公开(公告)号：KR1019980016375A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960035934

申请日：1996-08-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  정진만 ,  최상수 ,  김보우 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 마스트 패턴(mask pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜, 그 마스트 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer)위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것으로서, X-선 마스크 구성 요소의 하나인 지지 링(support ring)의 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 지지 링의 기계적 강도(mechanical strength)를 향상시키고, 마스크 기판(mask substrate)과 지지 링 간의 열팽창계수(coefficient of thermal expansion)차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 최소화 하기 위해, 상기 지지 링의 단면 구조를 종래의 단순 사각형 형태로부터 다각형이나 삼각형, 원형 등의 새로운 형태로 변경하거나, 보강용 홈(trench) 또는 보강용 빔(beam)을 종래의 지지 링에 추가한 새로운 구조의 지지 링을 사용하는 X-선 마스크에 관한 것이다. 본 발명은 상기의 X-선 마스크는 물론 전자빔 셀 투사용 리소그래피(electron-beam cell projection lithography)용 마스크 및 이온 빔 리소그래피(ion-beam lithography)용 마스크에도 응용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980015311A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034589

申请日：1996-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전영진 ,  정진만 ,  최상수 ,  김보우 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 마스크(mask) 패턴(pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것이다.
즉, 마스크 기판(mask substrate)과 지지링 (support ring)과의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 근본적으로 제거하고, 외부의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대한 지지 링의 저항(resistance)능력을 향상시키기 위해 지지 링의 이면(the other side)에 마스크 기판과 동일한 재료로 구성되고, 마스크 기판과 동일한 공정 과정을 거친 변형 방지용 보조기판(supporting substrate to protect distortion)을 추가로 부착하여 구성한 X-선 마스크에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100127974B1

公开(公告)日：1997-10-28

申请号：KR1019930027861

申请日：1993-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장원익 ,  이종현 ,  장기호 ,  유형준

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1019970052733A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052662

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  전영진 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 마스크 제작공정중 실리콘의 습식식각시 웨이퍼의 외주연 부분이 식각액과 접촉하는 것을 방지하거나 웨이퍼의 일면에 실장된 소자가 식각액과 접촉하는 것을 방지할 수 있는 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 있어서, 단면에 L자 형상으로 절곡된 환 형상을 지니고 절곡된 평탄면의 중앙에는 O-링(11)이 부설되어 웨이퍼(50) 일면의 외주연 부분을 안착시키는 위한 하부 지지부(10); 및, 환 형상을 지니고 하면 중앙에 O-링(21)이 부설되며 상기한 하부 지지부(10)의 절곡면에 내설되어 웨이퍼(50) 타면의 외주연 부분을 고정하기 위한 상부 지지부(20)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970052592A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950050524

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진구 ,  윤형진 ,  이응호 ,  정철환 ,  정병훈 ,  백종태 ,  유형준

IPC: H01L21/302

公开(公告)号：KR1019970051878A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052676

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1019970018100A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950030292

申请日：1995-09-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종태 ,  김윤태 ,  유형준

IPC: H01L21/288

Abstract: 본 발명은 접촉 홀 매립방법에 관한 것으로서, 접촉 홀에 의해 도선 또는 반도체기판의 확산 영역을 노출시키는 산화막을 형성하고, 이 산화막의 상부와 접촉 홀의 내부에 장벽 금속층과 젖음층을 순차적으로 형성하며, 상기 젖음층의 상부에 CVD 방법에 의해 도전성 금속층을 형성한 후 이 도전성 금속층 표면의 불순물과 산화물을 제거하도록 플라즈마 상태에서 세정 식각하고, 상기 세정 식각을 수행한 반응로에서 300∼500℃ 정도의 온도로 도전성 금속층을 리플로우시켜 보이드를 채워 접촉 홀을 매립한다. 따라서, 도전성 금속층 표면의 원자들의 이동 특성을 향상시켜 낮은 온도에서 리플로우가 가능하도록 하여 PN 접합면에 스파이크의 발생을 저하시킬 수 있으며, 또한, 도전성 금속층 표면의 원자들의 향상된 이동 특성은 아일랜드를 생성으로 인한 도선이 끊어지는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970004476B1

公开(公告)日：1997-03-28

申请号：KR1019930026310

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: The automatic horizontal balance measuring device for a wafer is composed of an automatic horizontal balance measurer(1-20,20), a stage(30) which has X,Y horizontal mobility, and a reduced projection lens(40) which ensures the image forming on the wafer. As a light source it uses the semiconductor laser(1), and as a light direction adjuster, it uses a sector polarizer(11). With the light reducer(12) which can adjust the light amount, it receives the laser beam and converts into a parallel light. It comes on the surface of the wafer at the incidence angle of 76 degree. And by incidence, the parallel beam at the surface of wafer at larger incidence angle, it can obtain the larger area measurement.

Abstract translation: 用于晶片的自动水平平衡测量装置由自动水平平衡测量器（1-20,20），具有X，Y水平移动性的平台（30）和确保图像的减小投影透镜（40）组成 在晶片上形成。 作为光源，使用半导体激光器（1），并且作为光方向调整器，其使用扇形偏振器（11）。 利用可以调节光量的减光器（12），它接收激光束并转换成平行光。 它以76度的入射角落在晶片的表面上。 并且通过入射，平行光束在晶圆表面的入射角较大时，可以获得较大的面积测量。

公开(公告)号：KR1019960026076A

公开(公告)日：1996-07-20

申请号：KR1019940033475

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 노광장비인 웨이퍼 스테퍼의 웨이퍼 정렬방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 레이저 광원으로는 He-Ne 레이저 대신에 자기장에 의한 에너지 띄의 미세분리 효과를 이용한 제만(Zeeman) 레이저로서 두 광파가 수 MHz의 상이한 주파수 차를가지며 두 광파의 편광이 항상 수직을 유지하는 제만 주파수 안정화 레이저를 사용하여 정렬광의 위상과 레이저 기준신호의 위상을 비교함으로써 수십 KHz의 상이한 주파수 차를 가지는 두 광파로 분리하기 위해서 광-음향 변조기(acousto-optic modulator)를 사용해야 하는 종래의 He-Ne 레이저에 비해 비교적 간단한 광학계로 빠른 정렬과 높은 정렬 정밀도를달성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960026075A

公开(公告)日：1996-07-20

申请号：KR1019940033474

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 스탭퍼에 있어서 반도체 미세회로 패턴을 지닌 마스크 패턴이 옮겨질 웨이퍼 사이를 정렬하는 정렬장치 및 그 방법에 관한 것으로 웨이퍼를 바로 노광위치에서 정렬을 수행하고 노광을 하며 또는 노광을 수행하는 동안에도 웨이퍼 정렬을 수행할 수 있으며 정렬광을 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법으로써 off-axis 정렬 방식에서 웨이퍼 스테이지 base-line 오차가 근본적으로 발생하지 않도록 하는 웨이퍼 스탭퍼에서 정렬광의 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법과 그 장치에 관한 것이다.