公开(公告)号：CN103723675A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310484562.3

申请日：2013-10-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F.霍伊克 ,  C.舍林 ,  M.哈塔斯 ,  B.施密特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01C19/5769

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械部件的制造方法，所述制造方法具有下述步骤：在硅层（10）的现有的（110）-表面定向的情况下，通过在所述硅层（10）的正面（12）上至少实施与晶体定向相关的蚀刻步骤从至少一个单晶的硅层（10）至少部分地结构化出至少一个结构（42、46），其中在硅层（10）的现有的（110）-表面定向的情况下，在所述硅层（10）的正面（12）上额外地实施至少一个与晶体定向无关的蚀刻步骤以用于至少部分地结构化出至少一个结构（42、46）。此外，本发明还涉及一种微机械部件。

公开(公告)号：CN103328688A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280006276.X

申请日：2012-01-24

Applicant: 梅姆斯塔有限公司

Inventor： 安东尼·奥哈拉

IPC: C23F1/44 ,  B81C1/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/31116

Abstract: 通过蚀刻剂气体即氟化氢（HF）蒸汽的使用，以对MEMS内的其它部分且尤其是氮化硅（Si3N4）部分的较高选择性，在微结构比如微机电结构（MEMS）中进行牺牲二氧化硅（SiO2）部分的蚀刻。这是通过适合用于增加HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率的第二非蚀刻剂气体的添加来实现的。第二非蚀刻剂气体可以包括氢化合物气体。HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率还可以通过将蚀刻操作温度设定到20℃或以下来增加。

公开(公告)号：CN102164845A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138472.0

申请日：2009-09-24

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 弗莱迪·罗兹博 ,  马特吉·戈森斯 ,  威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林 ,  耐恩克·维尔哈德

IPC: B81B1/00 ,  B81C99/00 ,  H01L29/41 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L29/41 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/06 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件，包括第一表面和设置在第一表面上的相邻的第一和第二电子元件，其中所述第一和第二元件的每一个均从第一表面沿第一方向延伸，所述第一元件具有实质上与第一方向垂直的截面以及至少部分地沿第一方向延伸的侧壁表面，其中所述侧壁表面包括第一部分以及沿与第一方向实质上平行延伸的线与第一部分相邻接的第二部分，其中所述第一和第二部分彼此成角度放置以提供一个内角，以及其中在所述内角处的所述侧壁表面至少部分地设置成与第二元件的相对部分相距恒定的距离R，用于在所述内角处提供机械加强结构。

公开(公告)号：CN101036218A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580033918.5

申请日：2005-10-04

Applicant: 西尔弗布鲁克研究有限公司

Inventor： 达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹 ,  卡·西尔弗布鲁克

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B41J2/1412 ,  B41J2/1601 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/164 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132

Abstract: 提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。

公开(公告)号：CN1679140A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820692.7

申请日：2003-05-30

Applicant: 硅光机器公司

Inventor： J·A·亨特

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/14 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84

CPC classification number: G02B26/0833 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  G02B26/0841

Abstract: 在一种实施方案中，微型器件是通过在金属电极上沉积牺牲层(步骤304)，在牺牲层上成形可动结构(步骤306)，然后用稀有气体氟化物腐蚀牺牲层(步骤308)而制成的。由于金属电极由金属材料构成，它同时又在对牺牲层的腐蚀中起防腐的作用，因此在金属电极中不会累积显著数量电荷。这有助于稳定可动结构的驱动特性。在一种实施方案中，可动结构是光调制器中的带状物。

公开(公告)号：CN1675749A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03819251.9

申请日：2003-08-14

Applicant: 珀金埃尔默光电子两合公司

Inventor： M·豪斯纳

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081

Abstract: 本发明涉及一种用于从衬底表面选择性去除材料以形成凹穴的方法，其包括下列步骤：按所需选择性去除的要求将掩模施加到衬底表面，对衬底进行干蚀刻，其中应用金属，优选铝作为掩模材料。可将能量感应耦合进等离子体中。

公开(公告)号：CN106276772B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201610465132.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： A·甘德尔曼 ,  A·皮恩

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198 ,  G04B13/02 ,  G04B13/026 ,  G04B13/027 ,  G04D99/00

Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。

公开(公告)号：CN107076763B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201580060722.9

申请日：2015-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·T·史密斯 ,  R·L·布鲁斯 ,  Y·A·阿斯迪尔 ,  王超 ,  B·H·万施

IPC: G01N33/68

CPC classification number: G01N15/10 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502753 ,  B01L2200/0652 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0809 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2300/12 ,  B01L2400/086 ,  B03B5/48 ,  B81B1/006 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0132 ,  B82B3/0014 ,  G01N2015/0065 ,  G01N2015/1006 ,  G01N2015/1081 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/2037

Abstract: 提供了涉及分选实体技术。入口被配置为接收流体，以及出口被配置为排出流体。连接到入口和出口的纳米柱阵列被配置为允许流体从入口流到出口。纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱。纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙。间隙被构造为在纳米尺度范围中。

公开(公告)号：CN108124226A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710501986.4

申请日：2017-06-27

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·佩尔勒蒂 ,  S·洛萨 ,  L·滕托里 ,  M·C·图里

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R7/18 ,  B81B3/0054 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0132 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本公开涉及具有改进灵敏度的集成电声MEMS换能器及其制造工艺。例如，一种电声MEMS换能器，该电声MEMS换能器具有：半导体材料的衬底(23)；在该衬底中的贯通空腔(24)；背板(25)，该背板由该衬底通过板锚定结构(26)承载，该背板具有面向该贯通空腔的表面(25A)；固定电极(33)，该固定电极在该背板的该表面之上延伸；采用导电材料的薄膜(22)，该薄膜具有面向该固定电极的中心部分(22A)以及通过薄膜锚定结构(26)固定到该背板(25)的该表面(25A)上的外围部分(22B)；以及在该薄膜(22)与该背板(25)之间的腔室(28)，该腔室由该薄膜锚定结构外围地界定。

公开(公告)号：CN103663357B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201210346875.8

申请日：2012-09-18

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 苏佳乐

IPC: B81C1/00 ,  C23F1/12 ,  C23F1/02

CPC classification number: B81C1/00396 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00412 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/3086

Abstract: 本发明公开一种硅的刻蚀方法，用以在硅衬底上刻蚀不同宽度尺寸的硅槽，包括：S1、提供硅衬底；S2、在硅衬底上沉积掩膜层；S3、对掩膜层进行腐蚀，形成不同宽度尺寸的窗口，其中至少在非最小宽度尺寸窗口的底部，预留一定厚度的掩膜层，以满足S4步骤后，所有硅槽的深度相同；S4、对位于窗口底部的掩膜层和硅衬底进行腐蚀，形成硅槽。本发明通过在非最小宽度尺寸窗口的底部，预留一定厚度的掩膜层，让该一定厚度的掩膜层先保护住较大的窗口，让小的窗口先刻，以实现最终获得的硅槽的深度相同。