公开(公告)号：KR101709959B1

公开(公告)日：2017-02-27

申请号：KR1020100114476

申请日：2010-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임윤혁 ,  김종연 ,  조태제 ,  강운병

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13075 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 범프구조물은제1 범프및 제2 범프를포함한다. 상기제1 범프는기판의접속패드상에배치되며, 상기접속패드로부터연장하는다수개의나노-와이어들및 상기나노-와이어들의일단부들을연결시키는몸체부를갖는다. 상기제2 범프는상기제1 범프의상기몸체부상에배치된다.

Abstract translation: 提供一种凸块结构，包括第一凸块和第二凸块，包括该凸块的半导体封装及其制造方法。 凸块结构包括：设置在基板的连接焊盘上的第一凸块，所述第一凸块包括从所述连接焊盘延伸的多个纳米线和连接所述多个纳米线的端部的主体; 以及设置在第一凸块的主体上的第二凸块。

公开(公告)号：KR1020170019836A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020150114234

申请日：2015-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심종보 ,  백승덕 ,  조차제 ,  조태제

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/28 ,  H01L23/488 ,  H01L23/053

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체패키지는패키지기판, 반도체칩 및몰딩부재를포함할수 있다. 상기패키지기판의측면에돌출부가형성될수 있다. 상기반도체칩은상기패키지기판의상부면에배치되어, 상기패키지기판과전기적으로연결될수 있다. 상기몰딩부재는상기패키지기판의상부면, 측면및 상기돌출부의상부면에형성될수 있다. 따라서, 패키지기판의측면이전기적, 물리적및/또는화학적으로손상되는것을억제할수 있다.

Abstract translation: 半导体封装可以包括封装衬底，半导体芯片和模制构件。 突起可以形成在封装基板的侧表面上。 半导体芯片可以布置在封装衬底的上表面上。 半导体芯片可以与封装衬底电连接。 成型构件可以形成在封装基板的上表面和侧表面以及突起的上表面上。 因此，封装基板的突起部上的成型部件可以构成为覆盖封装基板的侧面，使得封装基板的侧面不会露出。

公开(公告)号：KR1020170019676A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020150113781

申请日：2015-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백승덕 ,  심종보 ,  조태제

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3171 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/18161

Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 반도체장치의제조방법은, 미리정해진제1 두께를갖는제1 반도체칩과미리정해진제2 두께를갖는제2 반도체칩을이용하여, 상기제1 및제2 두께의합보다크고미리정해진제3 두께를갖는반도체장치를제조하는반도체장치의제조방법으로서, 상기제1 두께를갖는제1 반도체칩을형성하고, 상기제1 반도체칩 상에, 상기제1 반도체칩과 TSV(Through Silicon Via)로접속되고, 상기제2 두께를갖는제2 반도체칩을형성하고, 상기제2 반도체칩 상에, 상기제2 반도체칩과전기적으로미접속되고, 제4 두께를갖는더미반도체칩을형성하는것을포함하되, 상기제4 두께는상기제3 두께와상기제1 및제2 두께의합의차이를고려하여결정된다.

Abstract translation: 一种半导体器件的制造方法，其中使用具有期望的第一厚度的第一半导体芯片和具有期望的第二厚度的半导体芯片来制造具有期望的第三厚度的半导体器件，所述第三厚度大于第一和第二厚度之和的半导体器件， 第二厚度包括提供具有第一厚度的第一半导体芯片，形成第二半导体芯片，第二半导体芯片经由第一半导体芯片上的硅通孔（TSV）连接到第一半导体芯片并具有第二厚度，并且提供 在所述第二半导体芯片上未与所述半导体芯片电连接并具有第四厚度的虚设半导体芯片，其中所述第四厚度基于所述第三厚度和所述第一和第二厚度之和之间的差大小而产生 厚度。

公开(公告)号：KR101697573B1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：KR1020100119757

申请日：2010-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호진 ,  조태제 ,  장동현 ,  송호건 ,  정세영 ,  강운병 ,  윤민승

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/49844 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/525 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/15311

Abstract: 반도체장치, 그제조방법, 및상기반도체장치를포함하는반도체패키지가제공된다. 반도체장치는제1 면, 및상기제1 면과반대되며트렌치가형성된제2 면을갖는기판, 상기기판내에형성된비아홀을채우며상기비아홀의내벽으로부터순차적으로형성된비아홀절연막, 배리어막, 및도전성연결부를포함하는관통비아, 상기제2 면상에형성되며상기관통비아의일정영역을노출하는절연막, 및상기트렌치내에매립되며, 상기관통비아와전기적으로연결되는재배선을포함하되, 상기절연막은상기도전성연결부의일정영역과중첩한다.

Abstract translation: 在一个实施例中，半导体器件包括具有第一表面的半导体衬底和与第一表面相对的第二表面。 第二表面限定再分布沟槽。 基板具有贯穿其中的通孔。 半导体器件还包括设置在通孔中的贯通孔。 通孔可以包括依次形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层，阻挡层。 通孔还可以包括邻近阻挡层的导电连接器。 半导体器件还包括形成在衬底的第二表面上的绝缘层图案。 绝缘层图案限定了暴露通孔的顶表面的区域的开口。 半导体器件包括设置在沟槽中并与通孔电连接的再分配层。 绝缘层图案与导电连接器的区域重叠。

公开(公告)号：KR1020160125585A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020150056039

申请日：2015-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일환 ,  배상현 ,  이혁재 ,  조태제 ,  최광철

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B24B7/228

Abstract: 본발명은기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 기판을지지하는스핀척, 상기스핀척 상부(over)에배치되고, 상기스핀척에의해지지되는기판을연마하는연마헤드및 상기스핀척에의해지지되는상기기판으로고압수를분사하는분사노즐을갖는노즐부재를포함하되, 상기분사노즐은상기기판과오버랩되도록배치되어상기기판의가장자리로상기고압수를분사하도록구성되는기판처리장치가제공된다.

Abstract translation: 本发明的概念涉及基板处理装置和使用其的基板的处理方法。 该装置包括配置成支撑基板的旋转卡盘，设置在旋转卡盘上方并构造成研磨由旋转卡盘支撑的基板的研磨头，以及包括喷射喷嘴的喷嘴构件，该喷嘴构造成将高压水喷射到基板 由旋转卡盘支撑。 喷射喷嘴与基板重叠以将高压水喷射到基板的边缘。

公开(公告)号：KR1020160019739A

公开(公告)日：2016-02-22

申请号：KR1020140104440

申请日：2014-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태형 ,  고영권 ,  김지황 ,  서선경 ,  조태제

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06 ,  H01L2224/0605 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/065 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/113 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체기판, 상기반도체기판의제1면상에배치된제1 본딩패드, 및상기제1 본딩패드상에배치되고상면이오목한접시형태를갖고측면들이평평하게수직한제1 필라를포함하는반도체소자, 반도체패키지, 및패키지적층구조체가설명된다.

Abstract translation: 解释是半导体器件，半导体封装和封装堆叠结构，其包括：半导体衬底; 布置在所述半导体衬底的第一表面上的第一焊盘; 以及布置在第一焊盘上的第一柱。 第一支柱的上表面具有凹形。 第一支柱的侧面均匀垂直。

公开(公告)号：KR1020160001912A

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：KR1020140080054

申请日：2014-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장혜영 ,  전창성 ,  조차제 ,  조태제

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311

Abstract: 본발명은반도체패키지및 그제조방법에관한것으로, 패키지기판을바라보는제1 면과그 반대면인제2 면을관통하는적어도하나의관통전극을갖는제1 반도체칩; 상기제1 반도체칩을몰딩하되상기제1 반도체칩의제2 면을노출시키는몰딩막; 상기제1 반도체칩의제2 면상에적층되고, 상기제1 반도체칩에비해큰 크기를가져상기제1 반도체칩의외곽으로돌출된오버행을가지며, 상기적어도하나의관통전극과전기적으로연결되는적어도하나의연결단자를갖는제2 반도체칩; 및상기제1 반도체칩과상기제2 반도체칩 사이에제공된비전도성필름을포함한다.

Abstract translation: 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括：第一半导体芯片，其具有穿过面向封装基板的第一表面和与第一表面相对的第二表面的至少一个贯通电极; 模制所述第一半导体芯片并暴露所述第一半导体芯片的所述第二表面的模制层; 堆叠在第一半导体芯片的第二表面上的第二半导体芯片，具有比第一半导体芯片更大的尺寸以具有从第一半导体芯片突出的突出端，并且具有至少一个连接端子，该连接端子电连接到第一半导体芯片 至少一个通过电极; 以及设置在第一和第二半导体芯片之间的非导电膜。

公开(公告)号：KR1020150044329A

公开(公告)日：2015-04-24

申请号：KR1020130123599

申请日：2013-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강운병 ,  노병혁 ,  조태제

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1413 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 본발명의기술적사상의칩 적층반도체패키지는제1 전면및 이에반대되는제1 후면을가지며. 상기제1 전면에제1 연결부재를갖는제1 칩과, 제2 전면및 이에반대되는제2 후면을가지며, 상기제1 전면에대향한상기제2 전면에형성된제2 연결부재, 및상기제2 연결부재와전기적으로연결된제1 관통실리콘비아(TSV)를갖는제2 칩과, 상기제1 전면및 제2 전면의사이에서상기제1 연결부재와상기제2 연결부재사이를채우도록형성된제1 밀봉재를포함하고. 상기제1 칩의제1 연결부재는상기제2 칩의제2 연결부재에대해미러(mirror) 대칭형태로형성되어있다.

Abstract translation: 根据本发明的技术思想的芯片叠层半导体封装包括：第一芯片，包括第一前部，与第一前部相对的第一后侧和第一正面上的第一连接构件; 第二芯片，包括第二前部，与第一前部相对的第二后侧，形成在与第一前部相对的第二前部中的第二连接构件，以及电连接到第二连接构件的第一穿透硅通孔（TSV）。 本发明包括第一密封剂，其形成为填充在第一和第二前端之间的第一第二连接构件之间，并且第一芯片的第一连接构件形成为相对于第二连接构件的第二连接构件的镜对称型 第二芯片

公开(公告)号：KR1020150044263A

公开(公告)日：2015-04-24

申请号：KR1020130123444

申请日：2013-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현수 ,  백승덕 ,  이인영 ,  조태제

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은반도체패키지및 그제조방법을제공한다. 반도체패키지제조방법은복수개의적층된하부반도체칩들을포함하는하부스택을기판에실장하는것; 및복수개의적층된상부반도체칩들을포함하는상부스택을상기하부스택상에실장하는것을포함할수 있다. 본발명에따르면, 반도체패키지가용이하게제조될수 있다.

Abstract translation: 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装制造方法包括将具有多个分层的下半导体芯片的下层堆叠安装在基板上的步骤; 以及将具有多个分层的上半导体芯片的上堆叠件安装在下堆叠件上的步骤。 根据本发明，可以容易地制造半导体封装。

公开(公告)号：KR101446330B1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：KR1020080009058

申请日：2008-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이혁재 ,  조태제 ,  권용환 ,  강운병 ,  이충선 ,  권운성 ,  장형선

IPC: H01L23/02

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05099

Abstract: 본 발명의 이미지 센서는 기판의 표면에 마련된 광전 변환부와, 광전 변환부의 전기적 신호를 전달하되 기판을 관통하여 형성된 관통 비아와, 기판의 배면에서 관통 비아와 연결된 외부 접속 단자와, 기판의 배면에 부분적으로 형성되어 기판 배면에서 광전 변환부로 투과되는 투과광을 차단하는 차광층을 포함하되, 상기 차광층은 상기 외부 접속 단자 및 상기 관통 비아와 오버랩되지 않는 상기 기판의 배면에 형성되어 있다.