公开(公告)号：CN108930015A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810723839.6

申请日：2016-12-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 挂野崇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种氧化铟-氧化锌类(IZO)溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其为包含In、Zn、O的溅射靶，其特征在于，Zn和In的原子比满足0.05≤Zn/(In+Zn)≤0.30，并且该靶的溅射面内的体电阻率的标准偏差为1.0mΩ·cm以下。本发明提供一种烧结体的翘曲小、并且抑制了由用于减小翘曲的磨削造成的体电阻率的面内偏差的氧化铟-氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶的制造方法。

公开(公告)号：CN108779554A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780015348.X

申请日：2017-03-07

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 村田周平

IPC: C23C14/34

Abstract: 一种溅射靶，其溅射面具有平坦部和锥形部，其特征在于，上述锥形部具有以KAM值计平均0.5°以上的晶体应变。能够降低点燃(等离子体点火)的点火失败率，能够稳定地开始溅射过程。由此，能够缩短装置的停机时间，因此，能够有助于提高生产能力、改善性价比。

公开(公告)号：CN106133185B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201580016385.3

申请日：2015-03-12

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 大桥一允 ,  小田国博

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F9/08 ,  C22C19/03 ,  G11B5/851

Abstract: 一种Ni‑P合金溅射靶的制造方法，其特征在于，将P含量为15重量％～21重量％、剩余部分包含Ni和不可避免的杂质的Ni‑P合金熔化，并进行雾化加工，从而制造平均粒径100μm以下的Ni‑P合金雾化加工粉，然后将纯Ni雾化粉与该Ni‑P合金雾化加工粉混合，并对其进行热压。本发明的课题在于提供一种与目标组成的偏离小的Ni‑P合金溅射靶的制造方法。

公开(公告)号：CN108220892A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711189275.4

申请日：2015-08-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 高村博 ,  铃木了

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明涉及溅射靶‑背衬板接合体。一种溅射靶‑背衬板接合体，其为使用焊接材料将溅射靶和背衬板接合而得到的溅射靶‑背衬板接合体，其特征在于，将溅射靶和背衬板之间的焊接材料的外周用熔点为600～3500℃且轴向截面形状为圆形、椭圆形或矩形的线状材料覆盖。本发明提供有效地抑制在使用焊接材料接合溅射靶和背衬板的情况下的由焊接材料在溅射靶和背衬板之间露出引起的电弧放电产生、粉粒产生的技术。

公开(公告)号：CN105917021B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580004783.3

申请日：2015-02-20

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小井土由将

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C22C32/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/08

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/044 ,  B22F2009/0848 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种Sb‑Te基合金烧结体溅射靶，其为Sb含量为10～60原子％、Te含量为20～60原子％、剩余部分包含选自Ag、In、Ge中的一种以上元素和不可避免的杂质的溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为0.5μm以下。本发明的目的在于，实现Sb‑Te基合金烧结体溅射靶组织的改善，防止溅射时电弧放电的发生，并且使溅射膜的热稳定性提高。

公开(公告)号：CN107709270A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038373.5

申请日：2016-11-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 挂野崇 ,  角田浩二

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14

Abstract: 一种氧化物烧结体，其为实质上包含铟、锡、镁和氧，以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5％～15％的比例含有锡，以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1％～2.0％的比例含有镁，剩余部分包含铟和氧的烧结体，其特征在于，所述烧结体的表面粗糙度Ra为0.3μm～0.5μm时的挠曲强度为140MPa以上。本发明的课题在于提供可以减少成膜时靶破裂、粉粒产生，并且可以形成非晶稳定性、耐久性优良的薄膜的溅射靶用氧化物烧结体。

公开(公告)号：CN107614741A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680023954.1

申请日：2016-10-11

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 挂野崇 ,  山口洋平 ,  远藤瑶辅

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01

Abstract: 一种IZO烧结体溅射靶，其为氧化铟-氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶，其特征在于，构成靶的氧化物为In2O3和ZnkIn2Ok+3(k＝3、4、5)复合氧化物，靶的相对密度为98.4％以上。本发明的课题在于，实现IZO烧结体的高密度化，并减少残留在晶粒间的微小的孔(微孔)，由此提高成膜的品质。

公开(公告)号：CN107429319A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019481.8

申请日：2016-03-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 河村寿文

IPC: C22B34/36 ,  C22B7/00

Abstract: 本发明提供一种从含有包含钨的有用物质的原料混合物高效地制造钨的方法。本发明的钨的制造方法的特征在于包括：通过使用有机系电解液对含有包含钨的有用物质的原料混合物进行电解而使钨溶解于电解液的工序；和通过将溶解有钨的电解液在小于800℃的温度进行烧成而获得钨的工序。

公开(公告)号：CN107409482A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580078485.9

申请日：2015-06-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  佐藤贤次

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C8/10

Abstract: 本发明提供电磁波屏蔽特性、轻量特性和成形加工性优异的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，其是具有使至少3片金属箔夹着绝缘层层叠而得的结构的电磁波屏蔽材料，构成该电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合满足σM×dM×dR≥3×10-3。其中，式中的符号表示如下。σM：金属箔的20℃下的导电率(S/m)、dM：金属箔的厚度(m)、dR：绝缘层的厚度(m)。

公开(公告)号：CN107012435A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610857413.0

申请日：2016-09-27

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜。一种含有ZnS和氧化物的烧结体或膜，其特征在于，所述烧结体含有40摩尔％～70摩尔％的ZnS，烧结体中的所述氧化物至少包含包含Zn、Ga、O的复合氧化物，所述烧结体或膜的组成满足关系式：4原子％≤Ga/(Ga+Zn‑S)≤18原子％。本发明的课题在于提供一种体电阻值低且能够进行稳定的DC溅射的溅射靶。另外，本发明的课题在于提供一种在光学特性、耐高温高湿性方面具有极其优异的特性的薄膜作为各种显示器中的透明导电膜、光盘的保护膜、光学调节用膜。