公开(公告)号：DE102011000542B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102011000542

申请日：2011-02-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUKETHAL CHRISTOPH ,  NIRSCHL THOMAS ,  OTTERSTEDT JAN

IPC: G11C16/08 ,  G11C8/08

Abstract: Schreibdurchsatz-Steuerschaltung, umfassend:eine Steuerschaltung, die für Folgendes ausgelegt ist:Aktivieren mindestens einer Wortleitung;Schreiben eines ersten Datenbit in eine erste Speicherzelle, die mit der aktivierten Wortleitung assoziiert ist, durch Bereitstellen eines ersten Schreibvorspannungszustands; undSchreiben eines nächsten Datenbit in eine nächste Speicherzelle, die mit der aktivierten Wortleitung assoziiert ist, durch Bereitstellen eines nächsten Schreibvorspannungszustands;ein Schieberegister, das dafür ausgelegt ist, das Bereitstellen des ersten Schreibvorspannungszustands und des nächsten Schreibvorspannungszustands durch die Steuerschaltung durch eine von null verschiedene Schreibfenster-Verschachtelungszeit zu verzögern, um dadurch zu erreichen, dass das erste Datenbit und das nächste Datenbit zu verschiedenen Zeiten in verschiedene Speicherzellen der aktivierten Wortleitung geschrieben werden, wobeiein erstes Taktsignal den ersten Schreibvorspannungszustand aktiviert, der zum Schreiben des ersten Datenbit verwendet wird, undein chronologisch nach dem ersten Taktsignal bereitgestelltes nächstes Taktsignal den nächsten Schreibvorspannungszustand aktiviert, der zum Schreiben des nächsten Datenbit verwendet wird, und wobei die Schreibfenster-Verschachtelungszeit zwischen dem ersten und dem nächsten Taktsignal dynamisch angepasst werden kann, um eine flexible Schreibfenster-Verschachtelungszeit zu erlauben.

公开(公告)号：DE102017127279A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102017127279

申请日：2017-11-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTTERSTEDT JAN ,  PETERS CHRISTIAN

IPC: G11C13/00

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Datenspeicher bereitgestellt, der mindestens eine Speicherzelle aufweist, wobei die Speicherzelle gemäß einer bipolar schaltenden Speicherzelle aufgebaut ist, eine stromrichtungdefinierende Schaltung, welche derart mit der mindestens einen Speicherzelle gekoppelt ist, dass ein Stromfluss durch die Speicherzelle nur in einer ersten Richtung möglich ist, und eine Steuerung, welche eingerichtet ist, mittels eines Steuerns eines Stromflusses durch die Speicherzelle in der ersten Richtung die Speicherzelle in einen ersten, nicht umprogrammierbaren Speicherzustand zu programmieren. Dabei bedeutet der einer bipolar schaltenden Speicherzelle entsprechende Aufbau, dass die Speicherzelle geeignet ist für das Programmieren in den ersten Speicherzustand mittels eines Stromflusses in der ersten Richtung durch die Speicherzelle und für ein Programmieren in einen zweiten Speicherzustand mittels eines Stromflusses in einer zur ersten Richtung entgegengesetzten zweiten Richtung.

公开(公告)号：DE102017124313A1

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102017124313

申请日：2017-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HATSCH JOEL ,  MEYER BERND ,  OTTERSTEDT JAN ,  SONNEKALB STEFFEN

IPC: G11C7/24

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform wird eine Speicheranordnung beschrieben, die ein Speicherzellenfeld mit Spalten und Zeilen von beschreibbaren Speicherzellen, eine Speichersteuereinrichtung, die eingerichtet ist, einen Zugriff auf eine erste Gruppe von Speicherzellen einer Zeile von Speicherzellen zu veranlassen und zusammen mit dem Zugriff auf die erste Gruppe von Speicherzellen einen Lesezugriff auf eine zweite Gruppe von Speicherzellen der Zeile von Speicherzellen zu veranlassen und eine Verifizierungsschaltung aufweist, die eingerichtet ist, zu überprüfen, ob der Zugriff auf die erste Gruppe von Speicherzellen auf die korrekte Zeile von Speicherzellen durchgeführt wurde, basierend darauf, ob bei dem Lesezugriff auf die zweiten Gruppe von Speicherzellen gelesenen Werte mit zuvor von der zweiten Gruppe von Speicherzellen gespeicherten Werten übereinstimmen.

公开(公告)号：DE102017100987A1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：DE102017100987

申请日：2017-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTTERSTEDT JAN ,  HOFMANN KARL

IPC: G11C13/00

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Speichervorrichtung bereitgestellt. Die Speichervorrichtung kann eine Mehrzahl von Speicherzellen und eine Leseeinheit umfassen, die eine erste Konfiguration bereitstellt, in welcher die Leseeinheit so konfiguriert ist, dass sie mindestens eine Speicherzelle der Mehrzahl von Speicherzellen liest, einen ersten Speicherwert zuordnet, wenn die mindestens eine Speicherzelle eine unformierte Zelle ist, und einen zweiten Speicherwert zuordnet, wenn die mindestens eine Speicherzelle eine formierte Zelle ist.

公开(公告)号：DE102016123689A1

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：DE102016123689

申请日：2016-12-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTTERSTEDT JAN ,  PETERS CHRISTIAN ,  SONNEKALB STEFFEN ,  BOCH ROBIN ,  DIRSCHERL GERD ,  MEYER BERND

IPC: G11C8/16

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Speicherschaltung bereitgestellt. Die Speicherschaltung kann umfassen: mehrere elektrisch programmierbare Speicherzellen, die in einer elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen Speicherzellenanordnung entlang mehrerer Zeilen und mehrerer Spalten angeordnet sind, mehrere Wortleitungen, wobei jede Wortleitung mit mehreren Wortabschnitten der mehreren Speicherzellen gekoppelt ist, wobei jeder Wortabschnitt dazu ausgelegt ist, ein Datenwort zu speichern, und mindestens eine Überlagerungswortleitung, die mit mehreren Überlagerungsabschnitten gekoppelt ist, wobei jeder Überlagerungsabschnitt mehrere Überlagerungsspeicherzellen umfasst, wobei jeder der mehreren Überlagerungsabschnitte ein Überlagerungswort umfasst, wobei die Speicherschaltung dazu ausgelegt ist, für jede der mehreren Wortleitungen aus jedem der Wortabschnitte gleichzeitig mit einem Überlagerungsabschnitt der mehreren Überlagerungsabschnitten zu lesen, wodurch als Ausgabe der Leseoperation ein Ergebnis einer an dem Datenwort und dem Überlagerungswort ausgeführten Logikoperation bereitgestellt wird.

公开(公告)号：DE102016122828A1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102016122828

申请日：2016-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTTERSTEDT JAN ,  PETERS CHRISTIAN ,  SONNEKALB STEFFEN ,  BOCH ROBIN ,  DIRSCHERL GERD ,  MEYER BERND

IPC: G11C16/08

Abstract: Bei verschiedenen Ausführungsformen wird ein Speicherschaltkreis bereitgestellt. Der Speicherschaltkreis kann umfassen: eine Vielzahl von elektrisch programmierbaren Speicherzellen, die in einer elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen Speicherzellmatrix entlang einer Vielzahl von Zeilen und einer Vielzahl von Spalten angeordnet ist; einer Vielzahl von Wortleitungen, wobei jede Wortleitung mit einer oder mehreren Speicherzellen aus der Vielzahl von Speicherzellen verbunden ist; eine Vielzahl von elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen markierenden Speicherzellen, wobei mindestens eine Wortleitung aus der Vielzahl von Wortleitungen einer oder mehreren markierenden Speicherzellen aus der Vielzahl von markierenden Speicherzellen zugeordnet ist; und eine Vielzahl von markierenden Bitleitungen, wobei jede markierende Bitleitung einer oder mehreren markierenden Speicherzellen aus der Vielzahl von markierenden Speicherzellen zugeordnet ist; eine Vielzahl von markierenden Sourceleitungen, wobei jede markierende Sourceleitung einer oder mehreren markierenden Speicherzellen aus der Vielzahl von markierenden Speicherzellen zugeordnet ist; wobei für eine oder mehrere markierende Speicherzellen aus der Vielzahl von markierenden Speicherzellen eine physische Verbindung zwischen einer zugeordneten markierenden Sourceleitung und/oder einer zugeordneten markierenden Bitleitung und der einen oder den mehreren markierenden Speicherzellen festgelegt wird, um dadurch jene eine oder mehreren markierenden Speicherzellen für einen nichtveränderbaren Speicherzustand zu definieren, wobei die Vielzahl von markierenden Speicherzellen konfiguriert ist, um die zugeordnete Wortleitung der entsprechenden einen oder mehreren markierenden Speicherzellen in dem nichtveränderbaren Speicherzustand zu identifizieren.

公开(公告)号：DE102013014393B4

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：DE102013014393

申请日：2013-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERN THOMAS ,  OTTERSTEDT JAN ,  PAPARISTO EDVIN ,  JEFREMOW MIHAIL ,  ALLERS WOLF ,  CASTRO LEONARDO

IPC: G11C5/14

Abstract: System zum Bereitstellen eines Spannungsversorgungsschutzes in einer Speichervorrichtung (1), mit: einem Speicher-Array mit einer Vielzahl von Speicherzellen, die in einer Vielzahl von Speicherzellengruppen (2, 3) angeordnet sind, einer Vielzahl von Strombegrenzungselementen, wobei jede Speicherzellengruppe (2, 3) mit wenigstens einem Strombegrenzungselement verknüpft ist, mindestens einer Überwachungsvorrichtung (32, 33), die einen Parameter überwacht, der einen Defekt in einer der Speicherzellengruppen (2, 3) anzeigt, und einer Steuerlogik (50), die dafür eingerichtet ist, Signale von der Überwachungsvorrichtung (32, 33) zu empfangen und die Strombegrenzungselemente so zu steuern, dass eine defekte Speicherzellengruppe (2, 3) von einer Spannungsversorgung (10) getrennt wird.

公开(公告)号：DE102011054410B4

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：DE102011054410

申请日：2011-10-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GÖTTFERT RAINER ,  GAMMEL BERNDT ,  OTTERSTEDT JAN

IPC: H04L9/32

Abstract: Verfahren (500) zur Rekonstruktion einer PUF A in einem elektronischen Gerät, umfassend: – Bereitstellen (510) einer Checksumme C in einem Festwertspeicher (15) des elektronischen Geräts; – Erzeugen (520) einer fehlerbehafteten PUF B; – Rekonstruieren (530) einer PUF A aus B mittels eines Fehlerkorrekturalgorithmus, wobei der Algorithmus so ausgelegt ist, dass er in einem Bruchteil der Fälle für die PUF A mehrere uneindeutige Ergebnisse (A1, A2, ..., An) erzeugt, und in allen anderen Fällen ein einzelnes Ergebnis, das inkorrekt sein kann; – Bestimmen (540) mit Hilfe der Checksumme C entweder, – welches der mehreren uneindeutigen Ergebnisse (A1, A2, ..., An) die korrekte PUF A ist, oder – ob ein erhaltenes einzelnes Ergebnis der korrekten PUF A entspricht.

公开(公告)号：DE102013011989A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102013011989

申请日：2013-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASTRO LEONARDO ,  JEFREMOW MIHAIL ,  OTTERSTEDT JAN ,  PAPARISTO EDVIN ,  PETERS CHRISTIAN ,  ALLERS WOLF

IPC: G11C16/14

Abstract: Ausführungsformen beziehen sich auf Systeme und Verfahren, die einen Schritt des Umschaltens bzw. Wechselns zwischen zwei oder mehr Löschoperationen und/oder zwei oder mehr Schreiboperationen für das Löschen von wenigstens einer Speicherzelle eines nichtflüchtigen Speichers und/oder das Schreiben in wenigstens eine Speicherzelle eines nichtflüchtigen Speichers umfassen, wodurch es ermöglicht wird, dass eine am besten geeignete Lösch- und/oder Schreiboperation für eine bestimmte Lösch- und/oder Schreiboperation in dem Speicher ausgewählt werden kann.

公开(公告)号：DE102013003452A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102013003452

申请日：2013-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHAN NIGEL ,  NIRSCHL THOMAS ,  OTTERSTEDT JAN

IPC: G11C16/26

Abstract: Einige Aspekte der vorliegenden Offenbarung betreffen eine Leseschaltung, die ein Hybrid-Leseschema, wie in diesem Dokument dargelegt, verwendet. In diesem Hybrid-Leseschema stellt eine Zustandsmaschine zu einem ersten Zeitpunkt in dem Lesevorgang das Referenzsignal SRef auf einen ersten Referenzwert ein, um die Bestimmung eines ersten Vergleichsergebnisses herbeizuführen. Zu einem zweiten, nachfolgenden Zeitpunkt in dem Lesevorgang stellt die Zustandsmaschine das Referenzsignal SRef auf einen zweiten, auf dem ersten Vergleichsergebnis basierenden Referenzwert ein. Durch das Einstellen des Referenzsignals auf den zweiten Referenzwert wird die Bestimmung eines zweiten Vergleichsergebnisses herbeigeführt. Das erste und das zweite Vergleichsergebnis werden dann verwendet, um den aus der Speicherzelle gelesenen Digitalwert zu bestimmen.