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公开(公告)号：KR1019970011764B1
公开(公告)日：1997-07-15
申请号：KR1019930027630
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: A substrate structure of power devices suitable for digital mobile telecommunication is provided to improve the linearity. The substrate structure comprises: a buffer layer(4) formed on a GaAs substrate(1); a barrier layer(5) formed on the buffer layer(4) for preventing current path; a second active layer(6) formed on the barrier layer(5) and doping dopants of high concentration for improving the linearity of trans-conductance; and a second capping layer(7) formed on the active layer(6) and having graded composition for increasing the breakdown voltage.
Abstract translation: 提供适用于数字移动电信的功率器件的衬底结构，以提高线性度。 衬底结构包括：形成在GaAs衬底（1）上的缓冲层（4）; 形成在缓冲层（4）上用于防止电流通路的阻挡层（5） 形成在所述阻挡层（5）上的第二有源层（6）和掺杂高浓度的掺杂剂以改善反电导的线性; 以及形成在有源层（6）上并具有用于增加击穿电压的渐变组成的第二覆盖层（7）。
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公开(公告)号：KR1019960012638B1
公开(公告)日：1996-09-23
申请号：KR1019930005958
申请日：1993-04-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: A semiconductor wafer(1) is equipped on a mounting glass substrate(4) by using bonding wax(3). After a certain processes, the semiconductor wafer is separated from the glass substrate(4). The method includes the steps of: forming auxiliary layer(5) by spreading photoresist film on the mounting glass substrate(4); uniting the semiconductor wafer(1) and the mounting glass substrate(4) by the bonding wax(3).
Abstract translation: 通过使用粘结蜡（3）将半导体晶片（1）装配在安装玻璃基板（4）上。 在一定的处理之后，半导体晶片与玻璃基板（4）分离。 该方法包括以下步骤：通过在安装玻璃基板（4）上铺展光致抗蚀剂膜形成辅助层（5）; 通过粘结蜡（3）将半导体晶片（1）和安装玻璃基板（4）结合在一起。
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公开(公告)号：KR1019960027257A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035472
申请日：1994-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/20
Abstract: 3.3V 이하의 낮은 전원전압으로 동작하는 아날로그 통신 방식과 디지털 통신 방식 모두에서 사용될 수 있는 전력증폭기가 개시된다. 50Ω의 특성임피던스를 갖는 마이크로스트립과 가변 커패시터를 이용하여 아날로그와 디지털 방식에 따라서 게이트 바이어스를 조절하도록 하였으며, 각 단의 임피던스를 구한 후 주 주파수에서는 정합되고 2차, 3차 고조파에서는 2Ω 이하의 낮은 임피던스를 갖는 출력단을 설계하였다.
이로써 선형성을 유지하면서도 고효율 특성을 가진다.-
公开(公告)号：KR1019960002090B1
公开(公告)日：1996-02-10
申请号：KR1019930005959
申请日：1993-04-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: The power FET is manufactured by (a) covering a dual tone photoresist (7) on the substrate(1), and light-exposing the covered photoresist by the use of a mask, (b) developing the photoresist to form a positive profile, (c) etching a wafer by the positive profile, (d) covering a dual tone photoresist(7a) on the wafer, light-exposing the covered wafer, and heat treating it to form a negative profile(7a'), and (e) depositing an anticorrosive metal on the wafer by the use of the profile(7a') to form a metal film pattern. The power FET is used for the amplification of an output signal in the microwave unit.
Abstract translation: 功率FET通过（a）覆盖基板（1）上的双色光致抗蚀剂（7）并通过使用掩模曝光所覆盖的光致抗蚀剂来制造，（b）显影光致抗蚀剂以形成正型， （c）通过正轮廓蚀刻晶片，（d）覆盖晶片上的双色光致抗蚀剂（7a），对被覆盖的晶片进行曝光，并对其进行热处理以形成负廓线（7a'），并且（e ）通过使用轮廓（7a'）在晶片上沉积防锈金属以形成金属膜图案。 功率FET用于放大微波单元中的输出信号。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019940004262B1
公开(公告)日：1994-05-19
申请号：KR1019900021813
申请日：1990-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: preparing a GaAs substrate; depositing a Si layer on the substrate; forming a first photoresist pattern on the Si layer; etching the Si layer using the first photoresist pattern as a mask to define ohmic contact regions of source/drain electrodes; forming a second photoresist pattern on the substrate after removal of the first photoresist pattern to define a channel region and injecting a predetermined quantity of Si ions into the substrate; depositing a protective layer around the substrate after removal of the second photoresist pattern; and annealing the substrate to activate Si ions of the remaining Si layer and diffusing the activating Si ions into the deep direction of the substrate.
Abstract translation: 制备GaAs衬底; 在衬底上沉积Si层; 在所述Si层上形成第一光刻胶图案; 使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻Si层以限定源/漏电极的欧姆接触区域; 在去除第一光致抗蚀剂图案之后在衬底上形成第二光致抗蚀剂图案以限定沟道区域并将预定量的Si离子注入到衬底中; 在除去第二光致抗蚀剂图案之后，在衬底周围沉积保护层; 并且使衬底退火以激活剩余Si层的Si离子并将活化Si离子扩散到衬底的深度方向。
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公开(公告)号：KR1019940003064A
公开(公告)日：1994-02-19
申请号：KR1019920006117
申请日：1992-07-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/00
Abstract: 본 발명은 갈륨비소(GaAs)화합물 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 초고주파 특성 및 트랜지스터의 동작특성을 향상시키기 위해 게이트-소오스, 게이트-드래인 사이의 공기중에 노출된 전자 채널층인 표면부위에 유황보호막을 형성시킨, 갈륨비소 화합물 반도체 장치에 관한 것이다.
공기중에 노출되는 전자 채널층을 갖는 화합물 반도체 장치에 있어서, 상기 전자채널층 상에 유황막(110)을 형성한 다음, 이 유황막(110) 상에 보호막(104)이 형성된 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019930002319B1
公开(公告)日：1993-03-29
申请号：KR1019890012067
申请日：1989-08-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The transistor is mfd. by forming a non-doped Ga-As layer (2) on the semi-insulating substrate (1), forming a non-doped Al-Ga-As layer (3) on the layer (2), forming a silicon impurity-doped Al-Ga-As source layer (4) on the layer (3), forming a non-doped semi- insulating Al-Ga-As layer (5) on the layer (4), forming a silicon impurity-doped Ga-As layer (6) on layer (5), and partially etching the layer (6) to form a short key contact gate (7) on the layer (5) and to form a resistible contact source (8) and drain (9) on the layer (6).
Abstract translation: 晶体管是mfd。 通过在半绝缘性基板（1）上形成非掺杂Ga-As层（2），在层（2）上形成非掺杂Al-Ga-As层（3），形成杂质掺杂硅 在层（3）上形成Al-Ga-As源层（4），在层（4）上形成非掺杂半绝缘Al-Ga-As层（5），形成掺杂硅杂质的Ga-As 在层（5）上的层（6），并且部分地蚀刻层（6）以在层（5）上形成短键接触栅极（7），并且形成可接触的接触源（8）和漏极（9） 层（6）。
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