公开(公告)号：DE102012105929A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：DE102012105929

申请日：2012-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

Abstract: Ein Halbleiter-Bauelement enthält einen Systemträger mit einem Die-Pad und einer ersten Zuleitung, einen Halbleiterchip mit einer ersten Elektrode und einen Kontaktclip mit einem ersten Kontaktbereich und einem zweiten Kontaktbereich. Der Halbleiterchip wird über dem Die-Pad platziert. Der erste Kontaktbereich wird über der ersten Zuleitung platziert, und der zweite Kontaktbereich wird über der ersten Elektrode des Halbleiterchips platziert. Mehrere Vorsprünge erstrecken sich von dem ersten und zweiten Kontaktbereich aus und jeder der Vorsprünge weist eine Höhe von mindestens 5 mm auf.

公开(公告)号：DE102007006447B4

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：DE102007006447

申请日：2007-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/34

Abstract: Elektronisches Modul, das nachfolgendes umfasst: – einen Kühlkörper (5), der eine obere Oberfläche und eine untere Oberfläche umfasst, wobei die untere Oberfläche einen äußeren Anschlussbereich des elektronischen Moduls (1) zur Verfügung stellt; – eine Vielzahl von Zuleitungen (6), die benachbart zu dem Kühlkörper (5) angeordnet sind; – mindestens einen Steuerungshalbleiterchip (8), der auf die obere Oberfläche des Kühlkörpers (5) montiert ist, – mindestens ein Schaltungselement (7), wobei jedes Schaltungselement (7) zwei vertikal angeordnete Halbleiterleistungsschalter (9, 10) umfasst, die in einem Stapel angeordnet und konfiguriert sind, um eine Halbbrückenschaltung zur Verfügung zu stellen, wobei – ein erster vertikal angeordneter Halbleiterleistungsschalter (9) ein n-leitender Halbleiterleistungsschalter ist, der eine erste Oberfläche aufweist, die mindestens eine Anode (12) und mindestens eine Steuerungselektrode (13) umfasst und eine zweite Oberfläche aufweist, die mindestens eine Kathode (14) umfasst, und wobei – ein zweiter vertikal angeordneter Halbleiterleistungsschalter (10) ein p-leitender Halbleiterleistungsschalter ist,...

公开(公告)号：DE102009040557A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：DE102009040557

申请日：2009-09-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: A device including two mounting surfaces. One embodiment provides a power semiconductor chip and having a first electrode on a first surface and a second electrode on a second surface opposite to the first surface. A first external contact element and a second external contact element, are both electrically coupled to the first electrode of the semiconductor chip. A third external contact element and a fourth external contact element, both electrically coupled to the second electrode of the semiconductor chip. A first mounting surface is provided on which the first and third external contact elements are disposed. A second mounting surface is provided on which the second and fourth external contact elements are disposed.

公开(公告)号：DE102009032995A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：DE102009032995

申请日：2009-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  SCHLOEGEL XAVER ,  TONG SOON HOCK ,  WONG KWAI HONG

IPC: H01L25/11

Abstract: Stacked semiconductor chips. One embodiment provides a device having a first body. A first power semiconductor chip and first external contact elements is provides. A second body includes a second semiconductor chip and second external contact elements. The second body is placed over the first body. The first external contact elements and the second external contact elements define a first plane.

公开(公告)号：DE10124141B4

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：DE10124141

申请日：2001-05-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGMANN ROBERT ,  LARIK JOOST ,  OTREMBA RALF ,  SCHLOEGEL XAVER ,  SCHREDL JUERGEN

IPC: H01L23/047 ,  H01L23/482 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50

公开(公告)号：DE102005057401B4

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：DE102005057401

申请日：2005-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78

Abstract: A semiconductor component comprises a semiconductor element having at least one electrode (6) and control electrode (7) on an upper side and a second electrode (8) on the rear side. A chip island (9) has surface conductors for a circuit carrier with the rear of the component mounted on the chip island. Contact straps (16,19) connect an electrode (6) to a surface conductor and the control electrode to a control surface conductor respectively. The top surface (33) of one strap (16) is in a plane further from the semiconductor element than that (34) of the other strap (19). An independent claim is also included for a production process for the above component.

公开(公告)号：DE102009009874A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：DE102009009874

申请日：2009-02-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  SEIBT MARCO ,  KIRCHNER UWE ,  PEINHOPF WOLFGANG ,  TREU MICHAEL ,  SCHLOEGL ANDREAS ,  FELDVOSS MARIO

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L25/16

Abstract: An electronic device and manufacturing thereof. One embodiment provides a semiconductor chip having a control electrode and a first load electrode on a first surface and a second load electrode on a second surface. A first lead is electrically coupled to the control electrode. A second lead is electrically coupled to the first load electrode. A third lead is electrically coupled to the first load electrode, the third lead being separate from the second lead. A fourth lead is electrically coupled to the second load electrode, the second and third leads being arranged between the first and fourth leads.

公开(公告)号：DE102008034164A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：DE102008034164

申请日：2008-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  SCHIESS KLAUS

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L25/07 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

Abstract: A semiconductor module is disclosed. One embodiment provides a first semiconductor chip having a first contact pad on a first main surface and a second contact pad on a second main surface, a first electrically conductive layer applied to the first main surface, a second electrically conductive layer applied to the second main surface, and an electrically insulating material covering the first electrically conductive layer, wherein a surface of the second electrically conductive layer forms an external contact pad and the second electrically conductive layer has a thickness of less than 200 μm.

公开(公告)号：DE102008023127A1

公开(公告)日：2009-01-02

申请号：DE102008023127

申请日：2008-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L23/31 ,  H01L23/34 ,  H01L23/522 ,  H01L25/16

Abstract: A semiconductor device is disclosed. One embodiment provides a device including a carrier, an electrically insulating layer arranged over the carrier and a first semiconductor chip arranged over the electrically insulating layer, wherein the first semiconductor chip has a first contact element on a first surface and a second contact element on a second surface.

公开(公告)号：DE102008006835A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：DE102008006835

申请日：2008-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF

IPC: H01L21/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/50 ,  H02M1/00

Abstract: An electronic component has at least two semiconductor devices, a contact clip and a leadframe with a device carrier portion and a plurality of leads. The contact clip extends between the first side of at least two semiconductor devices and at least one lead of the leadframe to electrically connect a load electrode of the at least two semiconductor devices to at least one lead.