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公开(公告)号：KR102214777B1
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR1020190030402
申请日：2019-03-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F7/20 , H01L21/033
Abstract: 극자외선리소그래피용마스크가제공된다. 상기극자외선리소그래피용마스크는기판상에적층된복수의단위막(unit layer), 및상기복수의단위막사이중 어느하나에배치되는식각정지막(etch stop layer)을포함하고, 상기식각정지막을노출시키는트렌치(trench)를갖는반사구조체, 및상기트렌치의바닥면상에배치되는흡수패턴을포함하되, 상기단위막은, 제1 물질막및 상기제1 물질막상의제2 물질막을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101792409B1
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020160048538
申请日：2016-04-21
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층을준비하는단계, 상기 EUV 투과층상에그래핀층(graphene layer)을형성하는단계, 상기그래핀층의결함(defect) 상에링킹물질(linking material)을제공하여링킹패턴(linking pattern)을형성하는단계, 및상기링킹패턴상에열방출층을형성하는단계를포함하는펠리클구조체의제조방법이제공될수 있다.
Abstract translation: （EUV）透射层，在EUV透射层上形成石墨烯层，在石墨烯层的缺陷上提供连接材料以形成连接图案 在连接图案上形成连接图案，并在连接图案上形成散热层。
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公开(公告)号：KR1020170110759A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160034688
申请日：2016-03-23
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: G01N21/33 , G01N21/84 , G01N21/88 , G01N21/8422 , G01N21/8806 , G01N21/8851
Abstract: 광원부가다층박막거울에 EUV(Extreme Ultraviolet) 광을조사하고, 검출부가상기다층박막거울로부터반사된제1 EUV 광을수집및 측정하는단계, 상기다층박막거울상에펠리클(pellicle)을배치하는단계, 상기광원부가상기펠리클에상기 EUV 광을조사하고, 상기검출부가상기펠리클을투과한후 상기다층박막거울에반사되어상기펠리클을재투과하는제2 EUV 광을수집및 측정하는단계, 및상기제1 및제2 EUV 광을통해상기펠리클의투과도를산출하여상기펠리클의불량여부를평가하는단계를포함하되, 상기펠리클을상기다층박막거울상에위치한펠리클스테이지(pellicle stage) 상에, 상기다층박막거울과이격배치시켜, 상기펠리클의접촉으로인한상기다층박막거울의오염및 손상을최소화하는펠리클의검사방법이제공될수 있다.
Abstract translation: 照射和收集和测量根据权利要求1的EUV光的检测部，从多层薄膜反射镜反射，光源部EUV在多层薄膜镜（极紫外）光，所述方法包括：在所述多层薄膜镜像上放置一个薄膜（薄膜）， 添加光源的EUV光照射到防尘薄膜组件的步骤，然后将检测到的通过添加防护膜被反映在多层薄膜镜采集，并通过薄膜即重新传输，如权利要求2的EUV光的测量，并且所述第一发送 通过mitje 2 EUV光计算防尘薄膜组件包括评估在所述多层薄膜镜图像上的防护薄膜组件的缺陷是否防护薄膜组件，薄膜级（防尘薄膜组件阶段）的步骤的传输，该多层薄膜反射镜和间隔 从而最小化由于薄膜接触而导致的多层薄膜反射镜的污染和损坏。
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公开(公告)号：KR1020160060200A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：KR1020140161522
申请日：2014-11-19
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: EUV 리소그래피용펠리클제조방법및 이에의해제조된 EUV 리소그래피용펠리클을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클제조방법은기판을준비하는단계, 상기기판상에가용성희생층을형성하는단계, 상기가용성희생층상에펠리클막을형성하는단계, 상기펠리클막상에펠리클프레임을형성하는단계및 상기가용성희생층을식각하여상기기판으로부터상기펠리클막을분리시키는단계를포함할수 있다. 따라서, 용매에용해되는가용성물질을적층하여이를희생층으로사용하고, 그위에펠리클용멤브레인구조를적층하여프레임까지부착하고마지막으로희생층을녹여내어 EUV 리소그래피용펠리클을제조할수 있다.
Abstract translation: 提供一种用于制造EUV光刻防伪薄膜的方法，以及通过其制造的EUV光刻薄膜。 用于生产EUV光刻防伪薄片的方法包括以下步骤：制备基材; 在衬底上产生可溶牺牲层; 在可溶性牺牲层上产生防护膜; 在防护薄膜组件上产生防护薄膜组件; 并通过蚀刻可溶性牺牲层将防护薄膜与基材分离。 将溶解在溶剂中的可溶性材料层叠以用作牺牲层，并且将用于防护薄膜的膜结构层压在其上以附着到框架上。 牺牲层最终熔化，因此可以生产EUV光刻防护薄膜。
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公开(公告)号：KR101528421B1
公开(公告)日：2015-06-12
申请号：KR1020140032925
申请日：2014-03-20
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/31 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11563
Abstract: 비휘발성메모리소자의제조방법이제공된다. 상기비휘발성메모리소자의제조방법은, 기판을준비하는단계, 상기기판상에절연막을형성하는단계, 상기절연막을황(S)으로페시베이션(passivation)하여, 터널막을형성하는단계, 상기터널막상에전하트랩막을형성하는단계, 및상기전하트랩막상에게이트도전막을형성하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 提供一种用于制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：制备衬底; 在基板上形成绝缘膜; 通过硫（S）钝化绝缘膜形成隧道膜; 在隧道上形成电荷陷阱膜; 以及在所述电荷俘获膜上形成栅极导电膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150017784A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130082724
申请日：2013-07-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/22
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F1/22 , G03F7/2004
Abstract: 극자외선 노광 공정용 마스크가 제공된다. 상기 마스크는, 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer)을 포함하는 반사막 및 상기 반사막 상의 위상 변조 패턴을 포함하되, 상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함하고, 상기 단위막의 두께는 7.0~7.2nm 이다.
Abstract translation: 提供了用于极紫外光刻工艺的掩模。 掩模包括反射层，该反射层包括层叠在基板上的多个单位层和位于反射层上的相位调制图案。 单元层包括位于第一材料层上的第一材料层和第二材料层。 单位层的厚度为7.0-7.2nm。 本发明提供了具有优异的光稳定性和高反射率的极紫外光刻工艺的掩模。
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公开(公告)号：KR101420905B1
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020110117103
申请日：2011-11-10
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지는 복수개의 필러들(pillars)을 포함하는 기판의 각 필러 사이가 연결되도록 서로 얽힌 구조로 형성되는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 광전변환층으로 사용하여 광전변환을 위한 별도의 구성이 필요치 않고, 넓은 표면적을 가져 광흡수에 유리하며, 다양한 직경을 가지는 탄소나노튜브가 3차원 네트워크 형태로 구성되어 넓은 파장대의 광흡수를 통해 광전변환 효율을 극대화할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법은 양극 및 음극 전면을 덮으며, 상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 완전히 감싸도록 유전막을 형성하고, 유전막을 사이에 두고 상기 양극과 음극의 일측에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써 누설전류를 방지하고, 스플릿 게이트(split gate) 구조의 전극 형태를 채용하여 전기적으로 유도된 pn 접합을 형성하는 태양전지를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140066563A
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020120133967
申请日：2012-11-23
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/26
Abstract: Disclosed is a phase shift mask for extreme ultra-violet lithography using a single-layered absorber thin film. The mask includes: a substrate; a reflective layer located on the substrate and comprises a multi-layered thin film reflecting extreme ultra-violet rays; and an absorbent layer located on the reflective layer and comprises a patterned single-layered thin film. The absorbent layer has a reflectance of 5-10% against extreme ultra-violet rays. The extreme ultra-violet rays reflected from the absorbent layer has a phase difference of 180±15° against the extreme ultra-violet rays reflected from the reflective layer. According to the phase shift mask, mask manufacturing processes are simplified, an image of high contrast can be obtained, and yields can be improved by securing high critical dimension uniformity on a narrow fine pattern.
Abstract translation: 公开了使用单层吸收体薄膜进行极紫外光刻的相移掩模。 掩模包括：基底; 位于基板上的反射层，包括反射极紫外线的多层薄膜; 以及位于反射层上并包含图案化单层薄膜的吸收层。 吸收层对极紫外线的反射率为5-10％。 从吸收层反射的极紫外线与反射层反射的极紫外线相差180±15°。 根据相移掩模，简化了掩模制造工艺，可以获得高对比度的图像，并且可以通过在狭窄的精细图案上确保高的临界尺寸均匀性来提高产量。
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公开(公告)号：KR101272039B1
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：KR1020090106310
申请日：2009-11-05
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 본 발명은 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크에 EUV광을 조사하여 반사되는 반사광을 통해 반사형 마스크의 결함 영역의 검출과 이에 이미징화를 인-시튜(
in-situ )로 처리할 수 있는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크의 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것으로, 상기 장치 및 방법을 통해 높은 신뢰도로 마스크의 결함 영역 검출 및 이미징화를 인-시츄로 처리가 가능하여 차세대 노광기술인 극자외선 노광 공정시 사용하는 마스크의 생산성을 높일 수 있다.
극자외선, 결함 검출, 해상도-
公开(公告)号：KR1020120113191A
公开(公告)日：2012-10-12
申请号：KR1020120033815
申请日：2012-04-02
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/20 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: PURPOSE: A photonic crystal structure, a light emitting diode including the same, and a manufacturing method thereof are provided to directly form a photonic crystal structure on a light emitting diode by using a reverse nano imprint lithography process. CONSTITUTION: An n type semiconductor layer(20) is formed on a substrate(10). An active layer(30) is formed on the n type semiconductor layer. A p type semiconductor layer(40) is formed on the active layer. A transparent electrode layer(50) is formed on the p type semiconductor layer. A light emitting structure(200) is formed on the transparent electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种光子晶体结构，包括其的发光二极管及其制造方法，以通过使用反向纳米压印光刻工艺在发光二极管上直接形成光子晶体结构。 构成：在衬底（10）上形成n型半导体层（20）。 在n型半导体层上形成有源层（30）。 在有源层上形成p型半导体层（40）。 在p型半导体层上形成透明电极层（50）。 在透明电极层上形成发光结构（200）。
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