-
公开(公告)号:US20100032190A1
公开(公告)日:2010-02-11
申请号:US12535760
申请日:2009-08-05
Applicant: Atsushi YAMAGUCHI , Koso MATSUNO , Ryo KUWABARA , Hiroe KOWADA , Kimiaki NAKAYA
Inventor: Atsushi YAMAGUCHI , Koso MATSUNO , Ryo KUWABARA , Hiroe KOWADA , Kimiaki NAKAYA
IPC: H05K7/20
CPC classification number: H05K3/305 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L24/75 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K1/0203 , H05K2201/0209 , H05K2201/0269 , H05K2201/10674 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , Y10T428/24372 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: A mounting structure formed by bonding the electrodes of a substantially planar electronic component to the electrodes provided on the mounting surface of a circuit board includes a sealing body 5 formed between one main surface of the electronic component and the circuit board and/or on the other main surface of the electronic component. The sealing body 5 is composed of a plurality of layers having different adhesive strengths and thermal conductivities, wherein a layer having a relatively high adhesion strength is arranged in a region being in contact with either one of the electronic component and the circuit board, and a layer having a relatively high thermal conductivity is arranged in a region being in contact with none of the electronic component and the circuit board.
Abstract translation: 通过将基本上平面的电子部件的电极接合到设置在电路基板的安装面上的电极而形成的安装结构包括形成在电子部件的一个主面和电路基板之间和/或另一个之间的密封体5 电子元件的主表面。 密封体5由具有不同粘合强度和导热性的多个层组成,其中具有相对较高粘合强度的层被布置在与电子部件和电路板中的任一个接触的区域中,并且 在与电子部件和电路基板没有接触的区域中布置具有较高热传导率的层。
-
72.Microelectronic or optoelectronic package having a polybenzoxazine-based film as an underfill material 有权
Title translation: 具有聚苯并恶嗪类膜作为底部填充材料的微电子或光电子封装公开(公告)号:US06899960B2
公开(公告)日:2005-05-31
申请号:US10104830
申请日:2002-03-22
Applicant: Song-Hua Shi , Lejun Wang , Tian-An Chen
Inventor: Song-Hua Shi , Lejun Wang , Tian-An Chen
IPC: B32B27/08 , C09J161/34 , C09J179/04 , H01B3/30 , H01B3/38 , H01L21/56 , H01L23/29
CPC classification number: C08G73/02 , B32B27/08 , C08L79/02 , C09J161/34 , C09J179/04 , H01B3/303 , H01B3/38 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/73204 , H01L2224/83101 , H01L2224/8319 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H05K3/323 , H05K2201/0269 , Y10T428/12528 , Y10T428/31511 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: Microelectronic and optoelectronic packaging embodiments are described with underfill materials including polybenzoxazine, having the general formula:
Abstract translation: 使用具有以下通式的聚苯并恶嗪的底部填充材料描述微电子和光电子封装实施例:
-
公开(公告)号:WO2014156832A1
公开(公告)日:2014-10-02
申请号:PCT/JP2014/057331
申请日:2014-03-18
Applicant: 富士フイルム株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , C08K3/08 , C08K5/02 , C08K5/13 , C08K5/32 , C08K5/3475 , C08K5/37 , C08K5/46 , C08K5/49 , C08K5/52 , C08K2003/0806 , C08K2003/0812 , C08K2003/0831 , C08K2003/085 , C09D1/00 , C09D5/24 , C09D7/40 , H01B3/445 , H05K1/09 , H05K1/092 , H05K3/125 , H05K3/282 , H05K2201/0269 , H05K2201/0338 , H05K2201/0769
Abstract: 本発明は、導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物、導電膜、および配線基板を提供することを目的とする。本発明の導電膜形成用組成物は、フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤と、金属粒子とを少なくとも含有する。
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于形成导电膜的组合物,该组合物能够形成具有优异的导电性能和离子迁移抑制性能的导电膜,以及提供导电膜和布线板。 本发明的导电膜形成用组合物至少含有金属粒子和含有氟原子的迁移抑制剂。
-
公开(公告)号:WO2014045625A1
公开(公告)日:2014-03-27
申请号:PCT/JP2013/059662
申请日:2013-03-29
Applicant: 積水化学工業株式会社
CPC classification number: B32B15/092 , B32B27/20 , B32B2264/102 , B32B2307/206 , B32B2457/08 , C08J7/042 , C08J2363/00 , C08J2483/04 , C08K3/36 , H05K1/0373 , H05K3/002 , H05K3/381 , H05K3/4676 , H05K2201/0209 , H05K2201/0269 , C08L63/00
Abstract: 硬化物の熱による寸法変化を小さくすることができ、更に硬化物と金属層との接着強度を高めることができる絶縁樹脂フィルムを提供する。 本発明に係る絶縁樹脂フィルム1は、粗化処理されて用いられる。本発明に係る絶縁樹脂フィルム1は、第1の主面1aと第2の主面1bとを有する。第1の主面1aは、粗化処理される面である。本発明に係る絶縁樹脂フィルム1は、エポキシ樹脂と硬化剤とシリカ2とを含む。粗化処理される面である第1の主面1a側の表面部分の厚み0.3μmの第1の領域R1の100重量%中のシリカ2の含有量が、第1の領域R1を除く第2の領域R2の100重量%中のシリカ2の含有量よりも少ないようにシリカ2が偏在している。第2の領域R2の100重量%中のシリカ2の含有量は30重量%よりも多い。
Abstract translation: 提供了一种绝缘树脂膜,其中可以防止由固化产物的热量引起的尺寸变化并增加固化产物与金属层之间的粘合强度。 该绝缘树脂膜(1)经过粗糙化处理后使用。 该绝缘树脂膜(1)具有第一主面(1a)和第二主面(1b)。 第一主表面(1a)进行粗糙化处理。 该绝缘树脂膜(1)含有环氧树脂,固化剂和二氧化硅(2)。 二氧化硅(2)不均匀地分布,使得二氧化硅(2)的含量在第一区域(R1)的100重量%内,第一区域(R1)包含在第一主表面(1a)的经过粗糙化处理的表面部分 厚度为0.3μm,小于不包括第一区域(R1)的第二区域(R2)的100重量%以内的二氧化硅(2)的含量。 二氧化硅(2)在第二区域(R2)的100重量%内的含量大于30重量%。
-
公开(公告)号:WO2009055554A2
公开(公告)日:2009-04-30
申请号:PCT/US2008/080932
申请日:2008-10-23
Applicant: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY , LIN, Pui-yan , RAJENDRAN, Govindasamy, Paramasivam , ZAHR, George, Elias
IPC: C12N5/00
CPC classification number: H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H05K1/0271 , H05K3/108 , H05K3/4661 , H05K2201/0209 , H05K2201/0269 , H05K2201/068 , Y10T29/49126 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , Y10T428/24917 , Y10T428/25 , Y10T428/2998 , Y10T428/31515 , Y10T428/31518 , Y10T428/31529 , H01L2924/00
Abstract: Provided, are multi-layer chip carriers comprising an asymmetric cross-linked polymeric dielectric film, and processes for making the chip carriers.
Abstract translation: 提供了包括不对称交联聚合物介电膜的多层芯片载体,以及制造芯片载体的方法。 p>
-
76.INTEGRAL CHARGE STORAGE BASEMENT AND WIDEBAND EMBEDDED DECOUPLING STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
Title translation: 集成电路的整体充电储存基础和宽带嵌入式解耦结构公开(公告)号:WO2008018875A1
公开(公告)日:2008-02-14
申请号:PCT/US2006/031228
申请日:2006-08-09
Applicant: GEOMAT INSIGHTS, LLC , BARNETT, Ronald
Inventor: BARNETT, Ronald
CPC classification number: H05K1/0216 , H01L2924/3011 , H03H7/38 , H05K1/0233 , H05K1/0234 , H05K1/167 , H05K2201/0269 , H05K2201/086 , H05K2201/09254 , H05K2201/093 , H05K2201/09309 , H05K2201/09663
Abstract: A capacitive structure and technique for allowing near-instantaneous charge transport and reliable, wide-band RF ground paths in integrated circuit devices such as integrated circuit dies, integrated circuit packages, printed circuit boards, and electronic circuit substrates is presented. Methods for introducing resistive loss, dielectric loss, magnetic loss, and/or radiation loss in a signal absorption ring implemented around a non-absorptive area of one or more conductive layers of an integrated circuit structure to dampen laterally flowing Electro-Magnetic (EM) waves between electrically adjacent conductive layers of the device are also presented.
Abstract translation: 提出了用于在集成电路器件(例如集成电路管芯,集成电路封装,印刷电路板和电子电路基板)的集成电路器件中允许近瞬时电荷传送和可靠的宽带RF接地路径的电容结构和技术。 在集成电路结构的一个或多个导电层的非吸收区域周围实现的信号吸收环中引入电阻损耗,介电损耗,磁损耗和/或辐射损耗的方法,以阻尼侧向流动的电磁(EM) 还提供了装置的电相邻导电层之间的波。
-
公开(公告)号:WO2006007248A3
公开(公告)日:2006-10-05
申请号:PCT/US2005019077
申请日:2005-06-01
Applicant: TPL INC , SLENES KIRK M , PERRY DALE , LABANOWSKI CHRISTOPHER , PERRY HOPE , LUTHER ERIK
Inventor: SLENES KIRK M , PERRY DALE , LABANOWSKI CHRISTOPHER , PERRY HOPE , LUTHER ERIK
IPC: C08K3/22
CPC classification number: C08K3/34 , H01G4/206 , H01L28/40 , H05K1/162 , H05K2201/0209 , H05K2201/0257 , H05K2201/0269 , H05K2203/105
Abstract: The present invention provides a structured, nano-composite, dielectric film. The invention also provides a method for producing the thin composite film. The composite material comprises ceramic dielectric particles, preferably nano-sized particles, and a thermoset polymer system. The composite material exhibits a high energy density.
Abstract translation: 本发明提供了一种结构化的纳米复合电介质膜。 本发明还提供了一种制造该薄复合膜的方法。 该复合材料包含陶瓷介电颗粒,优选纳米尺寸的颗粒和热固性聚合物体系。 该复合材料表现出高能量密度。
-
公开(公告)号:JP5961703B2
公开(公告)日:2016-08-02
申请号:JP2014550118
申请日:2013-11-13
Applicant: 京セラ株式会社
CPC classification number: H05K1/0306 , H05K1/0298 , H05K1/115 , H05K1/181 , H05K3/4655 , H05K1/0373 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0269 , H05K2201/068 , H05K2201/09036 , H05K3/4602 , H05K3/4652
-
公开(公告)号:JPWO2014007129A1
公开(公告)日:2016-06-02
申请号:JP2014523694
申请日:2013-06-27
Applicant: 株式会社村田製作所
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L2224/16 , H05K1/036 , H05K1/0373 , H05K1/186 , H05K3/284 , H05K3/3442 , H05K3/4069 , H05K3/4602 , H05K3/4623 , H05K3/4626 , H05K3/4652 , H05K3/4673 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0269 , H05K2201/0347 , H05K2201/09136 , H05K2201/10636 , H05K2203/0126 , H05K2203/0465 , H05K2203/085 , H05K2203/1316 , H05K2203/1322 , Y02P70/611
Abstract: 部品内蔵基板(1)は、基板部(2)と、内蔵電子部品(3)と、樹脂部(5)と、を備える。基板部(2)は、内側主面(2A)に設けられた内部電極(2C)を有する。内蔵電子部品(3)は、端子電極(3A)を有し、端子電極(3A)と内部電極(2C)とに付着するはんだフィレット(4)を介して基板部(2)に実装される。樹脂部(5)は、内蔵電子部品(3)が埋め込まれた状態で基板部(2)に積層される。樹脂部(5)は、フィラー非添加層(5A)とフィラー添加層(5B)とを備える。フィラー非添加層(5A)は、内側主面(2A)から少なくともはんだフィレット(4)を覆う高さまで設けられる。フィラー添加層(5B)は、無機フィラーが添加されており、フィラー非添加層(5A)との界面から少なくとも内蔵電子部品(3)を覆う高さまで設けられる。
Abstract translation: 元器件内置基板(1)包括一个基底部分(2),和内置电子部件(3)中,树脂部(5),一个。 基板部分(2)具有设置在内主表面(2A)上的内部电极(2C)。 内置的电子部件(3)具有端子电极(3A),通过焊脚安装到基板部分(4)附着于终端电极(3A)和内部电极(2C)(2)。 树脂部(5)在其中内置的电子部件(3)被嵌入的状态下层叠于基板部(2)。 树脂部(5)设置有一个填料不添加层(5A)填料负载层和(5B)。 填料不添加层(5A)从内主表面(2A)提供到高度用于至少覆盖焊脚(4)。 添加的填充材料层(5B)中,无机填料被添加,从界面提供与填料不添加层(5A)至一个高度至少覆盖内置的电子部件(3)。
-
公开(公告)号:JP2015043411A
公开(公告)日:2015-03-05
申请号:JP2014118974
申请日:2014-06-09
Applicant: サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. , Samsung Electro-Mechanics Co Ltd , サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.
Inventor: LEE CHOON KEUN , KIM DONG HOON , JANG JONG YOON , JUNG JAE HYUN , CHO JAE CHOON
CPC classification number: H05K1/036 , H05K1/0366 , H05K1/0373 , H05K2201/0145 , H05K2201/0154 , H05K2201/0158 , H05K2201/0269 , Y10T428/264 , Y10T428/31515
Abstract: 【課題】内層回路及び内層回路のスルーホールの充填性を向上させることができる印刷回路基板用絶縁フィルム及びそれを用いた製品を提供する。【解決手段】本発明の印刷回路基板用絶縁フィルム200は、キャリアフィルム12と、キャリアフィルム12上に形成され、無機充填剤を含む絶縁層100と、絶縁層100上に形成されたカバーフィルム10と、を含み、ここで、絶縁層100中の無機充填剤の含量は、キャリアフィルム12からカバーフィルム10側に向かって低くなる濃度勾配を有するものである。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于印刷电路板的绝缘膜和使用该绝缘膜的产品,其能够增加内层电路和内层电路的通孔的填充性。解决方案:用于印刷的绝缘膜200 电路板包括:载体膜12; 形成在载体膜12上并包含无机填料的绝缘层100; 以及形成在绝缘层100上的覆盖膜10.绝缘层100中的无机填料的含量具有从载体膜12朝向覆盖膜10减小的浓度梯度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-