公开(公告)号：KR100347517B1

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：KR1019990054156

申请日：1999-12-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  정해빈 ,  김대용

IPC: H01L21/027

Abstract: 본발명은노광장비의조명광학계에있어서노광장비의초점심도와해상도를증가시키기위하여복굴절광학부품을사용한리소그래피장비의변형조명장치를제공하는데그 목적이있다. 본발명에따르면, 광원으로부터입사되는빛을일정한모양으로정형하기위한광속확대기와파리눈렌즈인터그레이터(Fly's Eye Integrator), 상기광속확대기로부터전달되는광을효율적으로상기파리눈렌즈인터그레이터에전달하기위한줌 렌즈및 변형조명(Modified Illumination)을위하여상기파리눈렌즈인터그레이터에삽입되어있는변형조명판을포함하여이루어진리소그래피(Lithography) 장비의변형조명장치에있어서, 상기광속확대기로부터입사된빛을변형조명으로생성하여상기파리눈렌즈인터그레이터에전달하고, 조명에너지의손실을감소시키기위한다수의복굴절광학부로이루어져있는복굴절광학유니트를포함하여이루어진것을특징으로하는리소그래피장비의변형조명장치가제공된다.

公开(公告)号：KR100296980B1

公开(公告)日：2001-09-22

申请号：KR1019990011966

申请日：1999-04-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  최상수 ,  정해빈 ,  조경익

IPC: G03F7/207

Abstract: 본발명은리소그래피장비에서사진전사하고자하는원본인마스크의상을광학계를사용하여기판위에도포된감광제층에맺히게함에있어서상이맺히는위치를광학계의광축과동일한방향으로어느정도의범위에걸쳐서형성되게함으로써광학계의초점심도를확장하고그 범위를조절할수 있는복굴절물질을이용한광학계의초점심도확장범위조절방법및 장치에관한것으로복굴절물질로평행평판과같은광학부품을제작하여광학계내에설치하면입사한빛의편광방향에따라서그 굴절률에차이가나타나게되어빛이지나가게되는경로가달라지게되고, 그결과광학계의광축방향을따라상을맺는위치가달라지게되어일정한범위에서연속적으로상을맺게됨으로써이 범위에서원하는해상도의상을얻을수 있게된다. 따라서복굴절물질로만들어진광학부품의방향조절과두께변화를통하여원하는해상도를유지하면서초점의위치를조절하므로서초점심도의확장과정확한초점위치를유지하고자하는리소그래피장비등의광학계에장착되어반도체나디스플레이소자등을사진전사적방법에의해제작할때 원하는해상도의상이맺히는범위를광축방향으로확장하고정확한초점위치의구현과유지에사용할수 있다.

公开(公告)号：KR1020010048980A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990053887

申请日：1999-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  이진희 ,  김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  김대용

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/42316

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gamma gate of a high electron mobility transistor(HEMT) is provided to remarkably reduce device noise, by sufficiently increasing the head of the gamma gate in area. CONSTITUTION: The first resist is applied on a GaAs substrate. After an exposure and development process, the first resist is hardened to form the first resist pattern. The second resist is applied on the GaAs substrate and the first resist pattern. After an exposure and development process, the second resist is hardened to form the second resist pattern. A portion of the GaAs substrate not covered by the first and second resist patterns is defined as a region(103) where the footprint of the gamma gate is formed. A portion of the GaAs substrate not covered by the second resist pattern but covered by the first resist pattern is defined as a region(102) where the head of the gamma gate is formed.

Abstract translation: 目的：提供一种制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的伽马栅的方法，通过充分增加伽马门的头部区域，显着降低器件噪声。 构成：将第一抗蚀剂施加在GaAs衬底上。 在曝光和显影处理之后，第一抗蚀剂被硬化以形成第一抗蚀剂图案。 将第二抗蚀剂施加在GaAs衬底和第一抗蚀剂图案上。 在曝光和显影处理之后，第二抗蚀剂被硬化以形成第二抗蚀剂图案。 未被第一和第二抗蚀剂图案覆盖的GaAs衬底的一部分被定义为形成伽马栅的覆盖区的区域（103）。 GaAs衬底的未被第二抗蚀剂图案覆盖但被第一抗蚀剂图案覆盖的部分被定义为形成伽马栅的头部的区域（102）。

公开(公告)号：KR100276688B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980052528

申请日：1998-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  차한선 ,  김종수 ,  이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  조경익

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 및 디스플레이 소자를 제작하는 노광장비의 오프-액시스형 변형조명에 사용되는 조리개에 있어서, 상기 조리개의 중앙부위는 광 투과도가 0이 되도록 하고, 중앙부위를 제외한 상기 조리개의 가장자리에 형성되는 4개의 극 부분은 광 투과도가 100 % 되게 하고, 그 이외의 조리개 부위는 광 투과도가 3 ~ 40 % 되도록 형성되며, 조리개의 중앙 부위로 투과되는 광을 차단하되 그 이외의 부위를 선택적으로 차단, 조절하여 광 투과도를 증가시킬 수 있는 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다

公开(公告)号：KR1020000066542A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990013748

申请日：1999-04-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  최상수 ,  정해빈 ,  조경익

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70241 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70316 ,  G03F9/7065

Abstract: PURPOSE: An optical system for an exposure equipment using a birefringent material is provided to embody a fine line width, by using a light source having a short wavelength and a broad bandwidth, and by inserting optical parts composed of the double refraction material to extend a depth of a focus. CONSTITUTION: An optical system for an exposure equipment comprises a first group of lenses(10), a second group of lenses(20), a polarized beam splitter(41), a first wave plate, a spherical mirror, a second wave plate and a third group of lenses(30). The first group of lenses are positioned in a rear part of a light source and a material surface. The second group of lenses change an optical axis by almost 90 degrees, positioned in a rear part of a reflector. The polarized beam splitter is composed of two prisms, positioned in a rear part of the second group of lenses. The first wave plate is positioned in an upper part of the polarized beam splitter. The spherical mirror is positioned in an upper part of the wave plate. The second wave plate is positioned in a lower part of the polarized beam splitter. The third group of lenses corresponds to an upper surface to which light is irradiated, positioned in a lower part of the parallel plate.

Abstract translation: 目的：提供一种使用双折射材料的曝光设备的光学系统，通过使用具有短波长和宽带宽的光源，并且通过插入由双折射材料组成的光学部件来实现细线宽度的扩展 重点深度。 构成：用于曝光设备的光学系统包括第一组透镜（10），第二组透镜（20），偏振分束器（41），第一波片，球面镜，第二波片和 第三组透镜（30）。 第一组透镜位于光源的后部和材料表面。 第二组透镜将光轴改变近90度，位于反射器的后部。 偏振分束器由两个棱镜组成，位于第二组透镜的后部。 第一波片位于偏振分束器的上部。 球面镜位于波片的上部。 第二波片位于偏振分束器的下部。 第三组透镜对应于照射光的上表面，位于平行板的下部。

公开(公告)号：KR1019990086512A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980019516

申请日：1998-05-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  최상수 ,  정해빈 ,  김보우

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 리소그래피 장비의 광학계가 갖는 초점심도를 확장하여 광학계 광축 방향의 보다 넓은 범위에서 원하는 해상도의 상을 얻을 수 있도록 하는, 복굴절 물질로 만들어진 투과형 광학부품을 사용하여 리소그래피 장비용 광학계의 초점심도를 확장하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 조명광으로 원본인 마스크를 조명하고 광학계를 사용하여 이를 작업물 위에 전사하여 미세 형상을 만들어주는 리소그래피 장비에 있어서,
상기 광학계는, 부품 또는 유니트의 일부로서 복굴절 물질로 제작된 투과형 복굴절 광학부품 또는 이들의 결합으로 이루어지는 복굴절 광학유니트를 포함하여,
상기 복굴절 광학유니트에 의해 맺히는 상이 조명광의 편광 성분에 따라 광학계의 광축 방향으로 서로 다른 위치에 맺히게 하여 초점심도를 확장하도록 하는 방법 및 장치로서 이루어지고,
이러한 복굴절 물질로 평행평판 또는 렌즈와 같은 광학부품을 제작하여 광학계를 구성하는 부분품으로서 광학계 내에 설치하면 입사한 빛의 편광방향에 따라서 그 굴절률에 차이가 나타나게 되어 빛이 지나가게 되는 경로가 달라지게 되고 그 결과 광학계의 광축 방향을 따라 상을 맺는 위치가 달라지게 되어 일정한 범위에서 연속적으로 상을 맺게 됨으로써 이 범위에서 원하는 해상도의 상을 얻을 수 있게 되므로써,
리소그래피 장비에 장착되는 광학계에 적용되어 반도체나 디스플레이 소자, 미소 기전 소자(micro electro-mechanical system) 등을 사진 전사적 방법에 의해 제작할 때 원하는 해상도의 상이 맺히는 범위를 광축방향으로 확장하여 생산성을 높이는 데 사용하거나 두께가 두꺼운 감광물질의 전체 두께를 감광시키기 위하여 사용할 수 있다.

公开(公告)号：KR100233243B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960069279

申请日：1996-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/66

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치 및 측정방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
간섭계 전체의 크기에 대해서 소형화 및 구조의 단순화가 가능하며, 웨이퍼의 표면의 넓은 측정 영역에 걸쳐 높은 정밀도로 초점을 측정 및 웨이퍼의 수직 방향의 미소 이동 거리를 측정할 수 있는 반도체 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치를 제공하고자 함.
3. 발명이 해결 방법의 요지
레이저 광을 발생하는 반도체 레이저(101); 상기 반도체 레이저에서 방출된 광을 단면이 원형인 평면파로 변환시키는 광 정형수단(103);상기 광 정형수단을 통과한 광이 상기 레이저로의 귀환을 차단하는 광분리수단(104); 상기 광분리수단으로부터 입사된 광의 편광 직교 성분에 따라 반사 또는 투과시키는 편광 빔스플릿터(105); 상기 편광 빔스플릿터를 투과한 광을 소정 주파수만큼 변조하는 음향광학변조수단(107); 상기 음향광학변조수단를 소정 주파수로 구동하는 신호발생수단(109); 상기 편광 빔스플릿터를 통과하여 상기 음향광학변조수단에서 변조된 광 및 상기 편광 빔스플릿터에서 반사된 광을 검출하는 광검출수단(110); 및 상기 광검출수단(110)의 신호와 상기 신호발생수단(109)의 신호가 입력되어 비교되는 위상비교수단(113)을 포함하여 이루어진 반도체 레이저를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치를 제공하며, 상기 장치를 이용한 측정방법에 있어서,반도체 레이저로부터 방출된 레이저 광을 원형 단면의 평면파로 바꾸는 광정형 단계;상기 평면파 레이저 광을 기준 거울로 반사시키고, 상기 음향광학소자로 투과시키는 빔스플릿터 단계; 상기 투과된 레이저 광을 상기 음향광학소자를 통해 소정 주파수로 변조하는 제1변조단계; 일차 변조된 레이저 광을 웨이퍼에 조사하는 단계; 웨이퍼에 조사된 후, 반사되어 되돌아온 레이저 광을 상기 음향광학소자를 통해 다시 변조하는 제2변조단계; 상기 기준 거울에 반사되어 돌아온 기준 신호광과 상기 제2변조단계를 통해 돌아온 신호광을 검출하는 광검출 단계; 및 상기 광검출 단계에서 검출된 신호와 음향광학소자를 구동하는 신호 발생기의 신호의 위상을 상호 비교하는 단계를 포함하여 이루어진 초점 측정방법을 제공함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 노광장비에 적용되어, 웨이퍼 초점 신호의 측정 정밀도를 향상시키고 넓은 측정 범위에서도 동작이 가능하며, 간단한 구조를 가지며, 소형화된 자동 초점장치를 간단하게 구성할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990053062A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970072632

申请日：1997-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  손영준 ,  권진혁 ,  정해빈 ,  김보우

IPC: G03H1/22

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제작을 위한 스텝퍼나 스캐너의 TTL 정렬 장치에 있어서 내부 전반사형 홀로그래피(total internal reflection holography) 방식에 의한 위상공액파(phase conjugate wave)를 발생시켜 색수차를 보정하는 TTL 정렬을 수행하는 장치에 관한 것이다. 홀로그래피 방법 가운데 특히 내부 전반사형 홀로그래피는 구조가 간단하여 정렬계 구성에 있어서 유리하며 참조광이 광학계에 미치는 영향이 없으므로 반도체 노광장비의 투영광학계에 대한 영향이 적다는 장점이 있다. 이러한 기술을 근거로 하여 ArF 엑시머 레이저의 광을 노광 광원으로 사용하는 웨이퍼 스텝퍼에서 레티클과 웨이퍼의 위치를 직접 정렬하도록 하는 것으로 노광광원에 의한 마스크의 패턴을 굴절되도록 하는 입사 굴절광학계(102)와 반사경(103) 및 편광 빛 분할기(104)와; 상기 패턴을 웨이퍼로 축소 투영시키는 오목 반사경(105)과 출사 광학계(106)와; 아르곤 레이저(110)의 광원으로 부터 파이버를 통해 입사되는 TTL 정렬수단과; 상기 TTL 정렬수단에 의해 반사-굴절 시스템 내로 투영되는 정렬광(111)은 웨이퍼 정렬광(112)과 레티클 정렬광(114)으로 나뉘어져서 각각 레티클(108)과 웨이퍼(107)로 투영되도록 하는 편광 빛 분할기(104)와; 상기 아르곤 레이저(110)로 부터 내부 전반사형 홀로그래픽 TTL 정렬수단까지 정렬광을 전달하도록 하는 단일모드 파이버(202)로 구성되며, 상기 TTL 정렬수단은 내부 전반사형 홀로그램 정렬계(200)를 이용하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019990033430A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970054787

申请日：1997-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종수 ,  최상수 ,  정해빈 ,  이각현 ,  김도훈 ,  유형준

IPC: G02B6/27

Abstract: 본 발명은 193nm 파장의 ArF 엑시머 레이저를 조명 광원으로 이용한 미세 패턴 노광 장비의 광학계에 소요되는 S-파는 반사시키고, P-파는 투과시키는 편광 광 분할기와 그 제작방법에 관한 것이다. 편광 광 분할기는 직각프리즘 2개와 유전체 다층 박막층, 접착층으로 구성되는 데, 기존의 박막물질들은 193nm에서 흡수가 커서 투과율이 떨어지고, 접착제는 193nm 파장에서 흡수율이 높거나 장시간의 조사에 의해서 변성을 일으키므로 사용이 불가능하다. 따라서 본 발명에서는 프리즘 재료로 193nm에서 내부 투과율이 1센티미터당 99% 이상인 용융 석영을 이용하였으며, 유전체 박막 물질은 소멸 계수가 0.01 이하인 물질을 이용하였다. 특히 접착제로 기존의 가시광선 영역에서 사용하던 에폭시 수지의 경우 ArF 엑시머 레이저를 조사할 경우 막이 상해서 사용이 불가능하게 된다. 따라서 193nm 파장 영역에서 흡수가 적고, 장시간의 조사에 의해서 변형이 생기지 않는 새로운 접착제를 사용하고, 이러한 접착제를 사용할 때 프리즘 재료와의 굴절률 차이를 보상해 줄 수 있는 편광 광 분할기와 그 제작방법을 제안하고 있다.

公开(公告)号：KR1019990033429A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970054786

申请日：1997-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종수 ,  최상수 ,  정해빈 ,  유형준 ,  이각현 ,  김도훈

IPC: G02B1/10 ,  G02B5/04 ,  G02B27/28

Abstract: 본 발명은 193nm 파장의 ArF 엑시머 레이저를 조명 광원으로 이용한 미세 패턴 노광 장비의 광학계에 소요되는 S-파는 반사시키고, P-파는 투과시키는 편광 광 분할기와 그 제작방법에 관한 것이다. 본 광학계에서는 미세패턴을 형성시키기 위한 조명광으로 ArF 엑시머 레이저를 사용하는 외에 웨이퍼, 광학계, 레티클을 서로 정렬시키기 위한 정렬용 Ar 레이저가 동시에 이용되고 있다. Ar 엑시머 레이져의 출력파장인 193nm에서는 기존에 사용하던 박막물질은 흡수 계수가 커서 불투명하므로 사용이 불가능하다. 또한, 일반적으로 이 발명에서와 같이 ArF 엑시머 레이저 출력 파장과 정렬광인 Ar 레이저 출력 파장에서 동시에 광 분할기의 성능을 갖도록 하는 것은 어렵다고 알려져 있다. 본 발명에서는 193nm에서 흡수가 적은 유전체 물질을 사용하여 한쪽 프리즘의 빗면에 굴절률이 높은 물질과 낮은 물질을 교대로 층착하되, 그 층수와 두께를 조절하여 다층 코팅한 후, 두 프리즘의 빗면을 옵티칼 콘택트(optical contact)에 의해 부착시키는 방법을 이용하여 두 파장용 편광 광 분할기 성능을 갖는 광학 부품을 제작하는 방법과 그 분할기를 제안하고 있다.