公开(公告)号：KR101474331B1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：KR1020120150554

申请日：2012-12-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이광렬 ,  김병현 ,  김찬수 ,  김규봉 ,  김승철 ,  이민호

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G06F17/5045 ,  G06F17/5009

Abstract: 나노소자설계용가상실험장치및 그방법이개시된다. 나노소자설계를위한가상실험물질을결정하는가상시편결정부; 가상시편결정부에서결정된가상실험물질에하나이상의공정을적용하는가상공정실험부; 및가상공정실험부에서가상실험물질에적용된각각의공정결과를분석하는가상공정분석부를포함하는, 나노소자설계용가상실험장치가개시된다. 가상공정분석부는, 공정결과를하나이상의입자수준을기준으로분석하는다수준분석부를더 포함하는나노소자설계용가상실험장치가개시된다.

公开(公告)号：KR101397451B1

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：KR1020130005012

申请日：2013-01-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이지영 ,  문명운 ,  성원경 ,  박종구 ,  양철웅 ,  조소혜 ,  이광렬

IPC: B82B3/00 ,  H01L31/042 ,  H01L31/09 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/035227 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: A method for manufacturing CIGS nanorods or nanowires according to an embodiment of the present invention includes a deposition preparation step of placing raw materials including copper, indium, gallium, and selenium and a substrate in a reactor, and a deposition step of growing the CIGS nanorods or nanowires on a substrate by maintaining the temperature of the reactor in which a carrier gas flows at a constant flow rate at 850-1000°C. According to the method of the present invention, provided are Cu(In,Ga)Se_2 nanorods or nanowires having a uniform composition distribution, high light absorptivity, and high crystallinity without using a catalyst.

Abstract translation: 根据本发明的实施方案的制造CIGS纳米棒或纳米线的方法包括沉积制备步骤，将包括铜，铟，镓和硒的原料和基底放置在反应器中，以及沉积步骤，将CIGS纳米棒 或纳米线通过保持载体气体在850-1000℃恒定流速下流动的反应器的温度而在基底上。 根据本发明的方法，提供了不使用催化剂的组成分布均匀，光吸收率高，结晶度高的Cu（In，Ga）Se_2纳米棒或纳米线。

公开(公告)号：KR101350668B1

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：KR1020130097649

申请日：2013-08-19

Applicant: 씨제이제일제당 (주) ,  한국과학기술연구원

Inventor： 송은경 ,  조경식 ,  이진환 ,  윤태경 ,  이광렬 ,  문명운 ,  김성진

IPC: B65D25/14 ,  B82B1/00

Abstract: 본 발명은 플라스틱 재질의 식품용기에 있어서, 상기 식품용기의 표면에 형성되는 복수의 나노구조체; 및 상기 나노구조체가 형성된 상기 표면 상측으로 코팅되는 제 1소수성박막; 을 포함하는 나노구조의 소수성 표면을 갖는 식품용기 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 소수성뿐만 아니라 우수한 가스차단능력을 보유할 수 있는 나노구조의 소수성 표면을 갖는 식품용기 및 그의 제조방법을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR101223921B1

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：KR1020100097960

申请日：2010-10-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문명운 ,  이광렬 ,  허은규 ,  오규환

IPC: C23F4/04 ,  C23F1/02

Abstract: 본 발명은 초소수성 표면과 이를 포함하는 강철 소재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로, 표면의 젖음성 (wettability)이 현저히 낮고, 유체의 접촉각 (contact angle)이 크며, 접촉각 이력 (contact angle hysteresis)이 작은 초소수성 표면과 이를 포함하는 강철 소재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 초소수성 표면은 나노/마이크로 패턴이 형성된 강철 표면 및 상기 강철 표면 상에 형성된 소수성 박막을 포함하여 이루어지고, 본 발명의 강철 소재는 그 표면에 상기의 초소수성 표면을 포함하며, 본 발명의 초소수성 표면의 제조방법은 (a) 강철 표면을 식각하는 단계, (b) 상기 식각한 강철 표면을 산화시켜 상기 강철 표면 상에 나노/마이크로 패턴을 형성하는 단계 및 (c) 상기 나노/마이크로 패턴이 형성된 강철 표면 상에 소수성 박막을 형성하는 � ��계를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR101027012B1

公开(公告)日：2011-04-11

申请号：KR1020080101580

申请日：2008-10-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문명운 ,  이광렬 ,  김호영 ,  차태곤

IPC: C08G85/00 ,  C08J5/14

CPC classification number: C08J7/123 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/31504

Abstract: 본 발명은 기울어진 마이크로 기둥 배열이 형성된 고분자 및 이를 위한 제작 방법에 관한 것으로, 이온빔 처리의 입사각을 조절하여 기울어진 마이크로 기둥 배열을 제작함으로써, 드라이 셀프 클리닝(dry self-cleaning)을 가진 접합재료, 벽을 기어오를 수 있는 마이크로 로봇 제작, 반도체 라인에서의 웨이퍼 정렬기(wafer aligner) 등의 제작 등에 응용 가능하다. 또한, 본 발명은 에너지 소모량을 적게 사용할 수 있는 PECVD 방식을 이용한 이온빔 처리를 통하여, 기울어진 마이크로 기둥 배열을 갖는 고분자 표면을 형성할 수 있고, 이온빔 처리의 입사각, 조사 시간, 가속 전압의 크기 중 적어도 하나를 조절하여 마이크로 기둥의 기울어진 각도를 원하는 각으로 조절 가능하다.
마이크로 기둥, PDMS, 이온빔, 고분자, 기울어진 기둥 배열

公开(公告)号：KR100851892B1

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：KR1020070056900

申请日：2007-06-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문명운 ,  한준현 ,  이광렬 ,  한승희

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: A method for controlling morphology of a surface of a polymer using an ion beam and a polymer with a ripple pattern on a surface fabricated thereby, and applications thereof are provided to form a nano-size pattern of a particular shape in a desired region by changing an irradiation time and an incident angle. A focused ion beam(4) is irradiated obliquely in an incident angle(2) of a constant angle on an irradiation region(5) of an upper surface of a polymer substrate(3) in order to form a ripple pattern. A hierarchical structure having two or more different periods is formed in the ripple pattern by adjusting a beam irradiation time. The ripple pattern is oriented in a particular direction. The width and height of the ripple pattern are controlled by adjusting at least one of the incident angle and an irradiation time of the ion beam and intensity of an acceleration voltage.

Abstract translation: 使用离子束和由其制造的表面上的波纹图案的聚合物控制聚合物的形态的方法及其应用被提供以通过改变在所需区域中形成特定形状的纳米尺寸图案 照射时间和入射角度。 在聚合物基板（3）的上表面的照射区域（5）上以一定角度的入射角（2）倾斜地照射聚焦离子束（4），以形成波纹图案。 通过调整光束照射时间，在波纹图案中形成具有两个或更多个不同周期的分层结构。 波纹图案朝向特定的方向。 通过调节入射角和离子束的照射时间和加速电压的强度中的至少一个来控​​制波纹图案的宽度和高度。

公开(公告)号：KR1020080070806A

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：KR1020080070334

申请日：2008-07-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이승철 ,  이광렬 ,  안효신

IPC: H01L27/105

Abstract: A multilayered structure having high spin injection efficiency using a conductive nitride as a spacer layer is provided to obtain spin injection efficiency of a high level only by correcting conventional equipment without fabricating additional equipment. A spacer layer(2) is formed on a semiconductor layer(3), made of a conductive nitride. A spin injection electrode layer(1) is formed on the conductive nitride spacer layer, made of a ferroelectric material and injecting spin to the semiconductor layer through the conductive nitride spacer layer. Transition metal can be doped into the conductive nitride spacer layer. The interface of the semiconductor layer and the conductive nitride spacer layer can be made of an ohmic contact.

Abstract translation: 提供使用导电氮化物作为间隔层的具有高自旋注入效率的多层结构，以仅通过校正常规设备而不制造附加设备才能获得高水平的自旋注入效率。 在由导电氮化物制成的半导体层（3）上形成间隔层（2）。 在由铁电体材料制成的导电氮化物间隔层上形成自旋注入电极层（1），并通过导电氮化物间隔层向半导体层注入自旋。 可以将过渡金属掺杂到导电氮化物间隔层中。 半导体层和导电氮化物间隔层的界面可以由欧姆接触形成。

公开(公告)号：KR100845744B1

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：KR1020070070284

申请日：2007-07-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이광렬 ,  문명운 ,  김태영 ,  비아루치잉그마르 ,  크라우스베빌로구아

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/033 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

Abstract: A fabricating method of a super-hydrophobic surface and a super-hydrophobic surface body fabricated therefrom are provided to enhance super-hydrophobic characteristics of a final surface by forming a double protrusion structure. A mask pattern(20) is formed on a wafer(10). A plurality of first protrusions(11) and a plurality of second protrusions(12) formed between the first protrusions are simultaneously formed by etching the wafer exposed by the mask pattern. A hydrophobic thin film is formed on the first protrusions and the second protrusions. The process for forming the first and second protrusions is performed by a plasma etch process using CF4 gas. The process for forming the first and second protrusions is performed under conditions of etch pressure of 2Pa-5pa and RF power of 100W-300W.

Abstract translation: 提供由其制造的超疏水表面和超疏水表面体的制造方法，以通过形成双突起结构来增强最终表面的超疏水特性。 在晶片（10）上形成掩模图案（20）。 通过蚀刻由掩模图案曝光的晶片，同时形成在第一突起之间形成的多个第一突起（11）和多个第二突起（12）。 在第一突起和第二突起上形成疏水性薄膜。 通过使用CF 4气体的等离子体蚀刻工艺来进行用于形成第一和第二突起的工艺。 用于形成第一和第二突起的工艺在蚀刻压力为2Pa-5pa和RF功率为100W-300W的条件下进行。

公开(公告)号：KR1020060083348A

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020050003859

申请日：2005-01-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태영 ,  이광렬 ,  이철승

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B32/05 ,  B01J19/12

Abstract: 본 발명은 수소를 거의 함유하지 않고 sp
3 분율이 높으며, 잔류응력이 감소되고 전기 저항이 증가된 것을 특징으로 하는 경질 탄소 박막을 제공한다. 이 박막은 아크 방전에 의하여 고체 탄소원의 아크젯 플라즈마를 발생시키고, 상기 반응 챔버에 아르곤을 일정한 유량으로 공급하여 상기 기판 상에 형성된다.
경질 탄소 박막, 진공여과아크법, 아르곤 가스, 잔류응력

公开(公告)号：KR1020050096721A

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：KR1020040022386

申请日：2004-03-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박세준 ,  이광렬 ,  김정구 ,  안승호 ,  김호건

IPC: A61F2/30

CPC classification number: A61F2/30 ,  A61F2002/3006 ,  A61L27/303 ,  C23C16/22

Abstract: 본 발명은 인공관절의 모재와, 상기 모재 표면에 코팅된 보호층을 포함하여 구성되며, 상기 보호층은 실리콘이 함유된 다이아몬드상 탄소박막인 것을 특징으로 하는 의료용 복합재료 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 의료용 복합재료는 생체액 내에서의 내부식성 및 내마모성이 우수하며, 모재와의 접착성을 크게 향상된다.