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公开(公告)号：KR101192335B1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：KR1020110045840
申请日：2011-05-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F9/455
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F17/5009 , G06F2217/16 , G06T13/20 , G06T13/80
Abstract: PURPOSE: A fluid simulation method and a recording medium performing the same are provided to increase a degree which velocity momentum is satisfied, thereby overcoming instability of a lattice Boltzmann model. CONSTITUTION: Space in which fluid flows is become dioxide by a lattice of a regular interval(S10). It assumes that particles of the fluid repetitively move and collide on the lattice(S20). Maxwell-Boltzmann distribution is compared with n-th velocity momentum of Maxwell-Boltzmann distribution with dioxide. A linear polynomial equation is induced(S30). A weight coefficient corresponding to a discrete velocity of the particles of the fluid is calculated(S40). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Step for becoming dioxide for a space which fluid flows as a lattice of a regular interval; (S20) Step for assuming that particles of the fluid repetitively move and collide on the lattice; (S30) Step for inducing a linear polynomial equation by comparing Maxwell-Boltzmann distribution and n-th velocity momentum of the Maxwell-Boltzmann distribution with dioxide; (S40) Step for calculating a weight coefficient corresponding to a discrete velocity of the particles of the fluid based on the linear polynomial equation; (S50) Step for drawing a lattice Boltzmann model by using the weight coefficient
Abstract translation: 目的：提供流体模拟方法和执行该流体模拟方法的记录介质以增加满足速度动量的程度，从而克服格子波尔兹曼模型的不稳定性。 构成：流体流动的空间通过规则间隔的格子变成二氧化物（S10）。 它假定流体的颗粒重复地移动并碰撞在格子上（S20）。 麦克斯韦 - 波尔兹曼分布与麦克斯韦 - 波尔兹曼分布与二氧化碳的第n速度动量进行比较。 诱导线性多项式方程（S30）。 计算对应于流体颗粒的离散速度的重量系数（S40）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）流体作为规则间隔的格子流动的空间的二氧化物的步骤; （S20）假设流体的粒子重复地移动并碰撞在格子上的步骤; （S30）通过将Maxwell-Boltzmann分布的麦克斯韦 - 玻尔兹曼分布和第n速度动量与二氧化物进行比较来诱导线性多项式方程的步骤; （S40）基于线性多项式方程计算与流体粒子的离散速度对应的权重系数的步骤; （S50）使用权重系数绘制格子波尔兹曼模型的步骤
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公开(公告)号：KR101084020B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100046364
申请日：2010-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/82 , G11C11/16 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/18 , Y10S257/902
Abstract: PURPOSE: A spin transistor using a dual charge supply layer structure is provided to efficiently control the precession of a spin injected to a channel layer by increasing the potential gradient of a channel. CONSTITUTION: A top cladding layer(2') and a bottom cladding layer(2) are formed with a dual cladding layer composed of an undoped InGaAs layer and an InAlAs layer. A second charge supply layer(4') is arranged on the top cladding layer. An InAs channel layer(1) forms a quantum well by an energy barrier of the top cladding layer and the bottom cladding layer. A buffer layer(5) reduces lattice mismatch between a semi-insulation InP substrate(9) and a first charge supply layer(4). An InAs capping layer(8) prevents the oxidation and denaturalization of a semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供使用双电荷供应层结构的自旋晶体管，以通过增加通道的电位梯度来有效地控制注入到沟道层的自旋的进动。 构成：由未掺杂的InGaAs层和InAlAs层构成的双层包层形成上覆层（2'）和下覆层（2）。 第二电荷供给层（4'）布置在顶部包层上。 InAs沟道层（1）通过顶部覆层和底部包层的能量势垒形成量子阱。 缓冲层（5）减少半绝缘InP衬底（9）和第一电荷供应层（4）之间的晶格失配。 InAs覆盖层（8）防止半导体的氧化和变性。
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公开(公告)号：KR100953532B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：KR1020070101363
申请日：2007-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B1/00 , H01L21/027 , B82Y25/00
Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 자성반도체 박막, 상기 자성반도체 박막 상에 형성된 전도 채널, 상기 전도 채널 상에 형성된 절연막, 상기 전도 채널 양쪽에 형성된 상기 절연막의 일부를 제거하여 형성된 전기적 연결 단자 및 상기 절연막이 형성된 상기 전도 채널 상에 형성된 나노자성체 어레이 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성반도체/나노자성체 하이브리드형 스핀 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해, 전자의 스핀 특성을 제어함으로써 내부 저항 제어가 가능한 독특한 물성의 자성반도체 스핀소자의 개발이 가능할 것으로 기대된다. 나아가 기존의 CMOS 보다 직접도, 스위칭 속도 및 에너지 측면에서 월등히 우수한 메모리 소자의 개발이 가능할 것이다.
자성반도체, 나노자성체, 스핀, 전도 채널, 볼텍스 구조-
公开(公告)号：KR100764914B1
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020060074198
申请日：2006-08-07
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01P1/2013
Abstract: An electromagnetic noise filter is provided to control a signal blocking frequency band of the electromagnetic noise filter by adjusting the number of windings of an inductor line. An electromagnetic noise filter includes a semiconductor substrate(11), a dielectric thin film(12), a coplanar signal line(13), a first coplanar ground line(14a) and a second coplanar ground line(14b). The dielectric thin film(12) is formed on the upper surface of the semiconductor substrate(11). The coplanar signal line(13) is formed on the dielectric thin film(12) with conductive material, and has a spiral pattern which is wound at least once. The first coplanar ground line(14a) and the second coplanar ground line(14b) are formed on the dielectric thin film(12) with conductive material, and have a shape of surrounding the coplanar signal line(13).
Abstract translation: 提供电磁噪声滤波器，通过调节电感线圈的绕组数来控制电磁噪声滤波器的信号阻挡频带。 电磁噪声滤波器包括半导体衬底（11），电介质薄膜（12），共面信号线（13），第一共面接地线（14a）和第二共面接地线（14b）。 电介质薄膜（12）形成在半导体衬底（11）的上表面上。 共面信号线（13）用导电材料形成在电介质薄膜（12）上，并具有至少缠绕一次的螺旋图案。 第一共面接地线（14a）和第二共面接地线（14b）用导电材料形成在电介质薄膜（12）上，并具有包围共面信号线（13）的形状。
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公开(公告)号：KR100709395B1
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020060057043
申请日：2006-06-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 스핀 주입 효율이 높고 신호대 잡음비가 개선된 고품질 스핀 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 스핀 트랜지스터는, 하부 클래딩층, 채널층 및 상부 클래딩층을 갖는 반도체 기판부와; 상기 기판부 상에 형성된 강자성체 소스 및 드레인과; 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하는 게이트를 포함한다. 상기 하부 클래딩층은 제1 하부 클래딩층과 제2 하부 클래딩층의 2중 클래딩층 구조를 갖고, 상기 상부 클래딩층은 제1 상부 클래딩층과 제2 상부 클래딩층의 2중 클래딩 구조를 갖는다. 상기 소스 및 드레인은 상기 기판부 상면 아래로 매립되어 상기 제1 상부 클래딩층 또는 그 아래로 연장되어 있다.
스핀 트랜지스터, 강자성체, 스핀Abstract translation: 高质量的自旋晶体管，具有高自旋注入效率和改善的信噪比。 本发明的自旋晶体管包括：具有下包层，沟道层和上包层的半导体衬底部分; 在衬底上形成的铁磁源和漏极; 还有一个控制穿过沟道层的电子自旋的门。 下包层具有第一下包层和第二下包层的双包层结构，上包层具有第一上包层和第二上包层的双包层结构。 源极和漏极埋在衬底部分的上表面之下并延伸到第一上覆层或第一上覆层下面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060119109A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041684
申请日：2005-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11C11/161 , B82Y25/00 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: A magnetic memory device using a potential difference due to spin polarization and a fabrication method thereof are provided to use a two dimensional electron well layer as a path of bias current during a read operation and as a magnetization inversion current during a write operation, by using the potential difference between a ferromagnetic material and a semiconductor according to the magnetization direction of the ferromagnetic material. A magnetic memory device using a potential difference due to spin polarization uses the potential difference in parallel or anti-parallel state through bonding with a ferromagnetic material(230) using the spin polarization in a two-dimensional electron well layer(210a). The ferromagnetic material is one of Fe, Co, Ni, CoFe or NiFe. The two-dimensional electron well layer uses one of GaAs, InAs and InGaAs channels. When the InAs channel is bonded with the ferromagnetic material, ohmic contact is used.
Abstract translation: 提供使用由于自旋极化产生的电位差的磁存储器件及其制造方法，以在读取操作期间使用二维电子阱层作为偏置电流的路径，并且在写入操作期间使用二维电子阱层作为偏磁电流的路径，通过使用 根据铁磁材料的磁化方向，铁磁材料和半导体之间的电位差。 使用由于自旋极化引起的电位差的磁存储器件通过使用二维电子阱层（210a）中的自旋极化与铁磁材料（230）结合而使用并联或反并联状态的电位差。 铁磁材料是Fe，Co，Ni，CoFe或NiFe之一。 二维电子阱层使用GaAs，InAs和InGaAs沟道之一。 当InAs通道与铁磁材料接合时，使用欧姆接触。
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公开(公告)号：KR1020060097303A
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020050018421
申请日：2005-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/12 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1237 , G11C11/161
Abstract: 본 발명은 SOI 기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 전자를 Si 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성됨을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자를 제시한다.
따라서, 본 발명은 종래의 자성체/Si 반도체 소자에서 구현되지 않았던 스핀밸브효과를 달성하여 반도체 트랜지스터에서 캐리어의 전하만을 전기장으로 제어하는 것과 달리 하이브리드형 자성체/반도체 소자에서는 소스와 드레인에 자성체를 사용하여 스핀을 SOI 반도체에 주입하고 검출함으로써 캐리어의 스핀을 이용한 메모리 및 논리소자로 응용할 수 있다.
스핀주입소자, SOI, 자성체/반도체 이종 접합구조, 자기저항, 스핀밸브-
公开(公告)号：KR1020040104133A
公开(公告)日：2004-12-10
申请号：KR1020030035638
申请日：2003-06-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
Abstract: PURPOSE: A giant magneto-resistive spin valve thin film using an Mn-series antiferromagnetic alloy is provided to form dual layers like an antiferromagnetic layer and a ferromagnetic layer, thereby increasing a coercive force of the ferromagnetic layer without forming an exchange magnetic field in an interface between the antiferromagnetic layer and the ferromagnetic layer. CONSTITUTION: An antiferromagnetic layer has a disordered crystalline structure, and consists of an Mn-series antiferromagnetic alloy to increase a coercive force of the first ferromagnet. The Mn-series alloy is selected from one of FeMn, IrMn, PtMn, RhMn, PtCrMn or NiMn, and has an FCC structure with irregular constitutional areas. The first ferromagnet is 20 to 200 angstrom in thickness, and consists of a single structure with Co or Co-series alloy.
Abstract translation: 目的：提供使用Mn系反铁磁合金的巨磁阻自旋阀薄膜，形成像反铁磁层和铁磁层这样的双层结构，从而增加铁磁层的矫顽力，而不会形成交换磁场 反铁磁层和铁磁层之间的界面。 构成：反铁磁层具有无序的晶体结构，由Mn系列反铁磁合金组成，以增加第一铁磁体的矫顽力。 Mn系合金选自FeMn，IrMn，PtMn，RhMn，PtCrMn或NiMn之一，具有不规则结构区域的FCC结构。 第一个铁磁体厚度为20至200埃，由具有Co或Co系列合金的单一结构组成。
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公开(公告)号：KR100281985B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019980032225
申请日：1998-08-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/34
Abstract: 본 발명은 Tb 및 Fe를 주성분으로 하는 Tb계 거대 자기변형 합금 박막에 관한 것으로, 그 조성이 Tb
x Fe
y B
z (여기서, x, y, z는 원자%로서, 42.74 ≤ x ≤ 55.28, 43.47 ≤ y ≤ 54.1, 0.4 ≤ z ≤ 5.59이며, 단 x + y + z = 100이다)와, Tb
x Fe
y Sm
z (여기서, x, y, z는 원자%로서, 38.44 ≤ x ≤ 45.90, 53.72 ≤ y ≤ 60.93, 0.33 ≤ z ≤ 2.19이며, 단 x + y + z = 100이다)으로 된 거대 자기변형 합금 박막을 제공한다.
본 발명의 거대 자기변형 합금 박막은 반응속도가 빠르고, 자기변형이 큼은 물론, 낮은 Tb 함량에서도 자기변형 특성이 우수하기 때문에, 마이크로 디바이스의 구동체로서 우수한 특성을 가진다.-
公开(公告)号：KR100243719B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019970006944
申请日：1997-03-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/34
Abstract: 조성식 Tb
x Fe
y B
z (식중, x, y 및 z는 원자 %로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 0 ≤ z ≤ 0.4 및 x + y + z = 100이다)로 표시되는 거대 자기변형 합금 박막 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 자기변형 합금 박막은 낮은 자기장이 인가되는 경우에도 높은 자기변형치를 나타낸다.
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