公开(公告)号：DE102014105364A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE102014105364

申请日：2014-04-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  MAIER DOMINIC ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  LEUSCHNER RAINER

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/522

Abstract: Die Kapazität oder Induktivität von elektrischen Schaltungen wird durch Messen von Induktivitäts- oder Kapazitätswerten von passiven Bauteilen, die auf einem ersten Substrat hergestellt sind, Speichern von individuellen Zusammenhängen zwischen den passiven Bauteilen und den jeweiligen Messwerten der passiven Bauteile und Bestimmen von elektrischen Verbindungen für die passiven Bauteile auf der Basis der gespeicherten individuellen Zusammenhänge zwischen den passiven Bauteilen und den jeweiligen Messwerten der passiven Bauteile eingestellt. Ein entsprechendes System umfasst ein Testgerät, das betriebsfähig ist, um Induktivitäts- oder Kapazitätswerte der passiven Bauteile, die auf dem ersten Substrat hergestellt sind, zu messen, ein Speichersystem, das betriebsfähig ist, um die individuellen Zusammenhänge zwischen den passiven Bauteilen und den jeweiligen Messwerten der passiven Bauteile zu speichern, und eine Verarbeitungsschaltung, die betriebsfähig ist, um die elektrischen Verbindungen für die passiven Bauteile auf der Basis der gespeicherten individuellen Zusammenhänge zwischen den passiven Bauteilen und den jeweiligen Messwerten der passiven Bauteile zu bestimmen.

公开(公告)号：DE102013205138A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：DE102013205138

申请日：2013-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HÖGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/26 ,  H01L23/48 ,  H01L25/03

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (100). Das Halbleiterbauelement (100) weist einen Halbleiterkörper (1) mit einer Oberseite (1t) und einer der Oberseite (1t) entgegengesetzten Unterseite (1b) auf. Auf die Oberseite (1t) ist eine obere Metallisierung (11) aufgebracht, auf die Unterseite (1b) eine untere Metallisierung (16). Eine Feuchtigkeitsbarriere (2) dichtet den Halbleiterkörper (1) in Zusammenwirkung mit der oberen Metallisierung (11) und der unteren Metallisierung (16) vollständig ab.

公开(公告)号：DE102013111569A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：DE102013111569

申请日：2013-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  POUR MOUSAVI MEHRAN ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52 ,  H01L25/16 ,  H01L49/00 ,  H01Q23/00 ,  H05K1/18

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Halbleiterpackage (1) ein Substrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche. Ein erster Chip (10) ist in dem Substrat angeordnet. Der erste Chip (10) enthält mehrere Kontaktpads (35) an der ersten Hauptoberfläche. Ein Viastab (450) ist in dem Substrat angeordnet. Eine Antennenstruktur (50) ist innerhalb des Viastabs (450) angeordnet.

公开(公告)号：DE102011054120A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：DE102011054120

申请日：2011-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM ,  BEER GOTTFRIED ,  PLAGMANN JOERN ,  POHL JENS ,  ROBL WERNER ,  STEINER RAINER ,  VAUPEL MATHIAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L23/52

Abstract: Bei einem Verfahren zum Ausbilden einer elektronischen Vorrichtung wird ein Werkstück bereitgestellt. Über dem Werkstück wird eine erste Sperrschicht ausgebildet. Über der ersten Sperrschicht wird eine leitende Zwischenschicht ausgebildet. Über der leitenden Zwischenschicht wird eine zweite Sperrschicht ausgebildet. Über der zweiten Sperrschicht wird eine Keimschicht ausgebildet. Ein Abschnitt der Keimschicht wird entfernt, um einen verbleibenden Abschnitt der Keimschicht zurückzulassen und um einen Abschnitt der zweiten Sperrschicht freizulegen. Eine Füllschicht wird auf dem verbleibenden Abschnitt der Keimschicht elektroplattiert.

公开(公告)号：DE102007019031B4

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：DE102007019031

申请日：2007-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHUNK NIKOLAUS ,  BEER GOTTFRIED

IPC: G02B6/42 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G02B6/32 ,  H01L25/16 ,  H04B10/02

公开(公告)号：DE102008025223A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：DE102008025223

申请日：2008-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PRESSEL KLAUS ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

公开(公告)号：DE102007019031A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：DE102007019031

申请日：2007-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHUNK NIKOLAUS ,  BEER GOTTFRIED

IPC: G02B6/42 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G02B6/26 ,  H01L25/16 ,  H04B10/02

Abstract: The device has an optoelectronic module (1) with an optoelectronic component (2) e.g. LED, and fastened to a module carrier (4) e.g. molded interconnect device. An under-filling (6) is inserted into a region between the module and the carrier, to form a lens (61). The carrier forms a mounting surface (41) for the optoelectronic module, which is fixed or electrically contacted to the surface by a solder contact. A reflective plastic is extruded on the module carrier at a region of a coupling opening (5), and gold is settled down on limiting surfaces of the opening. Independent claims are also included for the following: (1) a method for optical coupling of an optoelectronic component with an optical fiber (2) a method for manufacturing an optoelectronic device.

公开(公告)号：DE102005022780A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：DE102005022780

申请日：2005-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  WEBER WERNER

IPC: H01L49/00 ,  G06K19/077 ,  H01L21/301 ,  H01L21/56

Abstract: A TAG chip includes a magnetic coating or an electrostatically chargeable structure. A device for packing semiconductor chips includes an electromagnetic or electrostatic lifter, which picks up singulated semiconductor chips of a semiconductor wafer with a magnetic coating or including an electrostatically chargeable structure from a wafer position and deposits them in a collecting position. A mounting device includes a conveying roller with conveying receptacles for semiconductor chips, which pick up the semiconductor chips in a pick-up position with electromagnetically or electrostatically activatable conveying receptacles and, in a discharge position will discharge, via deactivation of the conveying receptacles, the semiconductor chips onto a corresponding liner or an object.

公开(公告)号：DE102005006280B4

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：DE102005006280

申请日：2005-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/08 ,  H01L23/12

公开(公告)号：DE102005006995A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：DE102005006995

申请日：2005-02-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/50 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

Abstract: The component has plastic housing (6) comprising outer surfaces with an upper side and a lower side. Lower outer contact surfaces (13) are arranged on the lower side and upper outer contact surfaces (14) are arranged on the upper side. The housing has conducting paths, through which the surfaces (13) are electrically connected with the surfaces (14). The paths comprise a contacting path layer from an electrically conducting material. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor component with a plastic housing.