-
公开(公告)号：KR1020110097450A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100017297
申请日：2010-02-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01G19/02 , G03F7/0002 , G03F7/168 , H01L21/0274 , H01L29/0669
Abstract: 본 발명은 나노선의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상면에 나노선이 전이된 기판을 준비하여 포토리소그래피, 디벨로프 공정을 거친 후, 아세톤을 이용해 세척함으로써 나노선의 패턴을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법은 나노선을 이용한 소자 어레이 구조를 제작할 때 반도체 소자를 만드는데 사용되는 기존 포토리소그래피 공정을 이용하여 나노선을 선택적으로 제거할 수 있으므로 주변 다른 소자들에 미치는 영향을 최소화 하면서 필요한 부분만 선택적으로 나노선을 남겨 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 기존 기술에 비해 간단하고, 저렴하고, 안전하게 공정을 진행할 수 있다는 효과를 가진다. 또한, 본 발명에 따른 나노선의 패턴 형성방법에 의해 형성된 나노선 패턴 구조는 나노선을 이용한 FET(Field Effect Transistor) 소자나 플렉서블 디스플레이 등에 응용이 가능하며, 다양한 종류의 나노선을 사용한 소자 제작에 응용이 가능하다.
-
公开(公告)号：KR1020100097844A
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020090016698
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor component and a manufacturing method thereof are provided to form the micro-pattern by forming a pattern after depositing a passivation layer consisting of aluminium on the top of the organic semiconductor layer. CONSTITUTION: A pentacene is deposited on the top of a substrate(S100). An electrode layer including a source electrode and a drain electrode is deposited on both sides of the pentacene(S102). The passivation layer is deposited on the top of the pentacene and the electrode layer(S104). A photoresist is coated at the upper part of the passivation layer(S106).
Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管组件及其制造方法，以在有机半导体层的顶部上沉积由铝构成的钝化层之后形成图案以形成微图案。 构成：并五苯沉积在基材的顶部（S100）。 包含源电极和漏电极的电极层沉积在并五苯的两侧（S102）。 钝化层沉积在并五苯和电极层的顶部（S104）。 在钝化层的上部涂覆光致抗蚀剂（S106）。
-
73.发明授权
公开(公告)号：KR100974623B1
公开(公告)日：2010-08-09
申请号：KR1020070136928
申请日：2007-12-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B05D1/18 , B05D1/202 , B05D1/204 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G31/02 , C01P2004/16 , H01M4/485 , Y10S977/89 , Y10S977/892
Abstract: 본 발명은 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, a) 졸-겔 (sol-gel) 방법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 (V
2 O
5 nanowire) 용액을 제조하는 단계; b) 상기 오산화이바나듐 나노선 용액을 물에 희석시키고, 랑뮈에-블라제 트러프 (Langmuir-Blodgett trough)에 투입하는 단계; c) 상기 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액에 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 분산을 용이하게 하기 위한 분산제를 첨가하는 단계; d) 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액을 유기 용매에 희석시킨 다음, 이를 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액 표면 상에 도포하고 방치하는 단계; e) 상기 랑뮈에-블라제 트러프에 장착된 배리어 (barrier)를 사용하여 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면 압력을 조정하는 단계; f) 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 침지 막대 (dipping arm)에 기판을 고정한 다음, 상기 기판을 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과 접촉시키는 단계; 및 g) 상기 기판을 상기 침지 막대로부터 분리하는 단계를 포함하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 졸-겔 합성법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 박막을 제조하는 과정에 있어서, 나노선의 정렬도를 획기적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니 라, 사후 세척 공정을 생략할 수 있어서 공정 단순화를 도모할 수 있으며, 제조된 나노선의 길이를 간편하게 재단할 수 있어서, 이를 이용하여 제조된 소자 특성의 재현성 확보 및 소자 특성 향상을 달성할 수 있다. 또한, 제조된 나노선 소자는 우수한 특성 및 재현성을 구비하므로, 전계 효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor) 및 각종 센서의 제작 등에 광범위하게 활용될 수 있다.
오산화이바나듐 나노선 박막, 나노선 정렬-
公开(公告)号：KR1020090084304A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010389
申请日：2008-01-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , C01G31/02 , C01P2004/16 , G03F7/0002
Abstract: A nanowire thin film, a manufacturing method thereof and an electric component including the same are provided to facilitate the change or arrangement of the orientation and length of a nanowire. A method for fabricating a nanowire thin film comprises: a first step of pre-treating a stamp(100) so that a nanowire dispersing solution is coated on the stamp; a second step of coating the nanowire dispersing solution on the stamp having a concave part(110) and convex part(120); a third step of blowing a gas into the nanowire dispersing solution in order to arrange the nanowire(140); and a fourth step of contacting the stamp to a substrate so as to print the nanowire arranged on the convex part of the stamp on the substrate. The nanowire dispersing solution is obtained by a sol-gel synthesis method.
Abstract translation: 提供了纳米线薄膜，其制造方法和包括该纳米线薄膜的电气部件，以便于纳米线的取向和长度的改变或布置。 一种制造纳米线薄膜的方法包括：对印模（100）进行预处理以使纳米线分散溶液涂覆在印模上的第一步骤; 将纳米线分散溶液涂布在具有凹部（110）和凸部（120）的印模上的第二工序; 将纳米线分散溶液吹入纳米线（140）的第三步骤; 以及将印模与基板接触以便印刷布置在印模的凸起部分上的纳米线的第四步骤。 纳米线分散溶液通过溶胶 - 凝胶合成法获得。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090081532A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020080007445
申请日：2008-01-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B82B3/0014 , B22F1/0018 , B22F2301/255 , B82B3/0038
Abstract: A method for fabricating a nano-cylindrical template and a nanoparticle array is provided to uniformly form nano-patterns. A method for fabricating a nano-cylindrical template and a nanoparticle array comprises: a first step of spin coating styrene-methacryl acid methyl block copolymer and a PEO coated gold nanoparticle solution on a substrate; a second step of annealing the substrate in a solvent under predetermined humidity condition in order to vertically arrange nano-cylindrical PMMA domain on the substrate; and a third step of selectively removing the vertically arranged PMMA domain so as to form a nanoporous template.
Abstract translation: 提供了制造纳米圆柱模板和纳米颗粒阵列的方法以均匀地形成纳米图案。 制造纳米圆柱模板和纳米颗粒阵列的方法包括：在基底上旋涂苯乙烯 - 甲基丙烯酸甲基嵌段共聚物和PEO涂覆的金纳米颗粒溶液的第一步骤; 第二步是在预定湿度条件下在溶剂中退火衬底，以便在衬底上垂直布置纳米圆柱形PMMA结构域; 以及第三步骤，选择性地除去垂直排列的PMMA结构域以形成纳米多孔模板。
-
公开(公告)号：KR1020090076291A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002156
申请日：2008-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y40/00
Abstract: A substrate coating method using the high polymer stamp is provided, which performs the role of the improved barrier by uniformly forming the passivation layer. The silicon master having the first pattern is provided(S100). A high polymer stamp having the first pattern and second pattern is formed(S102). The polymer film dissolved in the chloroform transfers in the second pattern region of the high polymer stamp(S104). The polymer film of the high polymer stamp transfers in the top of the substrate(S106). The thermal process is performed according to use after removing the high polymer stamp from substrate(S108). The PMMA film is removed by using the acetone and supersonic vibration(S110).
Abstract translation: 提供了使用高聚合物印模的基板涂布方法，其通过均匀地形成钝化层来发挥改进的屏障的作用。 提供具有第一图案的硅母版（S100）。 形成具有第一图案和第二图案的高聚合物印模（S102）。 溶解在氯仿中的聚合物膜在高分子印模的第二图案区域中转印（S104）。 高分子印模的聚合物膜在基材的顶部转印（S106）。 在从基板除去高聚合物印模之后，根据使用进行热处理（S108）。 通过使用丙酮和超音速振动来除去PMMA膜（S110）。
-
77.发明公开
公开(公告)号：KR1020090069082A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136928
申请日：2007-12-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B05D1/18 , B05D1/202 , B05D1/204 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G31/02 , C01P2004/16 , H01M4/485 , Y10S977/89 , Y10S977/892
Abstract: A method for manufacturing a divanadium pentaoxide nano wire thin film with improved alignment is provided to conveniently cut manufactured nano wires in order to secure reproducibility and characteristic of devices. A method for manufacturing a divanadium pentaoxide nano wire thin film comprises the following steps of: preparing a divanadium pentaoxide nano wire(V2O5 nano-wire) solution; diluting the solution in water and inputting the diluted solution into the Langmuir-Blodgett trough; adding a dispersing agent to the diluted solution; diluting a halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution in an organic solvent and coating the diluted halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution on the surface of the diluted solution prepared in previous step; adjusting the interface pressure of the halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution by using a barrier in the Langmuir-Blodgett trough; fixing a substrate on a dipping rod of the Langmuir-Blodgett trough and contacting the substrate with the interface of the halogenated dioctadecyl dimethylammonium solution; and separating the substrate from the dipping rod.
Abstract translation: 提供了一种制造具有改进的取向的五氧化二钒纳米线薄膜的方法，以方便地切割制造的纳米线，以确保器件的再现性和特性。 制备五氧化二钒纳米线薄膜的方法包括以下步骤：制备五氧化二钒纳米线（V2O5纳米线）溶液; 稀释溶液并将稀释液输入Langmuir-Blodgett槽中; 向稀释溶液中加入分散剂; 在有机溶剂中稀释卤代双十八烷基二甲基铵溶液，并将稀释的卤代二十八烷基二甲基铵溶液涂覆在前一步骤制备的稀释溶液的表面上; 通过在Langmuir-Blodgett槽中使用屏障来调节卤代二十八烷基二甲基铵溶液的界面压力; 将基底固定在Langmuir-Blodgett槽的浸渍杆上，并使基底与卤代二十八烷基二甲基铵溶液的界面接触; 并将基底与浸渍棒分离。
-
78.发明公开알루미늄 양극 산화막 템플레이트를 이용한 Ｔｉ０２광촉매의 제조방법 및 상기 방법에 의해서 제조된 Ｔｉ０２광촉매 失效使用阳极氧化铝模板制备TIO2光催化剂的方法和通过该方法制备的TIO2光催化剂
公开(公告)号：KR1020080058104A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020060132224
申请日：2006-12-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B01J37/348 , B01J21/063 , B01J35/004 , B01J35/1061 , B01J35/1066
Abstract: A method for preparing a TiO2 photocatalyst is provided to secure a catalyst support by an aluminum anodized film, increase surface area of the catalyst using nano-sized pores on a surface of the aluminum anodized film, and prepare the catalyst without surface defects by performing the heat treatment process of a TiO2 thin film, and a TiO2 photocatalyst prepared by the method is provided. A method for preparing a TiO2 photocatalyst comprises the steps of: electropolishing a thin aluminum sheet in an electrolyte; performing a first anodizing process in an acid solution relative to the electropolished thin aluminum sheet; performing an etching process relative to the first anodized thin aluminum sheet; performing a second anodizing process relative to the etched thin aluminum sheet; and depositing a thin TiO2 film onto a surface of the second anodized thin aluminum sheet. The electrolyte is a solution prepared by mixing ethanol with perchloric acid at a volume ratio of 3:1 to 5:1. The acid solution is an oxalic acid solution, a phosphoric acid solution, a sulfuric acid solution, a chromic acid solution, or mixed solutions thereof. The first and second anodizing processes are performed at a voltage of 30 to 50 V, an electric current of 0.001 to 0.009 A, and a temperature of 5 to 10 deg.C for 15 to 25 hours in the acid solution with a concentration of 0.1 to 1.0M. The etching process is performed at a temperature of 50 to 70 deg.C for 25 to 50 hours in a solution in which phosphoric acid is mixed with chromic acid at a weight ratio of 1:2 to 1:4. Further, the step of depositing a thin TiO2 film is performed by atomic layer deposition.
Abstract translation: 提供了制备TiO 2光催化剂的方法以通过铝阳极氧化膜固定催化剂载体，使用在铝阳极氧化膜的表面上的纳米尺寸的孔增加催化剂的表面积，并通过进行 提供了一种TiO 2薄膜的热处理工艺和通过该方法制备的TiO 2光催化剂。 制备TiO 2光催化剂的方法包括以下步骤：在电解质中电解抛光薄铝板; 在相对于电抛光薄铝片的酸溶液中进行第一阳极氧化处理; 执行相对于第一阳极氧化薄铝片的蚀刻工艺; 执行相对于蚀刻的薄铝片的第二阳极氧化处理; 以及在所述第二阳极氧化薄铝片的表面上沉积薄的TiO 2膜。 电解质是通过以3:1至5:1的体积比混合乙醇与高氯酸制备的溶液。 酸溶液是草酸溶液，磷酸溶液，硫酸溶液，铬酸溶液或其混合溶液。 第一和第二阳极氧化处理在浓度为0.1的酸性溶液中以30至50V的电压，0.001至0.009A的电流和5至10℃的温度进行15至25小时 至1.0M。 在磷酸与铬酸以1:2〜1:4的重量比混合的溶液中，在50〜70℃的温度下进行25〜50小时的蚀刻。 此外，通过原子层沉积来进行沉积薄TiO 2膜的步骤。
-
公开(公告)号：KR100839222B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060130473
申请日：2006-12-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/203
Abstract: A pulsed laser deposition apparatus and a method for forming magnetic nano dot arrays using the same are provided to freely change a magnetic property of a composite metal nano dot array by using a single target. A pulsed laser deposition apparatus includes a substrate(190), a target(180), a target holder(160), a vacuum chamber(150), and an optical source(110). The substrate is a block copolymer template, on which a nano dot array pattern is formed. The target contains a material for a film to be formed on the substrate. The target holder mounts the target. The vacuum chamber receives the substrate, the target, and the target holder therein. The optical source emits a laser beam for vaporizing the material of the target. Plural metal layers with different kinds are formed on the same surface of the target.
Abstract translation: 提供脉冲激光沉积装置和使用其形成磁性纳米点阵列的方法，以通过使用单个目标自由地改变复合金属纳米点阵列的磁性能。 脉冲激光沉积装置包括基板（190），靶（180），靶保持器（160），真空室（150）和光源（110）。 基材是嵌段共聚物模板，其上形成纳米点阵列图案。 靶包含用于在基板上形成的膜的材料。 目标持有人安装目标。 真空室在其中接收基板，目标和目标支架。 光源发射用于蒸发靶材料的激光束。 在目标的相同表面上形成具有不同种类的多个金属层。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
79
records
(took 0.029 seconds)
