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公开(公告)号：KR100833491B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060038331
申请日：2006-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0635 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/79 , H01L21/8249 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , Y10S438/947
Abstract: 고기능 및 다기능의 SOC의 구현에 필요한 임베디드 메모리 및 그 제조방법에 대해 개시한다. 그 메모리 및 방법은 기판에 각각 인접하여 배치되고 전기적으로 연결된 바이폴라 트랜지스터, 상변화 메모리 소자 및 MOS 트랜지스터를 포함한다. 이때, 바이폴라 트랜지스터는 콜렉터 상에 배치된 SiGe으로 이루어진 베이스를 포함한다. 상변화 메모리 소자는 전류에 의하여 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변환되는 상변화 재료층 및 상변화 재료층의 하부에 콘택되며 SiGe으로 이루어진 발열층을 포함할 수 있다.
SOC, 임베디드 메모리, SiGe, 베이스, 상변화 메모리, BiCMOS-
公开(公告)号：KR102169298B1
公开(公告)日：2020-10-26
申请号：KR1020170055380
申请日：2017-04-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L51/00 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR1020170087579A
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020160007203
申请日：2016-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은유기발광소자용집적기판의제조방법, 유기발광소자, 및유기발광소자의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 유기발광소자의제조방법은이형기판상에희생층을형성하는것; 상기희생층상에제1 전극을형성하는것; 상기제1 전극의상에개구부를갖는나노와이어패턴을형성하는것; 상기나노와이어패턴상 및상기개구부내에버퍼층을형성하는것; 상기버퍼층상에기판을제공하는것; 상기이형기판및 상기희생층을제거하여, 상기제1 전극의제1 면을노출시키는것; 및상기제1 전극의상기제1 면상에유기발광층및 제2 전극을적층하는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了制造用于有机发光器件的集成衬底的方法，有机发光器件以及制造有机发光器件的方法。 根据本发明，一种制造有机发光装置的方法包括：在脱模基板上形成牺牲层; 在牺牲层上形成第一电极; 形成在第一电极上具有开口的纳米线图案; 在纳米线图案内和开口内形成缓冲层; 在缓冲层上提供衬底; 去除释放衬底和牺牲层以暴露第一电极的第一表面; 并且将有机发光层和第二电极层压在第一电极的第一表面上。
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公开(公告)号：KR1020170087578A
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020160007199
申请日：2016-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/5212 , H01L51/0022 , H01L51/0023 , H01L51/003 , H01L51/56
Abstract: 본발명은유기발광소자용전극의제조방법, 유기발광소자, 및유기발광소자의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 유기발광소자의제조방법은이형기판상에희생층을형성하는것; 상기희생층상에제1 전극을형성하는것; 상기제1 전극의상에개구부를갖는보조전극패턴을형성하는것; 상기보조전극패턴상 및상기개구부내에버퍼층을형성하는것; 상기버퍼층상에기판을제공하는것; 상기이형기판및 상기희생층을제거하여, 상기제1 전극의제1 면을노출시키는것; 및상기제1 전극의상기제1 면상에유기발광층및 제2 전극을적층하는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了制造用于有机发光装置的电极的方法，有机发光装置以及制造有机发光装置的方法。 根据本发明，一种制造有机发光装置的方法包括：在脱模基板上形成牺牲层; 在牺牲层上形成第一电极; 在第一电极上形成具有开口的辅助电极图案; 在辅助电极图案和开口上形成缓冲层; 在缓冲层上提供衬底; 去除释放衬底和牺牲层以暴露第一电极的第一表面; 并且将有机发光层和第二电极层压在第一电极的第一表面上。
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公开(公告)号：KR1020170045097A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020160070540
申请日：2016-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은광전자소자의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 광전자소자의제조방법은그 상면상에제1 전극, 하부층, 및상부층이적층된기판을준비하는것, 및상기상부층상에유기가스를공급하여, 서로옆으로이격배치된광굴절패턴들을형성하는것을포함할수 있다. 상기상부층은 0.01J/m내지 3J/m의표면에너지를가질수 있다. 상기유기가스를공급하는것은유기물을가열하여, 상기유기가스를형성하는것을포함할수 있다. 상기광굴절패턴들은곡면인상부면들을가질수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造光电子器件的方法。 根据本发明，一种制造光电子器件的方法包括：提供衬底，在该衬底上在顶表面上堆叠第一电极，底层和上层，并且将有机气体供应到顶层上; 形成图案。 顶层可具有0.01J / m至3J / m的表面能。 有机气体的供应可以包括加热有机材料以形成有机气体。 光折射图案可以具有曲面凸起表面。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020140005074A
公开(公告)日：2014-01-14
申请号：KR1020120117228
申请日：2012-10-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N25/18
Abstract: The present invention relates to a thermal conductivity measuring device and a measuring method thereof. The thermal conductivity measuring device given in the present invention includes; a first structure which is connected to one end of a sample and receives heat from a heat source; a second structure which is connected to the other end of the sample; a first stage which is connected to the first structure and supports the first structure; a second stage which is connected to the second structure and supports the second structure; a connection unit which connects the first and the second stage; and a measuring unit which measures the temperatures of the first and the second structure and the first and the second stage. The measuring unit calculates the thermal conductivity of the sample using the temperatures of the first and the second structure and the first and the second stage and the amount of heat supplied from the heat source. The thermal conductivity measuring device and the measuring method thereof are able to improve the reliability of measurement as correcting the temperature variance of the stages due to the thermal flow from the stages in consideration of the measuring environment. [Reference numerals] (110) First structure; (120) Second structure; (150) First stage; (160) Second stage; (170) Connection unit; (180) Measuring unit
Abstract translation: 本发明涉及一种热导率测量装置及其测量方法。 本发明中给出的热导率测量装置包括： 第一结构，其连接到样品的一端并从热源接收热量; 第二结构，其连接到样品的另一端; 第一阶段，其连接到第一结构并支撑第一结构; 第二级，其连接到第二结构并支撑第二结构; 连接第一和第二阶段的连接单元; 以及测量单元，其测量第一和第二结构以及第一和第二阶段的温度。 测量单元使用第一和第二结构以及第一和第二阶段的温度和从热源供应的热量来计算样品的热导率。 考虑到测量环境，热导率测量装置及其测量方法能够提高测量的可靠性，以校正由于来自级的热流的级的温度变化。 （附图标记）（110）第一结构; （120）第二结构; （150）第一阶段; （160）第二阶段; （170）连接单元; （180）测量单元
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公开(公告)号：KR1020110017957A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020090075515
申请日：2009-08-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/00
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric-generator is provided to improve thermal efficiency by increasing electrical conductivity while reducing thermal conductivity. CONSTITUTION: A heat absorbing member(110) absorbs heat supplied from outside. A heat radiating member(130) emits the heat from the heat sink to outside. A wire part(120) connects the heat absorbing member to the heat radiating member through a plurality of nano wires having curvature A thermoelectric device applies magnetic field to the wire part to make a movement path for electronics and phonon different. The heat absorbing member, a heat radiating member, and a wire part are formed on the same substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种热电发生器，通过增加电导率同时降低热导率来提高热效率。 构成：吸热构件（110）吸收从外部供应的热量。 散热构件（130）将来自散热器的热量发射到外部。 电线部分（120）通过具有曲率的多个纳米线将吸热件连接到散热构件。热电装置向电线部分施加磁场，以使电子和声子的移动路径不同。 吸热部件，散热部件和导线部分形成在同一基板上。
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公开(公告)号：KR100981736B1
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020080063418
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 상변화 재료 영역이 전극층과의 직접 접촉없이 자기 발열 과정에 의해 메모리 동작을 수행하는 자기 발열형 채널 구조를 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 복수의 제 1 금속 전극층; 상기 기판의 상부에서 상기 복수의 제 1 금속 전극층 사이에 형성되고, 자기 발열형 채널 구조로 구성되는 상변화 재료층; 상기 복수의 제 1 금속 전극층 및 상기 상변화 재료층 상부에 형성된 절연층; 상기 복수의 제 1 금속 전극층의 상부에 형성된 비아 홀; 및 상기 비아 홀을 매립하는 형태로 형성된 제 2 금속 전극층로 구성된다. 본 발명은 별도의 발열 전극을 사용하지 않고 상변화 물질 자체의 저항에 따른 발열 현상을 이용하여 메모리 동작을 수행함으로써, 금속 전극의 열전도에 따른 열손실을 최소화하여 메모리 소자의 소비전력을 감소시킬 수 있다.
상변화, 비휘발성 메모리, 게르마늄-안티몬-텔레륨, 자기 발열Abstract translation: 本发明涉及一种相变存储器装置及其制造的方法，特别是相变存储器装置包括自热型沟道结构，其中所述相变材料区域，以通过自加热过程执行存储器操作，而不与电极层直接接触，并且 及其制造方法。 根据本发明的相变存储器件包括：衬底; 形成在基板上的多个第一金属电极层; 相变材料层，形成在所述衬底上的所述多个第一金属电极层之间，所述相变材料层具有自加热沟道结构; 形成在所述多个第一金属电极层和所述相变材料层上的绝缘层; 形成在多个第一金属电极层的上部中的通孔; 以及形成为填充通孔的第二金属电极层。 本发明通过使用取决于相变材料本身的电阻的发热现象而不使用单独的加热电极而使由于金属电极的热传导导致的热损失最小化，从而降低存储器件的功耗 有。
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公开(公告)号：KR1020100068793A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020080127269
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L21/28273 , H01L45/141
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile programmable switch device and a method for fabricating the same are provided to improve the retention property of the device by separately forming a first electrode and a second electrode for reading, and a third electrode and a fourth electrode for writing. CONSTITUTION: A first electrode(102) is formed on a semiconductor substrate(100). Insulating layers(104a, 108a) comprise pores(110) which expose a part of the first electrode. A heat-generating electrode(106a) is formed on the lateral side of the pores. A phase-changing layer(112) is connected to the first electrode. A second electrode is connected to the phase-changing layer. A third electrode(122) is connected to one side of the heat-generating electrode. A fourth electrode(126) is connected to another side of the heat-generating electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性可编程开关装置及其制造方法，通过分别形成用于读取的第一电极和第二电极以及用于书写的第三电极和第四电极来改善器件的保持性。 构成：第一电极（102）形成在半导体衬底（100）上。 绝缘层（104a，108a）包括暴露第一电极的一部分的孔（110）。 在孔的侧面形成发热电极（106a）。 相变层（112）连接到第一电极。 第二电极连接到相变层。 第三电极（122）连接到发热电极的一侧。 第四电极（126）连接到发热电极的另一侧。
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