公开(公告)号：KR1020060030119A

公开(公告)日：2006-04-07

申请号：KR1020067001393

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: Substrate processing equipment (1) is provided with a treatment tank (3) for treating a substrate with a treatment liquid, a dry process part (6) arranged at an upper part of the treatment tank (3), and a transfer mechanism (8) for transferring the substrate (W) between the treatment tank (3) and the dry process part (6). A process gas supplying line (21) for supplying a process gas and inert gas supplying lines (24, 25) for supplying the dry process part (6) with an inert gas are connected to the dry process part (6). A first exhaust line (26) for exhausting an atmosphere pushed out from the dry process part (6) and a second exhaust line (27) for forcibly exhausting the dry process part (6) are connected to the dry process part (6).

Abstract translation: 基板处理设备（1）设置有用处理液处理基板的处理槽（3），设置在处理槽（3）的上部的干法处理部（6）和传送机构（8） ），用于将处理槽（3）和干法处理部（6）之间的基板（W）传送。 用于供给处理气体的工艺气体供给管线（21）和用于向干法处理部件（6）供给惰性气体的惰性气体供给管线（24,25）连接到干法部件（6）。 用于排出从干燥处理部分（6）推出的气氛的第一排气管线（26）和用于强制排出干燥处理部分（6）的第二排出管线（27）连接到干燥处理部分（6）。

公开(公告)号：KR100516792B1

公开(公告)日：2005-09-26

申请号：KR1020000022443

申请日：2000-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고하마교지 ,  심보에이지 ,  가미카와유지 ,  도시마다카유키 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  B08B3/02 ,  B08B3/102 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: 이 처리장치는, 반도체웨이퍼(W)를 유지하는 회전가능한 회전자(21)와, 회전자(21)를 회전구동하는 모터(22)와, 회전자(21)에 유지된 반도체웨이퍼(W)를 포위가능한 복수의 처리실, 예컨대 내측챔버(23) 및 외측챔버(24)와, 반도체웨이퍼(W)에 대하여 처리유체를 공급하는 처리유체공급수단으로서의 약물공급수단(50), IPA 공급수단(60), 린스액공급수단(70) 및 건조유체공급수단(80)으로 주요부를 구성하고, 다른 종류의 처리유체의 반응에 의한 피처리체의 오염방지, 처리효율의 향상, 장치의 소형화를 도모한다.

公开(公告)号：KR1020010098745A

公开(公告)日：2001-11-08

申请号：KR1020010021116

申请日：2001-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이이노다다시

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 사전의 사고방지를 도모하여, 장치의 순간 정지나 처리물질의 누설에 대하여 안전을 도모할 수 있는 기판 처리장치 및 기판 처리방법을 제공한다.
처리용기(2)내에 수납된 웨이퍼(W)에 오존가스(5)를 공급하는 한편, 처리용기(2)의 내부 분위기를 배기하여 오존 킬러(10)에 통하면서 웨이퍼(W)를 처리하는 방법에 있어서, 처리용기(2)내가 밀폐되고, 또한 오존 킬러(10)가 정상인 것을 조건으로, 오존가스(5)를 공급한다. 처리가 중단된 경우, 처리용기(2)의 내부 분위기를 강제적으로 배기하고, 가스누설이 일어난 경우, 처리용기(2)의 내부·주위 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 오존가스(5)의 공급을 정지한다.

公开(公告)号：KR1019970067586A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010284

申请日：1997-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  박재훈 ,  간자와게이코 ,  가타노다카유키 ,  도시마다카유키 ,  가카즈유지

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
고집적화 회로패턴을 가지는 반도체 디바이스의 제품수율을 향상시키고, 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 프로세스영역 및 비프로세스영역을 가지는 레지스트 처리시스템내에서 기판을 레지스트처리하는 방법으로, 외부로부터 비프로세스영역내에서 기판을 반입하는 공정과, 기판에 레지스트를 도포하는 공정과, 도포레지스트를 노광처리하는 공정과, 노광된 포토레지스트를 현상처리하는 공정과, 레지스트 도포공정으로부터 현상처리공정까지의 사이에 적어도 1회는 도포레지스트를 열처리하는 공정과, 기판반입공정으로부터 현상처리 공정까지의 사이에 적어도 1회는, 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중에 있어서 레지스트의 해상불량의 원인이 되는 알칼리성분의 농도를 검출하는 공정과, 레지스트의 해상불량을 일으키는 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중의 알칼리성분농도의 문턱치를 설정하는 공정과, 알칼리성분농도의 검출치 문턱치에 의거하여 상기 처리공정 중 적어도 하나의 처리분위기를 제어하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼와 같은 기판에 포토 레지스트를 도포, 노광하고, 현상하는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 사용됨.