絶縁樹脂フィルム、予備硬化物、積層体及び多層基板
    74.
    发明申请
    絶縁樹脂フィルム、予備硬化物、積層体及び多層基板 审中-公开
    绝缘树脂膜,预固化产品,层压板和多层基板

    公开(公告)号:WO2014045625A1

    公开(公告)日:2014-03-27

    申请号:PCT/JP2013/059662

    申请日:2013-03-29

    Abstract:  硬化物の熱による寸法変化を小さくすることができ、更に硬化物と金属層との接着強度を高めることができる絶縁樹脂フィルムを提供する。 本発明に係る絶縁樹脂フィルム1は、粗化処理されて用いられる。本発明に係る絶縁樹脂フィルム1は、第1の主面1aと第2の主面1bとを有する。第1の主面1aは、粗化処理される面である。本発明に係る絶縁樹脂フィルム1は、エポキシ樹脂と硬化剤とシリカ2とを含む。粗化処理される面である第1の主面1a側の表面部分の厚み0.3μmの第1の領域R1の100重量%中のシリカ2の含有量が、第1の領域R1を除く第2の領域R2の100重量%中のシリカ2の含有量よりも少ないようにシリカ2が偏在している。第2の領域R2の100重量%中のシリカ2の含有量は30重量%よりも多い。

    Abstract translation: 提供了一种绝缘树脂膜,其中可以防止由固化产物的热量引起的尺寸变化并增加固化产物与金属层之间的粘合强度。 该绝缘树脂膜(1)经过粗糙化处理后使用。 该绝缘树脂膜(1)具有第一主面(1a)和第二主面(1b)。 第一主表面(1a)进行粗糙化处理。 该绝缘树脂膜(1)含有环氧树脂,固化剂和二氧化硅(2)。 二氧化硅(2)不均匀地分布,使得二氧化硅(2)的含量在第一区域(R1)的100重量%内,第一区域(R1)包含在第一主表面(1a)的经过粗糙化处理的表面部分 厚度为0.3μm,小于不包括第一区域(R1)的第二区域(R2)的100重量%以内的二氧化硅(2)的含量。 二氧化硅(2)在第二区域(R2)的100重量%内的含量大于30重量%。

    INTEGRAL CHARGE STORAGE BASEMENT AND WIDEBAND EMBEDDED DECOUPLING STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUIT
    76.
    发明申请
    INTEGRAL CHARGE STORAGE BASEMENT AND WIDEBAND EMBEDDED DECOUPLING STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
    集成电路的整体充电储存基础和宽带嵌入式解耦结构

    公开(公告)号:WO2008018875A1

    公开(公告)日:2008-02-14

    申请号:PCT/US2006/031228

    申请日:2006-08-09

    Inventor: BARNETT, Ronald

    Abstract: A capacitive structure and technique for allowing near-instantaneous charge transport and reliable, wide-band RF ground paths in integrated circuit devices such as integrated circuit dies, integrated circuit packages, printed circuit boards, and electronic circuit substrates is presented. Methods for introducing resistive loss, dielectric loss, magnetic loss, and/or radiation loss in a signal absorption ring implemented around a non-absorptive area of one or more conductive layers of an integrated circuit structure to dampen laterally flowing Electro-Magnetic (EM) waves between electrically adjacent conductive layers of the device are also presented.

    Abstract translation: 提出了用于在集成电路器件(例如集成电路管芯,集成电路封装,印刷电路板和电子电路基板)的集成电路器件中允许近瞬时电荷传送和可靠的宽带RF接地路径的电容结构和技术。 在集成电路结构的一个或多个导电层的非吸收区域周围实现的信号吸收环中引入电阻损耗,介电损耗,磁损耗和/或辐射损耗的方法,以阻尼侧向流动的电磁(EM) 还提供了装置的电相邻导电层之间的波。

    部品内蔵基板
    79.
    发明专利
    部品内蔵基板 有权
    部件内置基板

    公开(公告)号:JPWO2014007129A1

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:JP2014523694

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 部品内蔵基板(1)は、基板部(2)と、内蔵電子部品(3)と、樹脂部(5)と、を備える。基板部(2)は、内側主面(2A)に設けられた内部電極(2C)を有する。内蔵電子部品(3)は、端子電極(3A)を有し、端子電極(3A)と内部電極(2C)とに付着するはんだフィレット(4)を介して基板部(2)に実装される。樹脂部(5)は、内蔵電子部品(3)が埋め込まれた状態で基板部(2)に積層される。樹脂部(5)は、フィラー非添加層(5A)とフィラー添加層(5B)とを備える。フィラー非添加層(5A)は、内側主面(2A)から少なくともはんだフィレット(4)を覆う高さまで設けられる。フィラー添加層(5B)は、無機フィラーが添加されており、フィラー非添加層(5A)との界面から少なくとも内蔵電子部品(3)を覆う高さまで設けられる。

    Abstract translation: 元器件内置基板(1)包括一个基底部分(2),和内置电子部件(3)中,树脂部(5),一个。 基板部分(2)具有设置在内主表面(2A)上的内部电极(2C)。 内置的电子部件(3)具有端子电极(3A),通过焊脚安装到基板部分(4)附着于终端电极(3A)和内部电极(2C)(2)。 树脂部(5)在其中内置的电子部件(3)被嵌入的状态下层叠于基板部(2)。 树脂部(5)设置有一个填料不添加层(5A)填料负载层和(5B)。 填料不添加层(5A)从内主表面(2A)提供到高度用于至少覆盖焊脚(4)。 添加的填充材料层(5B)中,无机填料被添加,从界面提供与填料不添加层(5A)至一个高度至少覆盖内置的电子部件(3)。

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