the ZnO thin film and crystallinity. CONSTITUTION: A heterojunction photodiode includes a silicon substrate and a zinc oxide layer formed on the silicon substrate. The silicon substrate is of a p-type conductivity type, and the zinc oxide layer is of an n-type conductivity type. The zinc oxide layer has an energy band gap of 3.1-3.2 electron-volt.

Abstract translation: 目的：提供ZnO / Si异质结光电二极管，通过使用ZnO薄膜作为可见光透射窗，通过ZnO薄膜的单次沉积工艺实现光电二极管，并通过厚度控制将量子效率提高了50％ 的ZnO薄膜和结晶度。 构成：异质结光电二极管包括形成在硅衬底上的硅衬底和氧化锌层。 硅衬底为p型导电型，氧化锌层为n型导电型。 氧化锌层的能带隙为3.1-3.2电子伏特。