公开(公告)号：DE102015109413A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015109413

申请日：2015-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/62

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips (61, 62), mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), B) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Aufwachssubstrat (1), C) Aufbringen eines elektrischen Kontakts (3) auf die dem Aufwachssubstrat (1) angewandte Rückseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2), D) Ausdünnen des Aufwachssubstrats (1), E) Aufbringen der Konversionsschicht (4) auf das ausgedünnte Aufwachssubstrat (1), und F) Vereinzeln zumindest des ausgedünnten Aufwachssubstrates (1) und der Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von mindestens zwei optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips (61, 62).

公开(公告)号：DE102014114109A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102014114109

申请日：2014-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  OFF JÜRGEN ,  GOTSCHKE TOBIAS

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/31 ,  H01L21/78

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), das eine Aufwachsfläche (1a) aufweist, die mit Saphir gebildet ist, – Aufbringen eines Maskenmaterials (2) auf die Aufwachsfläche (1a) des Aufwachssubstrats (1), – Strukturieren des Maskenmaterials (2) zu einer mehrfach zusammenhängenden Maskenschicht (21) durch Einbringen von Öffnungen (22) in das Maskenmaterial (2), wobei am Boden (23) zumindest mancher der Öffnungen (22) die Aufwachsfläche (1a) freigelegt wird, – Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) in die Öffnungen (22) und auf die Maskenschicht (21), – Vereinzeln zumindest der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Vielzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder Halbleiterchip (10) laterale Abmessungen (L) aufweist und die lateralen Abmessungen (L) groß sind gegen einen mittleren Abstand (A) der Öffnungen (22) zur nächstliegenden Öffnung.

公开(公告)号：DE102011115299A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011115299

申请日：2011-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEHRKE KAI ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  FLOETER RICHARD ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L33/46 ,  H01S5/028

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung auf sowie einen Silberspiegel (3). Der Silberspiegel (3) ist an der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet. Dem Silber des Silberspiegels (3) ist Sauerstoff beigegeben. Ein Gewichtsanteil des Sauerstoffs an dem Silberspiegel (3) beträgt bevorzugt mindestens 10–5 und ferner bevorzugt höchstens 10%.

公开(公告)号：DE102010003112A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：DE102010003112

申请日：2010-03-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  PLOESL ANDREAS

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/95

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen des Verfahrens zur Kontrolle einer zwischen einer Metallschicht (102) und einer Halbleiterschicht (100) ausgebildeten Grenzfläche (106) weisen die folgenden Schritte auf: – Die Grenzfläche (106) wird mit Infrarotstrahlung (302) bestrahlt. – Eine an der Grenzfläche (106) reflektierte Strahlung (304) wird erfasst. – Ein erfasstes Reflexionsbild wird mit einem erwarteten Reflexionsbild verglichen.

公开(公告)号：DE102009019524A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：DE102009019524

申请日：2009-04-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER ROBERT ,  GROLIER VINCENT ,  SCHMAL MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  EBERHARD FRANZ

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/101 ,  H01S5/028

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Halbleiterschichtenfolge (10) und einem reflektierenden Schichtsystem (20) angegeben. Das reflektierende Schichtsystem (20) weist eine an die Halbleiterschichtenfolge (10) angrenzende erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) und eine Metallschicht (23) an der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) auf. Die erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) enthält ein erstes dielektrisches Material. Zwischen der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) und der Metallschicht (23) ist eine zweite strahlungsdurchlässige Schicht (22) angeordnet, die ein haftverbesserndes Material enthält. Die Metallschicht (23) ist unmittelbar auf das haftverbessernde Material aufgebracht. Das haftverbessernde Material ist von dem ersten dielektrischen Material verschieden und derart ausgewählt, dass die Haftung der Metallschicht (23) im Vergleich zur Haftung auf dem ersten dielektrischen Material verbessert ist.

公开(公告)号：DE102019107143B4

公开(公告)日：2022-09-15

申请号：DE102019107143

申请日：2019-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MEYER TOBIAS ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/00 ,  G01R31/265 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren zum Sortieren von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (10), die jeweils einen aktiven Bereich (100) zur Emission oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung aufweisen, umfassend die folgenden Schritte:- Einbringen der Halbleiterbauelemente (10) in einen Sortierbereich (2) auf einer vorgegebenen Bahn (3),- Bestrahlung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10) mit elektromagnetischer Strahlung (50) eines ersten Wellenlängenbereichs zur Erzeugung von Dipolmomenten durch Ladungstrennung in den aktiven Bereichen (100) der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10), und- Ablenkung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10) von der vorgegebenen Bahn (3) in Abhängigkeit ihres Dipolmoments mittels eines inhomogenen elektromagnetischen Feldes (60).

公开(公告)号：DE102021103984A1

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：DE102021103984

申请日：2021-02-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  PFEUFFER ALEXANDER F

IPC: H01L33/08 ,  H01L27/15 ,  H01L33/14 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Emissionsseite (6), eine der Emissionsseite (6) gegenüberliegende Montageseite (7) und einen Halbleiterkörper (2). Der Halbleiterkörper (2) weist eine erste Halbleiterschicht (3), eine zweite Halbleiterschicht (4) und eine aktive Zone (5) zwischen der ersten Halbleiterschicht (3) und der zweiten Halbleiterschicht (4) auf. Der Halbleiterkörper (2) umfasst ferner mindestens zwei Emissionsbereiche (21, 22), die in Sicht auf die Emissionsseite (6) nebeneinander angeordnet sind. Ein erster Emissionsbereich (21) umfasst einen ersten Anteil (51) der aktiven Zone (5) und ein zweiter Emissionsbereich (52) umfasst einen zweiten Anteil (52) der aktiven Zone (5). Die Emissionsbereiche (21, 22) sind im Halbleiterkörper monolithisch integriert. In einem Querschnitt entlang einer Haupterstreckungsebene der aktiven Zone (5) weist der erste Anteil (51) der aktiven Zone (5) einen mindestens doppelt so großen Flächeninhalt auf wie der zweite Anteil (52) der aktiven Zone (5).

公开(公告)号：DE102015113310B4

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102015113310

申请日：2015-08-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/64

Abstract: Halbleiterchip mit- einem Halbleiterkörper (1), der einen aktiven Bereich (12) umfasst,- einem Träger (3), der einen ersten Leiterkörper (31), einen zweiten Leiterkörper (32) und einen Formkörper (33) umfasst,- einer elektrisch isolierenden Schicht (4), die eine erste Öffnung (41) und eine zweite Öffnung (42) umfasst,- einer ersten Anschlussstelle (51), die elektrisch leitend ist, und- einer zweiten Anschlussstelle (52), die elektrisch leitend ist, wobei- der Träger (3) mechanisch mit dem Halbleiterkörper (2) verbunden ist,- der aktive Bereich (12) elektrisch leitend mit dem ersten Leiterkörper (31) und dem zweiten Leiterkörper (32) verbunden ist,- die elektrisch isolierende Schicht (4) den Träger (3) an dessen dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite bedeckt,- die erste Anschlussstelle (51) durch die erste Öffnung (41) elektrisch leitend mit dem ersten Leiterkörper (31) verbunden ist,- die zweite Anschlussstelle (52) durch die zweite Öffnung (42) elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterkörper (32) verbunden ist,- der erste Leiterkörper (31) vom zweiten Leiterkörper (32) einen ersten Abstand (D1) aufweist,- die erste Anschlussstelle (51) von der zweiten Anschlussstelle (52) einen zweiten Abstand (D2) aufweist,- der erste Abstand (D1) kleiner als der zweite Abstand (D2) ist,- zumindest einer der Leiterkörper (31, 32) zumindest einen Vorsprung (311, 312, 321, 322) umfasst, und wobei- sich zumindest ein Vorsprung (311, 312, 321, 322) vom zumindest einen Leiterkörper (31, 32) in Richtung des anderen Leiterkörpers (32, 31) erstreckt.

公开(公告)号：DE112019006054A5

公开(公告)日：2021-09-16

申请号：DE112019006054

申请日：2019-11-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  NEVELING KERSTIN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102018131404A1

公开(公告)日：2020-06-10

申请号：DE102018131404

申请日：2018-12-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  NEVELING KERSTIN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine elektrische Durchkontaktierung (3). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet eine aktive Zone (22) zur Strahlungserzeugung und eine Kontaktschicht (25) zur elektrischen Kontaktierung. Die aktive Zone (22) liegt in einer Ebene (P) senkrecht zu einer Hauptwachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) und befindet sich zwischen einem ersten Halbleiterbereich (21) und einem zweiten Halbleiterbereich (23). Die Kontaktschicht (25) liegt innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs (23). Die Durchkontaktierung (3) reicht durch die Kontaktschicht (25) hindurch und endet bevorzugt innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs (23). Eine Kontaktfläche (32) zwischen der Durchkontaktierung (3) und der Kontaktschicht (25) schließt zur Ebene (P) einen Kontaktwinkel (w) von mindestens 20° und höchstens 60° ein.