用于等离子体晶片处理的混合边缘环

    公开(公告)号:CN103996593B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410053976.5

    申请日:2014-02-18

    Abstract: 本发明涉及一种用于等离子体晶片处理的混合边缘环,具体公开了一种在等离子体处理室中使用的边缘环组件,所述边缘环组件包括:射频导电环,其被定位在底板的环形表面上,并被配置为包围所述底板的上部,且在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外缘下面延伸;以及晶片边缘保护环,其被定位在所述射频导电环的上表面的上方并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸。所述保护环具有:厚度均匀的内缘部分,所述内缘部分在所述晶片的外缘上延伸;从所述内缘部分向外延伸到水平上表面的圆锥形上表面;以及内环槽,所述内环槽被定位在所述射频导电环的上表面上并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸。

    一种多孔光阑的制备方法

    公开(公告)号:CN104599927A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201410817305.1

    申请日:2014-12-24

    CPC classification number: H01J9/14 H01J37/09

    Abstract: 本发明公开了一种多孔光阑的制备方法,包括以下步骤:对圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗,并使用N2吹干;将经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干;使用匀胶机涂上正性光刻胶,并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理,得到光刻后的圆形金属钼片;将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌,腐蚀液由磷酸、硝酸、乙酸和去离子水组成;用去离子水对腐蚀后的圆形金属钼片冲洗,然后进行刻蚀处理;将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理,得到多孔结构光阑。本发明的一种多孔结构光阑的制备方法,解决了现有技术中存在的光阑加工效率低、成本高的技术问题。

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