Abstract:
다공성 박막의 제조 방법, 이를 이용하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 염료감응 태양전지는 하부 전극 구조체 상에 배치된 상부 전극 구조체, 하부 및 상부 전극 구조체들 사이에 배치되어 하부 전극 구조체에 접촉하는 반도체 전극층, 반도체 전극층 및 상부 전극 구조체 사이에 개재되어 세공들을 정의하는 다공성 고분자막 및 다공성 고분자막의 세공들을 채우는 전해액을 포함한다.
Abstract:
A dye-sensitized solar cell and a manufacturing method thereof are provided to maximize efficiency by preventing effectively recombination of an electrolyte and electrons transmitted to a conductor. A semiconductor electrode(110) includes a conductive substrate(112), an oxide semiconductor-conductor structure(115), and a dye molecule layer(117). The oxide semiconductor-conductor structure is formed on an upper surface of the conductive substrate. The dye molecule layer is absorbed in a surface of an oxide semiconductor(114). The conductive substrate is electrically connected with the oxide semiconductor-conductor structure. A conductor(113) of the oxide semiconductor-conductor structure is electrically connected with the conductive substrate.
Abstract:
A method for selectively depositing a metal oxide nano material and a gas sensor using the same are provided to improve crystallization through a rapid thermal process by using a micro heater and to remove the moisture attached on the surface of a nano line. A substrate removing a central region is provided. A membrane(20) is formed in an upper part of the substrate. A micro-heater electrode(40) is formed in the upper part of the membrane of the central region. An insulating layer(30) covering the micro heater is formed in the upper part of the membrane. A sensing electrode(50) is formed in the upper part of the insulating layer of the micro heater electrode part. The metal oxide nano material is deposited in an upper part of the sensing electrode.
Abstract:
A dye-sensitized solar cell and a manufacturing method thereof for reducing the number of electronics corresponding to a porous structure on the surface of a lower plate are provided to improve the efficiency of photovoltaic energy conversion and reduce the number of photovoltaic energy conversion. A dye-sensitized solar cell comprises a lower plate(10), an upper plate(50), a semiconductor electrode layer(20), a dye layer(30) and an electrolyte solution(40). The lower plate has one or more groove(15) on the selected surface. The semiconductor electrode layer is arranged on the selected side of the lower plate. The semiconductor electrode layer contacts the lower plate through one or more groove of the lower plate. The dye layer is on the semiconductor electrode layer. The electrolyte solution is arranged between the lower part and upper plate. In order to improve the efficiency of the photovoltaic energy conversion by using the lower plate, the manufacturing method of the dye-sensitized solar cell is performed.
Abstract:
본 발명은 나노 와이어 배열소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 배열소자 제조방법은, (a)기판 상에 나노 와이어가 포함된 나노 와이어 용액을 도포하는 단계; (b)상기 기판 상에 형성된 나노 와이어를 스트라이프 형태로 패터닝하고 기판을 노출시켜 상기 스트라이프 형태의 제 1 식각 영역을 형성하는 단계; (c)상기 패터닝된 나노 와이어를 사이에 두고 드레인 전극선과 소스 전극선을 평행하게 형성하는 단계; (d)일단은 상기 드레인 전극선에 연결되며 적어도 하나의 나노 와이어와 접촉하는 복수의 드레인 전극 및 일단은 상기 소스 전극선에 연결되며 상기 드레인 전극과 접촉하는 나노 와이어에 접촉하는 복수의 소스 전극을 형성하는 단계; (e)한 쌍의 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍들이 전기적으로 접촉되지 않도록 상기 드레인 전극 및 소스 전극 쌍 사이에 제 2 식각 영역을 형성하는 단계; (f)상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 및 (g)상기 절연층 상에 상기 나노 와이어와 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 나노 와이어를 전극선과 평행하게 정렬하지 못하더라도 대규모 나노와이어 배열 소자를 구현할 수 있으므로, 정렬시키기 힘든 나노 와이어를 이용한 집적소자 및 디스플레이에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나아가 플렉서블(flexible) 기판을 응용한 소자 분야에도 본 발명을 적용할 수 있다. 나노 와이어, 트랜지스터 어레이, 선택적 식각, 선태적 패터닝
Abstract:
A heterojunction layer is provided to predict the bending direction of an electric field by forming a heterojunction layer capable of predicting a driving direction. A heterojunction layer(100) includes a first layer(110) including first nano particles of a first conductivity type and a second layer(120) including second nano particles of a second conductivity type wherein the first layer is bonded to the second layer. The aspect ratio of the first and second nano particles can be not less than 30. The first nano particles can be V2O5, and the second nano particles can be a carbon nano tube.
Abstract translation:提供异质结层以通过形成能够预测驱动方向的异质结层来预测电场的弯曲方向。 异质结层(100)包括第一层(110),其包括第一导电类型的第一纳米颗粒和包括第二导电类型的第二纳米颗粒的第二层(120),其中第一层结合到第二层。 第一和第二纳米颗粒的纵横比可以不小于30.第一纳米颗粒可以是V 2 O 5,第二纳米颗粒可以是碳纳米管。
Abstract:
A gas sensor using zinc oxide and a manufacturing method thereof are provided to detect gas with high sensitivity and apply relatively high detecting temperature during gas sensing. A gas sensor using zinc oxide includes a substrate(12), a nano zinc oxide structure(14), a plurality of metal islands, a first electrode(22), a second electrode(24), and a current change detector(50). The nano zinc oxide structure is formed on the substrate. The metal islands are coated on the nano structure, separated from each other. The first electrode is electrically connected to an end of the nano structure. The second electrode is electrically connected to the other end of the nano structure. The current change detector is connected to the first electrode and the second electrode for detecting changes of current flowing through the first electrode and the second electrode.
Abstract:
A method for fabricating a nano-imprint mold is provided to manufacture a quartz NIL(Nano-Imprint Lithography) mold by using a mold such as a silicon substrate. An E-beam resist is coated on a substrate and an E-beam resist pattern is formed on the first substrate by performing an E-beam lithography process(S200). A photoresist pattern is formed on the first substrate by performing a photo-lithography process(S300). A pattern is formed on the first substrate by using the E-beam resist pattern and the photoresist pattern(S400). A NIL mold is formed by printing the pattern of the first substrate on a second substrate for mold(S500,S600).
Abstract:
곡선 도로에 머무르는 물체를 감지하는 단계, 물체가 제1 시간 동안 곡선 도로에 머무르면 곡선 도로의 영상을 표시하는 단계, 그리고 물체가 제1 시간 보다 긴 제2 시간 동안 곡선 도로에 머무르면 곡선 도로의 관리 주체로 물체가 곡선 도로에 존재함을 알리는 단계를 통해 도로 상황을 알리는 도로 상황 알림 방법 및 시스템이 제공된다.