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    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008026839A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：DE102008026839

    申请日：2008-06-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GROLIER VINCENT ,  PLOESL ANDREAS

    IPC: H01L23/488 ,  H01L33/00

    Abstract: On an epitaxy substrate (1), a layer structure (5, 6, 7) provided for light-emitting diodes or other optoelectronic components using thin-film technology is produced and provided with a first connecting layer (2), which comprises one or a plurality of solder materials. A second connecting layer (3) is applied over the whole area on a carrier (10) and permanently connected to the first connecting layer (2) by means of a soldering process.

    Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einem reflektierenden Schichtsystem
    4.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einem reflektierenden Schichtsystem 未知

    公开(公告)号：DE102009019524A1

    公开(公告)日：2010-11-04

    申请号：DE102009019524

    申请日：2009-04-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WALTER ROBERT ,  GROLIER VINCENT ,  SCHMAL MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  EBERHARD FRANZ

    IPC: H01L33/00 ,  H01L31/101 ,  H01S5/028

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Halbleiterschichtenfolge (10) und einem reflektierenden Schichtsystem (20) angegeben. Das reflektierende Schichtsystem (20) weist eine an die Halbleiterschichtenfolge (10) angrenzende erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) und eine Metallschicht (23) an der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) auf. Die erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) enthält ein erstes dielektrisches Material. Zwischen der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) und der Metallschicht (23) ist eine zweite strahlungsdurchlässige Schicht (22) angeordnet, die ein haftverbesserndes Material enthält. Die Metallschicht (23) ist unmittelbar auf das haftverbessernde Material aufgebracht. Das haftverbessernde Material ist von dem ersten dielektrischen Material verschieden und derart ausgewählt, dass die Haftung der Metallschicht (23) im Vergleich zur Haftung auf dem ersten dielektrischen Material verbessert ist.

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008039360A1

    公开(公告)日：2010-02-25

    申请号：DE102008039360

    申请日：2008-08-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GROLIER VINCENT ,  PLOESL ANDREAS

    IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H05B33/22

    Abstract: An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor body containing an active region, a mirror layer, and contact points arranged between the semiconductor body and the mirror layer and providing a spacing D between the semiconductor body and the mirror layer, whereby at least one cavity is formed between the mirror layer and the semiconductor body and the at least one cavity contains a gas.

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
    6.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    光电子半导体元件和用于制造光电子半导体元件的方法

    公开(公告)号：WO2010084101A3

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：PCT/EP2010050536

    申请日：2010-01-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  AHLSTEDT MIKAEL ,  GROLIER VINCENT

    Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  AHLSTEDT MIKAEL ,  GROLIER VINCENT

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/483 ,  H01L33/60 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor component comprising at least one optoelectronic semiconductor chip (1), which comprises a radiation passage surface (11), wherein the radiation passage surface (11) is formed on a main surface (10) of the semiconductor chip (1); a cover plate (2), which is fastened to the optoelectronic semiconductor chip (1) and spans the entire radiation passage surface (11) of the semiconductor chip (1), wherein the cover plate (2) laterally protrudes over the semiconductor chip (1); a contact point (3), which is fastened to the cover plate (2) on the side of the cover plate (2) facing the semiconductor chip (1); wherein the contact point (3) is connected in an electrically conductive manner to at least one connection point (13) of the semiconductor chip (1) by means of a connecting element (4); and the connection point (13) is arranged on the main surface (10) of the semiconductor chip (1).

    Abstract translation: 提供了一种具有（1）具有一个辐射穿透面（11），其特征在于，在半导体芯片（1）的主表面（10）形成的辐射通路表面（11）的至少一个光电子半导体芯片一个otoelektronisches半导体装置; 盖板（2）的光电子半导体芯片（1）被固定和半导体芯片（1）跨越的整个辐射穿透面（11），其中所述盖板（2）突出于半导体芯片（1）横向; 提供在半导体芯片上的接触点（3）（1）的朝向（2）安装在所述盖板上的盖板（2）的侧上; 其中通过连接元件（4）与半导体芯片（1）的至少一个连接点（13）的接触点（3）电连接; 和半导体芯片（1）的主表面（10）上的连接点（13）。

    Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
    8.
    发明专利
    Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102009019161A1

    公开(公告)日：2010-11-04

    申请号：DE102009019161

    申请日：2009-04-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GROLIER VINCENT ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  AHLSTEDT MIKAEL ,  EISSLER DIETER

    IPC: H01L33/00

    Abstract: Es wird eine Leuchtdiode angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), wobei der Halbleiterkörper (1) einen aktiven, zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Bereich (11) umfasst, - einem Trägerkörper (2), der an einer Oberseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) am Halbleiterkörper (1) befestigt ist, wobei der Trägerkörper (2) ein Lumineszenzkonversionsmaterial umfasst, - einer Spiegelschicht (3), die an einer der Oberseite (1a) abgewandten Unterseite (1b) des Halbleiterkörpers (1) auf den Halbleiterkörper (1) aufgebracht ist, und - zwei Kontaktschichten (4a, 4b), wobei eine erste (4a) der Kontaktschichten mit einem n-leitenden Bereich (13) des Halbleiterkörpers (1) und eine zweite der Kontaktschichten (4b) mit einem p-leitenden Bereich (12) des Halbleiterkörpers (1) elektrische leitend verbunden ist.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
    9.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils 未知

    公开(公告)号：DE102009005709A1

    公开(公告)日：2010-07-29

    申请号：DE102009005709

    申请日：2009-01-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  AHLSTEDT MIKAEL ,  GROLIER VINCENT

    IPC: H01L33/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit - zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (1), der eine Strahlungsdurchtrittfläche (11) aufweist, wobei die Strahlungsdurchtrittfläche (11) an einer Hauptfläche (10) des Halbleiterchips (1) ausgebildet ist, - einer Abdeckplatte (2), die am optoelektronischen Halbleiterchip (1) befestigt ist und die gesamte Strahlungsdurchtrittfläche (11) des Halbleiterchips (1) überspannt, wobei die Abdeckplatte (2) den Halbleiterchip (1) seitlich überragt, - einer Kontaktstelle (3), die an der dem Halbleiterchip (1) zugewandten Seite der Abdeckplatte (2) an der Abdeckplatte (2) befestigt ist, wobei - die Kontaktstelle (3) mittels eines Verbindungselements (4) mit zumindest einer Anschlussstelle (13) des Halbleiterchips (1) elektrisch leitend verbunden ist, und - die Anschlussstelle (13) an der Hauptfläche (10) des Halbleiterchips (1) angeordnet ist.

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODIES HAVING A REFLECTIVE LAYER SYSTEM
    10.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODIES HAVING A REFLECTIVE LAYER SYSTEM 审中-公开
    具有反射层体系光电子半导体本体

    公开(公告)号：WO2010125028A2

    公开(公告)日：2010-11-04

    申请号：PCT/EP2010055546

    申请日：2010-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WALTER ROBERT ,  GROLIER VINCENT ,  SCHMAL MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  EBERHARD FRANZ

    Inventor： WALTER ROBERT ,  GROLIER VINCENT ,  SCHMAL MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  EBERHARD FRANZ

    IPC: H01L31/0232

    CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/46 ,  H01S5/18369

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor body (1) having an active semiconductor layer sequence (10) and a reflective layer system (20). The reflective layer system (20) is provided with a first radiation-permeable layer (21) abutting the semiconductor layer sequence (10), and with a metal layer (23) on the side of the first radiation-permeable layer (21) facing away from the semiconductor layer sequence (10). The first radiation-permeable layer (21) includes a first dielectric material. Between the first radiation-permeable layer (21) and the metal layer (23), a second radiation-permeable layer (22) is arranged containing an adhesion-improving material. The metal layer (23) is applied directly on the adhesion-improving material. The adhesion-improving material differs from the first dielectric material and is selected such that the adhesion on the metal layer (23) is improved over the adhesion on the first dielectric material.

    Abstract translation: 提供了一种具有有源半导体层序列（10）和反射层系统（20）的光电子半导体本体（1）。 反射层系统（20）具有与半导体层序列（10）相邻的第一辐射透射层（21）和金属层（23），该半导体层序列的（10）从所述第一辐射透射层（21）背向侧。 第一辐射透射层（21）包含第一介电材料。 第一辐射透射层（21）和金属层（23）之间布置含粘接性提高材料的第二辐射透射层（22）。 所述金属层（23）被直接施加到附着改进的材料。 所述粘合促进材料是从所述第一电介质材料不同，并且被选择为使得所述金属层（23）的附着力相比，粘附到所述第一介电材料的改善。

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