公开(公告)号：KR101873626B1

公开(公告)日：2018-07-02

申请号：KR1020157030558

申请日：2014-01-07

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 킬리안아른트 ,  베그리히트옌스 ,  라우탄도니

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H05K3/24

CPC classification number: C23C18/1831 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/36 ,  C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H05K1/09 ,  H05K3/182 ,  H05K3/24

Abstract: 본발명은무전해 (자가촉매) 도금에의해금속또는금속합금층을위에성막하기위한구리또는구리합금표면을활성화시키는방법에관한것으로서, 원하지않는보이드들의형성을억제한다. 구리또는구리합금표면은팔라듐이온들, 적어도 1 종의인산염화합물및 할로겐화물이온들과접촉한후에팔라듐과같은금속또는 Ni-P 합금과같은금속합금의무전해 (자가촉매) 성막이뒤따른다.

公开(公告)号：KR101800060B1

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：KR1020137018387

申请日：2012-01-03

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 바르츠이리스 ,  킬리안아른트 ,  무스쿨루스마르쿠스 ,  샤프슈텔러브리타

IPC: C23C18/54 ,  C23C18/52

CPC classification number: C25D3/30 ,  C23C18/52 ,  C23C18/54 ,  C25D3/60

Abstract: 본발명은적어도하나의방향족술폰산, 적어도하나의제 1 침전첨가제및 적어도하나의제 2 침전첨가제를포함하는침지주석도금욕에관한것이다. 적어도하나의제 1 침전첨가제는 62 g/mol ~ 600 g/mol 의평균분자량을갖는지방족폴리-알코올화합물, 이들의에테르또는이들의유도된폴리머이다. 적어도하나의제 2 침전첨가제는 750 ~ 10,000 g/mol 의평균분자량을갖는폴리알킬렌글리콜화합물이다.

Abstract translation: 本发明涉及包含至少一种芳族磺酸，至少一种第一沉淀添加剂和至少一种第二沉淀添加剂的浸锡电镀液。 所述至少一种第一沉淀添加剂是平均分子量为62g / mol至600g / mol的脂族多元醇化合物，其醚或其诱导聚合物。 该至少一种第二沉淀添加剂是平均分子量为750-10,000g / mol的聚亚烷基二醇化合物。

公开(公告)号：KR1020170093870A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020177017899

申请日：2015-12-04

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 브루너하이코 ,  콜만라르스 ,  카라자힌젠귈 ,  담마쉬마티아스 ,  파페지몬 ,  룩스잔드라

IPC: C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/40 ,  C23C18/50 ,  C23C18/16

CPC classification number: C23C18/50 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/40 ,  C23C18/405 ,  C23C18/48 ,  C23C18/1641

Abstract: 본발명은무전해금속및 금속합금도금조들에채용될수 있는첨가제들및 상기도금조들의사용방법에관한것이다. 이러한첨가제는도금속도를감소시키고무전해도금조의안정성을증가시키므로, 이러한무전해도금조는인쇄회로기판, IC 기판및 반도체기판의트렌치및 비아와같은리세스구조로의상기금속또는금속합금의데포지션에특히적합하다. 무전해도금조는디스플레이용도의금속화에더욱유용하다.

Abstract translation: 本发明涉及可用于无电镀金属和金属合金镀浴中的添加剂以及使用这些镀层的方法。 这种添加剂降低了电镀速率并增加了无电镀浴的稳定性，从而可以使用无电电镀将金属或金属合金沉积到凹陷结构如印刷电路板中， 是特别合适的。 无电镀铜对于显示用途的金属化更有用。

公开(公告)号：KR1020170093846A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020177015897

申请日：2015-12-17

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 발터안드레아스 ,  무스쿨루스카타리나

IPC: C23C18/44 ,  C23C18/16

CPC classification number: C23C18/44 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1617

Abstract: 본발명은기판상에무전해도금에의해팔라듐층을데포짓하기위한수계도금배쓰조성물및 방법에관한것이다. 본발명에따른수계도금배쓰조성물은팔라듐이온의공급원, 팔라듐이온에대한환원제및 방향족화합물을포함한다. 수계도금배쓰조성물은배쓰안정성을유지하면서팔라듐에대한증가된데포지션속도를갖는다. 수계도금배쓰조성물은또한연장된수명을갖는다. 본발명의방향족화합물은배쓰수명에걸쳐데포지션속도를일정한범위로조절하는것, 및팔라듐층을저온에서무전해데포지션하는것을허용한다. 본발명의방향족화합물은낮은데포지션속도를갖는무전해팔라듐도금배쓰를활성화시키고오래된무전해팔라듐도금배쓰를재활성화시킨다.

Abstract translation: 本发明涉及用于通过无电镀在衬底上沉积钯层的水性镀液组合物和方法。 根据本发明的水基电镀液组合物包含钯离子源，钯离子还原剂和芳族化合物。 含水镀浴组合物在维持镀液稳定性的同时具有提高的钯沉积速率。 该水基电镀浴组合物还具有延长的使用寿命。 本发明的芳族化合物允许在浴的寿命期间将沉积速率调节到恒定范围并且在低温下无电沉积钯层。 本发明的芳族化合物激活具有低速度的无电镀钯浴并重新激活旧的无电镀钯浴。

公开(公告)号：KR101763756B1

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：KR1020127009020

申请日：2010-09-03

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 브루나하이코 ,  콜맨라즈 ,  하빅엘렌 ,  딘월스비요른 ,  베드루닉루카스

IPC: C08G71/02 ,  C08L75/02 ,  C25D3/56 ,  C25D3/22

CPC classification number: C25D3/565 ,  C08G71/02 ,  C25D3/22

Abstract: 아연또는아연합금층의증착을위한전해질조의첨가제에대하여기술하였다. 상기첨가제는말단아미노기를갖는중합체이다. 이들중합체는적어도하나의디아미노화합물(두개의 3기아미노기를갖는)과적어도하나의디(유사)할로겐(di(pesedo)halogen) 화합물의반응에의해얻을수 있고, 상기디아미노화합물은화학량적으로과량을사용한다. 특히, 상기첨가제는아연또는아연합금층의증착에서기포의형성이매우작고적은발열뿐만아니라층 두께의균일한분포에효과적이다.

公开(公告)号：KR101727358B1

公开(公告)日：2017-04-14

申请号：KR1020137019246

申请日：2012-01-11

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 킬리안아른트 ,  베그리히트옌스 ,  히르제코른이자벨-로다

IPC: C23C18/31 ,  C23C18/52 ,  C23C22/05

CPC classification number: C09D1/00 ,  C23C18/31 ,  C23C18/52

Abstract: Sn이온들, 환원제로서 Ti이온들, 무기착화제및 페난트롤린또는이의유도체를함유하는자가촉매주석도금욕이개시된다. 이도금욕은인쇄회로판, IC 기판, 및반도체웨이퍼의금속배선 (metallization) 의제조에적합하다.

Abstract translation: 公开了包含Sn离子，Ti离子作为还原剂，无机络合剂和菲咯啉或其衍生物的自催化镀锡浴。 这适用于制造印刷电路板，IC基板和半导体晶圆的金属化。

公开(公告)号：KR101726470B1

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：KR1020127030938

申请日：2010-05-26

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 호프만우도 ,  크렌첼폴커

IPC: C23C22/36 ,  C23C22/73 ,  C23C22/05 ,  C25D5/36 ,  C25D11/38 ,  C09D5/08

CPC classification number: C09D5/08 ,  C23C22/362 ,  C23C22/73 ,  C23C2222/10 ,  C25D5/36 ,  C25D11/38

Abstract: 본발명은아연, 마그네슘, 알루미늄또는이들의합금중 하나로이루어지는표면을갖는기판용부식방지코팅을제조하는방법에관한것으로, 처리될표면은크롬 (Ⅲ) 이온을포함하는 2 개의수성처리용액, 처리될기판표면의금속이온및 적어도하나의착화제로직접연속적으로접촉된다. 제 1 처리용액은 1.0 ~ 4.0 의범위의 pH 를가지고, 제 2 처리용액은 3.0 ~ 12.0 의 pH 를가진다. 본발명의방법은중금속으로오염된폐수의보다적은양을생산한다.

公开(公告)号：KR101688262B1

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020137000263

申请日：2011-06-23

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 마테야트카이옌스 ,  람프레히트스펜 ,  에베르트잉고

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  B23K31/02

CPC classification number: B23K31/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 기판상에솔더합금성막을형성하는방법으로서, i) 적어도하나의내부층 콘택트패드를포함하는전기회로를지닌표면을포함하는기판을제공하는단계, ⅱ) 상기기판표면상에배치되고패턴화되어적어도하나의콘택트영역을노출시키는솔더마스크층을형성하는단계, ⅲ) 상기솔더마스크층 및상기적어도하나의콘택트영역을포함하는전체기판영역을상기기판표면상의금속시드층을제공하는데적합한용액과접촉시키는단계, ⅳ) 금속시드층상에구조화된레지시트층을형성하는단계, v) 전도성층 상에주석을함유하는제 1 솔더재료층을전기도금하는단계, ⅵ) 상기제 1 솔더재료층 상에제 2 솔더재료층을전기도금하는단계, ⅶ) 구조화된레지스트층을제거하고, 솔더마스크층 영역으로부터금속시드층을제거하기에충분한금속시드층의양을식각하고기판을리플로우하고그렇게하면서금속시드층, 제 1 솔더재료층 및제 2 솔더재료층으로부터솔더합금성막을형성하는단계를포함하는, 그기판상에솔더합금성막을형성하는방법이개시된다.

Abstract translation: 描述了在衬底上形成焊料合金沉积物的方法，包括以下步骤：i）提供包括表面承载电路的衬底，该衬底包括至少一个内层接触焊盘，ii）形成放置在衬底上的焊料掩模层 衬底表面并图案化以暴露所述至少一个接触区域，iii）使包括焊料掩模层和至少一个接触区域的整个衬底区域与适于在衬底表面上提供金属种子层的溶液接触，iv）形成 金属种子层上的结构化抗蚀剂层，v）将含有锡的第一焊料材料层电镀到导电层上，vi）将第二焊料材料层电镀到第一焊料材料层上，vii）去除结构化抗蚀剂层并蚀刻掉 金属种子层的量足以从焊料掩模层区域除去金属种子层并回流衬底，并且这样形成焊料合金沉积物 从金属种子层，第一焊料层和第二焊料层。

公开(公告)号：KR101689914B1

公开(公告)日：2016-12-26

申请号：KR1020127004693

申请日：2010-08-24

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 아른트킬리안 ,  베그리히트옌스 ,  히르제코른이자벨-로다 ,  슈라이어한스-위르겐

IPC: C23C18/54

CPC classification number: C23C18/54 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38

Abstract: 본발명은인쇄회로기판, IC 기판, 반도체웨이퍼등의제조에서최종마무리로서 1 ㎛이상의두께를갖는주석및 주석합금의무전해 (침적) 도금방법에관한것이다. 본방법은구리접촉패드와무전해도금된주석층 사이에무전해도금된구리희생층을이용하며, 이희생층은주석도금동안완전히용해된다. 본방법은두꺼운주석층의무전해도금동안접촉패드로부터구리의원하지않는손실을보상한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在印刷电路板，IC基板，半导体晶片等的制造中作为最终光洁度的厚度为‰¥1μm的锡和锡合金的无电镀（浸渍）电镀方法。 该方法在铜接触焊盘和化学镀锡层之间利用铜的无电解电镀牺牲层，其在镀锡期间完全溶解。 该方法在厚锡层的无电镀期间补偿了来自接触焊盘的铜的不期望的损失。

公开(公告)号：KR1020160113303A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020167025085

申请日：2015-10-30

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 한롤란트 ,  토마스크리슈티안 ,  뇌쓰너마르틴 ,  오트토마스 ,  로렌츠올라프

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  B65G49/06

CPC classification number: H01L21/6776 ,  C03C17/002 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/38 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  B65G49/064 ,  B65G2201/022 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67709

Abstract: 본발명은, 특히유리기판인대형기판의수평습식화학처리를위한장치의처리모듈에관한것으로서, 본처리모듈은, 하우징커버를갖는하우징; 및대형기판의수평프로세싱을위한복수의운송요소들을갖는운송디바이스를포함하고, 상기처리모듈은, 상기처리모듈의내부에처리액을축적하기위하여, 상기처리모듈의입구에서상기대형기판의운송레벨위에배치된적어도제 1 액체노즐과적어도가스노즐, 및상기처리모듈의출구에서상기대형기판의운송레벨위에배치된적어도다른제 1 액체노즐과적어도다른가스노즐을더 포함하고, 각가스노즐은개별제 1 액체노즐보다더 외부에배치되고, 상기처리모듈은상기대형기판의운송레벨보다아래에서각 제 1 액체노즐아래에배치된적어도액체위어를더 포함하고, 상기처리모듈은상기처리모듈의상기운송디바이스및 액체위어들을조정하기위한적어도조정디바이스를더 포함한다. 또한, 본발명은특히그러한처리모듈을포함하는수평장치에서대형기판을처리하는방법에관한것이다.