公开(公告)号：WO2014207037A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/EP2014/063380

申请日：2014-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  STOLL, Ion ,  SCHWARZ, Thomas ,  RICHTER, Markus ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/60 ,  H01L25/16 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L24/24 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (200), der derart in einen Formkörper (100) eingebettet ist, dass eine Oberseite (201) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (100) bedeckt ist. Auf einer Oberseite (101) des Formkörpers (100) ist eine erste Metallisierung (510) angeordnet. Die erste Metallisierung (510) ist elektrisch gegen den optoelektronischen Halbleiterchip (200) isoliert. Auf der ersten Metallisierung (510) ist ein erstes Material (610, 615) angeordnet.

Abstract translation: 的光电元件（10，20，30，40）包括嵌入在这样的方式中的成型体的光电子半导体芯片（200）（100），使得所述光电子半导体芯片（200）至少部分地不的顶表面（201）（通过成型 100）被覆盖。 上成形的主体（100），其具有第一金属化（510）的上表面（101）被布置。 第一金属化（510）是从所述光电子半导体芯片（200）是分离的电绝缘。 在第一金属化（510）的第一材料（610，615）被布置。

公开(公告)号：WO2014122061A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：PCT/EP2014/051788

申请日：2014-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/64 ,  H01L33/62

CPC classification number: F21S41/143 ,  F21S41/192 ,  F21S45/47 ,  F21V23/002 ,  F21V29/70 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Leuchtmodul (100) angegeben mit - zumindest zwei optoelektronischen Halbleiterchips (10) mit einer Strahlungsaustrittsfläche (11) und einer der Strahlungsaustrittsfläche abgewandten elektrisch nichtleitend ausgebildeten Rückseite (12), - einem Kühlkörper (20) mit einer Kühlkörperoberseite (21) und einer der Kühlkörperoberseite (21) abgewandten Kühlkörperunterseite (22), - zwei Kontaktstreifen (30) mit einer Kontaktoberseite (31) und einer der Kontaktoberseite (31) abgewandten Kontaktunterseite (32), wobei - die optoelektronischen Halbleiterchips (10) mit der elektrisch nichtleitenden Rückseite (12) auf der Kühlkörperoberseite (21) angeordnet sind, - jeder optoelektronische Halbleiterchip (10) zwei in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche (11) ausgebildete elektrische Kontaktstellen (13) aufweist, und - die optoelektronischen Halbleiterchips (10) über die elektrischen Kontaktstellen (13) in Serie verschaltet sind.

Abstract translation: 它是设置有光电发光模块（100）， - 具有辐射出射面（11）和背向不导电而形成背面（12）的距离的辐射出射表面中的一个的至少两个光电子半导体芯片（10）， - 散热器（20）与冷却体的顶面（21）和 冷却体上表面中的一个（21）热沉背离（22）离开下侧， - 两个接触条（30）具有面向远离接触顶部接触底部（32）（31）和所述接触顶表面中的一个（31），其中 - 所述光电子半导体芯片（10）与所述非导电背 （12）设置在所述散热器上侧（21）， - 每个光电子半导体芯片（10）具有两个在辐射出射表面的方向（11）形成电接触点（13），以及 - 经由所述电接触点的光电子半导体芯片（10）（13） 被串联连接。

公开(公告)号：WO2008028454A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：PCT/DE2007/001503

申请日：2007-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHWARZ, Thomas ,  STEEGMÜLLER, Ulrich ,  KÜHNELT, Michael

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  STEEGMÜLLER, Ulrich ,  KÜHNELT, Michael

IPC: G02B5/28 ,  H01S5/068 ,  H01S5/183 ,  H01S5/14

CPC classification number: H01S5/041 ,  G02B5/284 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/0608 ,  H01S5/141 ,  H01S5/183 ,  H01S5/4025

Abstract: Es wird ein Etalon (1), das als frequenzselektives Element im Resonator (30,11) einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung vorgesehen ist, angegeben, wobei das Etalon (1) eine Etalon-Schicht (22) umfasst, die zumindest eines der folgenden Materialen enthält oder aus einem dieser Materialen besteht: Glas, Halbleitermaterial.

Abstract translation: 它是含有下列物质中的至少一种或标准具（1），其作为示于光电子半导体器件的谐振器（30,11）的频率选择元件，其中，所述标准具（1）包括一个标准具层（22）提供 由这些材料中的一种制成：玻璃，半导体材料。

公开(公告)号：WO2022234025A2

公开(公告)日：2022-11-10

申请号：PCT/EP2022/062172

申请日：2022-05-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/13 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04 ,  H01L27/15 ,  H01L25/105 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0508 ,  H01L33/486 ,  H02S40/30 ,  H02S40/38

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Mikrosystem umfassend eine Vielzahl von funktionellen Zellen (1, 1a, 1b, 1c, 1d), die zumindest teilweise elektrisch miteinander gekoppelt sind, wobei jede funktionelle Zelle durch einen der folgenden Zelltypen gebildet ist: elektrische Energie erzeugende Zelle (1a); elektrische Energie speichernde Zelle (1d); elektrische Energie leitende Zelle (1b); und elektrische Energie verbrauchende Zelle (1c). Jede funktionelle Zelle umfasst: ein Gehäuse (2) aus einem elektrisch isolierenden Material, wobei die Gehäuse (2) von je zwei funktionellen Zelle die gleichen Abmessungen aufweisen; zumindest einen ersten elektrischen Anschlussbereich (3a) und zumindest einen zweiten elektrischen Anschlussbereich (3b); und ein funktionelles Element (14), welches im Inneren des Gehäuses (2) unter elektrischer Verbindung des zumindest einen ersten elektrischen Anschlussbereichs (3a) und des zumindest einen zweiten elektrischen Anschlussbereichs (3b) angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2021110333A1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：PCT/EP2020/080474

申请日：2020-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL, Michael ,  DOBNER, Andreas ,  GOLDBACH, Matthias ,  WITTMANN, Sebastian ,  HILLER, Uli ,  KLEIN, Markus ,  SCHWARZ, Thomas ,  WALDSCHIK, Andreas ,  WITTMANN, Michael ,  BRUCKSCHLOEGL, Matthias ,  GROETSCH, Stefan ,  HUBER, Rainer ,  BRICK, Peter ,  HOFBAUER, Ludwig

IPC: H01L25/075 ,  B32B17/10 ,  B60J7/04

Abstract: An optoelectronic device comprises a layer stack, which includes a carrier layer, a cover layer, and a first layer. The first layer is in particular an intermediate layer, arranged between the cover layer and the carrier layer. At least one electronic or optoelectronic element, in particular an optoelectronic light source, is arranged on the first layer and at least one layer of the layer stack and preferably all layers of the layer stack are at least partially transparent. The layer stack comprises at least one layer which comprises particles with a high thermal conductivity and/or at least one thermally conductive layer which is arranged between two adjacent layers of the layer stack.

公开(公告)号：WO2020104232A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/080861

申请日：2019-11-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  PLÖSSL, Andreas ,  SORG, Jörg Erich ,  SINGER, Frank

IPC: H01S5/022

Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlasern (1) und beinhaltet die folgenden Schrittein der angegebenen Reihenfolge: A) Anbringen einer Vielzahl von kantenemittierenden Laserdioden (2) auf einem Montagesubstrat (3), B) Anbringen eines Verkapselungselements (4), sodass die Laserdioden (2) jeweils in einer Kavität (42) zwischen dem Montagesubstrat (3) und dem zugehörigen Verkapselungselement (4) angebracht werden, C) Betreiben der Laserdioden (2) und Bestimmen von Abstrahlrichtungen (22) der Laserdioden (2),D) Erzeugen von Materialschäden (45) in Teilgebieten (44) des Verkapselungselements (4), wobei die Teilgebiete (44) den Laserdioden (2) eindeutig zugeordnet sind, E) kollektives Entfernen von Material des Verkapselungselements (4), wobei dieses Material von den Materialschäden (45) betroffen ist, sodass für die Laserdioden (2) in den Teilgebieten (44) individuelle Optikflächen (5) zur Strahlformung entstehen, und F) Vereinzeln zu den Halbleiterlasern (1).

公开(公告)号：WO2020104219A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/080728

申请日：2019-11-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/58 ,  G09F9/33

Abstract: Multi-Pixel-Anzeigevorrichtung mit - einem integrierten Schaltkreis (1), - einer Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleiterchips (11), die auf dem integrierten Schaltkreis (1) angeordnet sind, - einem Anzeigebereich (37) mit einer Mehrzahl von Pixeln (40), wobei jeder der lichtemittierenden Halbleiterchips (11) einem der Pixel (40) zugeordnet ist, - einem lichtlenkenden Element (35), das zwischen der Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleiterchips (11) und dem Anzeigebereich (37) angeordnet ist und geeignet ist, das Licht eines jeden lichtemittierenden Halbleiterchips (11) aus der Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleiterchips (11) zu dem ihm zugeordneten Pixel (40) zu lenken.

公开(公告)号：WO2019233731A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：PCT/EP2019/062673

申请日：2019-05-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBNER, Andreas ,  BRICK, Peter ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit: - einem strahlungsemittierenden Pixel (2), das zwei strahlungsemittierende Sub-Pixel (3) umfasst, die jeweils elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (4) aussenden, wobei - ein Konversionselement (8) auf der Strahlungsaustrittsfläche (4) von einem der zwei Sub-Pixel (2) angeordnet ist, das einen Teil der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung konvertiert, und - eine Filterschicht (9) auf dem Konversionselement (8) angeordnet ist, die Primärstrahlung streut und/oder absorbiert. Zudem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2019057815A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：PCT/EP2018/075462

申请日：2018-09-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas ,  BAUMHEINRICH, Thorsten, Frank ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/32 ,  G09G2300/0842

Abstract: Es werden eine Anordnung zum Betreiben optoelektronischer Halbleiterchips sowie eine Anzeigevorrichtung mit der Anordnung angegeben. Die Anordnung (201, 202) umfasst einen Halbleiterchip (10) mit einer ersten und zweiten Elektrode (11, 12), der eingerichtet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die Anordnung umfasst ferner eine Steuereinheit (100) zur Einstellung eines Stroms zum Betreiben des Halbleiterchips, einen ersten LED-Spannungseingang (101), der mit der ersten Elektrode des Halbleiterchips gekoppelt ist, sowie einen Referenzspannungseingang (103), der über die Steuereinheit mit der zweiten Elektrode des Halbleiterchips gekoppelt ist. Darüber hinaus umfasst die Anordnung einen LED-Dateneingang (105), der mit der Steuereinheit gekoppelt und über den ein Datenkennwert (D) bereitstellbar ist, der repräsentativ ist für einen Strom zum Betreiben des Halbleiterchips. Weiterhin umfasst die Anordnung einen Zykluseingang (106), der mit der Steuereinheit gekoppelt und über den ein bezüglich der Anordnung externes Referenzzyklussignal (R) bereitstellbar ist, das repräsentativ ist für eine Betriebsphase der Anordnung. Die Steuereinheit umfasst einen Speicher (110), der eine Speicherkapazität > 3 bit aufweist und eingerichtet ist, den Datenkennwert abhängig von dem Referenzzyklussignal als Speicherwert (S) aufzunehmen. Die Steuereinheit ist eingerichtet, den Strom zum Betreiben des Halbleiterchips abhängig von dem Speicherwert einzustellen.

公开(公告)号：WO2018149723A1

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：PCT/EP2018/053149

申请日：2018-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARTIN, Alexander ,  SCHWARZ, Thomas ,  GROETSCH, Stefan ,  HILLER, Uli ,  ZITZLSPERGER, Michael

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0824 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/64 ,  H05B33/0827 ,  H05B33/083 ,  H05B33/0845 ,  H05B33/0857

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Die Erfindung schlägt vor, dass eine optimierte Anzahl an miteinander verschalteten LED-Chips von einer elektrischen Versorgungsspannung, beispielsweise einer elektrischen Bordspannung eines Kraftfahrzeugs versorgt werden, wobei eine Ansteuerungseinrichtung für die miteinander definiert ver- schaltbaren LED-Chips ausgelegt ist, abhängig vom Spannungspegel der Versorgungsspannung die LED-Chips miteinander derart zu verschalten, dass eine Spannungsdifferenz zwischen der elektrischen Versorgungsspannung und einem Spannungsabfall an den definiert miteinander verschalteten LED-Chips minimiert ist. Im Ergebnis wird dadurch vorteilhaft eine Verlustleistung der Ansteuerungseinrichtung minimiert.