公开(公告)号：SG63828A1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：SG1998000565

申请日：1998-03-14

Applicant: IBM

Inventor： CRONIN JOHN E ,  HARTSWICK THOMAS J ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L27/01

Abstract: The preferred embodiment of the present invention provides increased conductivity between interlevel interconnection lines. The preferred embodiment uses sidewall spacers on the sides of the interconnection lines to increase the contact area between interconnection lines and interconnect studs. This increase in area improves connection resistance and allows further device scaling without unacceptable decreases in the conductivity of the connection, and without adding significant expense in the fabrication process.

公开(公告)号：DE102012223968B4

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102012223968

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: Verfahren, das aufweist:- Bilden von wenigstens einer festen Elektrode (14) auf einem Substrat (10);- Bilden eines Arms (45) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) mit einer von oben auf den MEMS-Arm (45) gesehen entlang der Länge des MEMS-Arms (45) variierenden Breitenabmessung über der wenigstens einen festen Elektrode (14);- Bilden von Aktuatorerhöhungen (22a) aus Isolatormaterial, die sich von einer Oberfläche des MEMS-Arms (45) in Richtung des Substrats (10) erstrecken,- wobei die Höhe der Aktuatorerhöhungen (22a) und der Abstand der Aktuatorerhöhungen (22a) voneinander entlang der Länge des MEMS-Arms (45) in Abhängigkeit von der Steifheit des MEMS-Arms (45) variieren.

公开(公告)号：DE112011102130B4

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE112011102130

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MALING JEFFREY C ,  MURPHY WILLIAM J ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: Verfahren zum Bilden mindestens eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), aufweisend:Bilden einer unteren Verdrahtungsschicht auf einem Substrat (10);Bilden mehrerer diskreter parallel zueinander verlaufender Leiter (14) aus der unteren Verdrahtungsschicht, wobei die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) an einem jeweiligen ersten Ende durch einen ersten Verbindungsleiter, der senkrecht zu den parallel zueinander verlaufende Leitern (14) verläuft, verbunden sind, und wobei Längen der parallel zueinander verlaufende Leiter (14) von einem außenliegenden der Leiter (14) der so geschlitzten Leiterstruktur zu einem anderen außenliegenden Leiter (14) der geschlitzten Leiterstruktur suksessive zunehmen,Bilden eines zweiten Verbindungsleiters, der die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) an einem jeweiligen zweiten Ende der parallel zueinander verlaufende Leiter (14) miteinander verbindet, und wobei der erste Verbindungsleiter und der zweite Verbindungsleiter jeweils eine Breite aufweist, die geringer ist als eine Breite eines der parallel zueinander verlaufenden Leiter (14), wobei eine untere Kondensatorplatte des MEMS durch die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) sowie den ersten und den zweiten Verbindungsleiter gebildet wird, undBilden eines MEMS-Elektrodenarms über den mehreren parallel zueinander verlaufender Leitern (14), wobei der MEMS-Elektrodenarm eine obere Kondensatorplatte des MEMS aufweist.

公开(公告)号：DE112012001816B4

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：DE112012001816

申请日：2012-03-14

Applicant: IBM

Inventor： JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H02N1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00 ,  H05K13/00

Abstract: Verfahren zum Bilden einer MEMS-Struktur, aufweisend:Strukturieren einer Verdrahtungsschicht auf einem Substrat, um feste Aktuator-Elektroden und einen Kontaktpunkt zu bilden;Bilden eines Opfermaterials auf der Verdrahtungsschicht;Strukturieren des Opfermaterials mit einem Array von Gräben über der Verdrahtungsschicht, wobei die Gräben auf eine vorbestimmte Höhe und Breite dimensioniert sind;Füllen des Arrays von Gräben mit Material;Bilden eines MEMS-Balkens über dem gefüllten Array von Gräben und in Kontakt mit dem Material in dem Array von Gräben;Bilden von zusätzlichem Opfermaterial über dem MEMS-Balken;Bilden eines Deckels über dem zusätzlichen Opfermaterial über dem MEMS-Balken;Bilden mindestens eines Austreiblochs in dem Deckel; undAustreiben des Opfermaterials unter dem MEMS-Balken und des zusätzlichen Opfermaterials über dem MEMS-Balken derart, dass das Material in dem Array von Gräben von einer Unterseite des MEMS-Balkens frei hängt, um ein Array von Aktuator-Höckern mit der vorbestimmten Höhe und Breite zu bilden.

公开(公告)号：GB2506770B8

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：GB201321363

申请日：2010-08-12

Applicant: IBM ,  RF MICRO DEVICES INC

Inventor： ANDERSON FELIX P ,  MCDEVITT THOMAS LEDDY ,  STAMPER ANTHONY K ,  COSTA JULIO CARLOS ,  HAMMOND JONATHAN HALE

IPC: B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H01H1/00

公开(公告)号：GB2494355B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：GB201300041

申请日：2011-06-15

Applicant: IBM

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAHNES CHRISTOPHER VINCENT

IPC: B81C1/00 ,  H01H57/00

Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes patterning a wiring layer to form at least one fixed plate and forming a sacrificial material on the wiring layer. The method further includes forming an insulator layer of one or more films over the at least one fixed plate and exposed portions of an underlying substrate to prevent formation of a reaction product between the wiring layer and a sacrificial material. The method further includes forming at least one MEMS beam that is moveable over the at least one fixed plate. The method further includes venting or stripping of the sacrificial material to form at least a first cavity.

公开(公告)号：DE112012001816T5

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE112012001816

申请日：2012-03-14

Applicant: IBM

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAHNES CHRISTOPHER V

IPC: H02N1/00 ,  H05K13/00

Abstract: Es werden Strukturen mikroelektro-mechanischer Systeme (MEMS-Strukturen), Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen bereitgestellt. Das Verfahren zum Bilden einer MEMS-Struktur schließt ein Bilden fester Aktuator-Elektroden (115) und eines Kontaktpunkts auf einem Substrat ein. Das Verfahren schließt außerdem ein Bilden eines MEMS-Balkens (100) über den festen Aktuator-Elektroden und dem Kontaktpunkt ein. Das Verfahren schließt außerdem ein Bilden eines Arrays von Aktuator-Elektroden (105') in Ausrichtung mit Abschnitten der festen Aktuator-Elektroden ein, die so groß und so dimensioniert sind, dass sie verhindern, dass der MEMS-Balken nach wiederholter periodischer Betätigung auf den festen Aktuator-Elektroden nachgibt. Das Array von Aktuator-Elektroden wird in direktem Kontakt mit mindestens einem von einer Unterseite des MEMS-Balkens und einer Oberfläche der festen Aktuator-Elektroden gebildet.

公开(公告)号：GB2498261A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：GB201223287

申请日：2012-12-21

Applicant: IBM

Inventor： JAFFE MARK DAVID ,  ADKISSON JAMES WILLIAM ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY LEE ,  CANDRA PANGLIJEN ,  GAMBINO JEFFERY P ,  DUNBAR THOMAS J

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/107 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64

Abstract: Switchable and/or tunable filters, methods of manufacture and design structures are disclosed herein. The method of forming the filters includes forming at least one piezoelectric (PE) filter structure comprising a plurality of electrodes 14, 16 formed on a PE 12. The method further includes forming a micro-electro-mechanical structure (MEMS) comprising a MEMS beam 26 formed above the PE substrate and at a location in which, upon actuation, the MEMS beam shorts the PE filter structure by contacting at least one of the plurality of electrodes. The PE filter may be surface acoustic wave (SAW) filter. The SAW filter may comprise input and output transducers comprising interleaved electrodes. The PE filter may be a bulk acoustic wave (BAW) filter. The beam may be perpendicular to the interleaved electrodes and may cover the whole area of the electrodes of at least one filter structure. The structure may be formed using computer aided design. In one embodiment the frequency of a filter may be determined and the beam may be actuated to contact one of the electrodes depending on the frequency.

公开(公告)号：DE102012221818A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102012221818

申请日：2012-11-29

Applicant: IBM

Inventor： CZABAJ BRAIN M ,  DEMUYNCK DAVID A ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01H11/00

Abstract: Strukturen, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) werden offenbart. Das Verfahren beinhaltet ein Aufschichten von Metall- und Isolatormaterialien auf einem Opfermaterial, das auf einem Substrat gebildet wird. Das Verfahren beinhaltet ferner das Maskieren der geschichteten Metall- und Isolatormaterialien. Das Verfahren beinhaltet ferner Bilden einer Öffnung in der Maskierung, die das Opfermaterial überlappt. Das Verfahren beinhaltet ferner Ätzen der geschichteten Metall- und Isolatormaterialien in einem einzigen Ätzprozess zum Bilden der Balkenstruktur, so dass die Kanten des geschichteten Metall- und Isolatormaterials aneinander ausgerichtet sind. Das Verfahren beinhaltet ferner Bilden eines Hohlraums um die Balkenstruktur durch ein Austreiben.

公开(公告)号：DE112011102130T5

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：DE112011102130

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MALING JEFFREY C ,  MURPHY WILLIAM J ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L23/48 ,  B81B7/00

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden mindestens eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) weist das Bilden einer unteren Verdrahtungsschicht auf einem Substrat auf. Das Verfahren weist ferner das Bilden mehrerer diskreter Drähte (14) aus der unteren Verdrahtungsschicht auf. Das Verfahren weist ferner das Bilden eines Elektrodenarms (38) über den mehreren diskreten Drähten auf. Mindestens eines aus dem Bilden des Elektrodenarms und der mehreren diskreten Drähte erfolgt mit einem Layout, welches Hügel und Triplepunkte bei der folgenden Siliciumabscheidung (50) minimiert.