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公开(公告)号：KR101725115B1
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020100129038
申请日：2010-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B60C23/0411 , H01L41/1134 , H01L41/25 , H02N2/186
Abstract: 본발명은무선센서망용플렉시블기판을이용한슬림-자급자족형(slim self-powering) 전원공급장치및 센서노드와이들의제작방법에관한것이다. 본발명에의하면, 플렉시블(flexible) PCB 기판, 플렉시블 PCB 기판상에위치한하부전극, 하부전극상에증착된캔틸레버구조를갖는압전체및 압전체상에형성된상부전극을포함하는자급자족형전원공급장치가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020170027257A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020160020723
申请日：2016-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은복수의비자성기판들이적층된제1 적층체; 비자성기판들중 적어도어느하나에배치된전자소자들; 상기전자소자가배치된상기비자성기판상에배치되어, 상기전자소자와연결되는제1 도전성패턴들; 상기제1 도전성패턴들의각각을연결되는적어도하나의제1 비아전극; 상기제1 적층체의일측에배치되고, 복수의자성시트들이적층된제2 적층체; 상기자성시트들중 적어도 2개에배치되는제2 도전성패턴들; 및상기제2 도전성패턴들의각각을연결하는적어도하나의제2 비아전극을포함하고, 상기제1 비아전극과상기제2 비아전극은서로연결되는전력변환장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150068729A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020130154740
申请日：2013-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/427 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/467 , H01L23/3677 , H01L23/427 , H01L23/473 , H05K7/20336
Abstract: 본발명은평판방열소자의구조를제공한다. 이평판방열소자는작동유체로채워진진공의관통영역을갖는평판, 및상기평판상에배치된복수개의히트싱크핀들을포함하고, 상기관통영역은모세관력에의해상기작동유체의유통경로를제공하는복수개의그루브들을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供一种平板式散热装置。 平板式散热装置包括：平板，其具有填充有工作流体的真空穿透区域，以及布置在平板上的散热销。 穿透区域包括由毛细管力产生的工作流体的流动路径。
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公开(公告)号：KR101158044B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020090028248
申请日：2009-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity MEMS type z-axis vibration sensor and a manufacturing method thereof are provided to apply to a seismometer detecting a low frequency of a seismic wave with very little vibration quantity and low vibration speed. CONSTITUTION: A manufacturing method of a high-sensitivity mems type z-axis vibration sensor is as follows. After preparing a SOI substrate, The top silicon layer(130a) of the SOI substrate to be used as a bottom electrode is doped. A poly silicon layer(170a) to be used as a center ground electrode and an oxide film of a predetermined thickness are formed at the top of the doped top silicon layer. The poly silicon layer is doped. A sacrifice layer oxidation film(147a) of a predetermined thickness and a top electrode(190) are formed at the top of the doped poly silicon layer. An etching process is continuously performed from the silicon wafer(110) of the bottom of the SOI substrate to isolate the area to be further connected to center of mass of a center ground electrode from the doped top silicon layer. By etching the sacrifice layer oxidation film and the oxide film through the top of the top electrode, the doped poly silicon layer forms a vibration space capable of vibrating in the Z-axis direction.
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公开(公告)号：KR1020100070220A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128848
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N27/121
Abstract: PURPOSE: A humidity sensor and a manufacturing method thereof are provided to increase humidity measuring sensitivity, and to reduce hysteresis, and to reduce power consumption. CONSTITUTION: A humidity sensor comprises a substrate(401), a cavity(416), electrode pads(EH,ES,EG), a heater(415), a detection electrode(414), a humidity sensing layer(430), and a surrounding temperature measuring unit(420). The cavity is formed in the substrate, and the top is opened. The electrode pads are formed on the substrate. One end of the heater is connected to one of the electrode pads, and the other end is connected to the other electrode pad. The humidity sensing layer is formed between the heater and the detection electrode. The surrounding temperature measuring unit measures temperature surrounding the humidity sensor.
Abstract translation: 目的：提供一种湿度传感器及其制造方法，以增加湿度测量灵敏度，并减少滞后并降低功耗。 构成：湿度传感器包括衬底（401），空腔（416），电极焊盘（EH，ES，EG），加热器（415），检测电极（414），湿度感测层（430）和 周边温度测量单元（420）。 空腔形成在基板中，顶部打开。 电极焊盘形成在基板上。 加热器的一端连接到一个电极焊盘，另一端连接到另一个电极焊盘。 在加热器和检测电极之间形成湿度感测层。 周围的温度测量单元测量湿度传感器周围的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100959134B1
公开(公告)日：2010-05-25
申请号：KR1020070132335
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 반도체 가스 센서에 관한 것으로, 기저와, 상기 기저 상에 배치된 전극과, 상기 기저 상에 배치되어 상기 전극과 전기적으로 연결된 하부 감지막과, 그리고 상기 하부 감지막을 감싸며, 미세 기둥들 사이에 틈들을 포함하는 박막으로 구성된 상부 감지막을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 미세 기둥 구조를 갖는 상부 감지막을 하부 감지막 위에 형성하여 가스 군의 입자 크기에 따라 가스 감지 신호를 얻을 수 있어서 선택적인 가스 검출을 할 수 있게 된다.
반도체 가스 센서, 선택적 가스 감지, 금속산화물, 경사 증착-
公开(公告)号：KR100937593B1
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：KR1020070128848
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 반도체 가스 센서 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 소이(SOI) 실리콘 기판의 단결정 실리콘을 불순물로 도핑하여 가스 센서의 히터로 이용하고 또한 단결정 실리콘을 센서 멤브레인으로 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 도핑된 단결정 실리콘을 히터 및 센서 멤브레인으로 활용하므로써 300℃ 이상의 고온 동작시 열에 의한 스트레스에 대한 내구성을 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 또한 소이 기판을 채택하므로써 히터의 열이 하부 실리콘 벌크로 손실되는 것을 최대한 줄일 수 있는 효과가 있다.
반도체 가스 센서, 미세기전집적시스템(MEMS), 실리콘 마이크로 히터-
公开(公告)号：KR1020090059448A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020070126314
申请日：2007-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C12M23/20 , B01L3/5027 , B01L7/00 , C12M23/16 , C12M41/12 , Y10T29/49124
Abstract: A portable small cell incubator is provided to supply gas which is necessary in culturing animal cell and regulate the temperature of culture medium. A portable small cell incubator contains an upper plate(100), lower plate(300) and middle thin film(200). The upper plate contains a minute heat wire(110) and medium storage space(130) by PDMS(polydimethylsiloxane). The lower plate contains a storage space(330) of liquid and solid and gas movement channel. A method for manufacturing the incubator comprises: a step of depositing a metal on the lower plate; a step of forming minute heat wire; a step of attaching a PDMS(polydimethylsiloxane) film on the upper side of lower plate; a step of attaching PDMS thin film having gas permeability on the upper side of gas movement channel; and a step of attaching the upper plate.
Abstract translation: 提供便携式小细胞培养器来提供培养动物细胞所必需的气体并调节培养基的温度。 便携式小电池培养箱包含上板（100），下板（300）和中间薄膜（200）。 上板由PDMS（聚二甲基硅氧烷）包含微小的热丝（110）和介质储存空间（130）。 下板包含液体和固体和气体运动通道的储存空间（330）。 一种用于制造所述培养箱的方法，包括：在所述下板上沉积金属的步骤; 形成分热丝的步骤; 在下板的上侧附着PDMS（聚二甲基硅氧烷）膜的步骤; 在气体流动通道的上侧附着具有透气性的PDMS薄膜的步骤; 以及附接上板的步骤。
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89.发明授权생체분자 또는 고분자 어레이 형성용 프로그래머블 마스크,그를 포함하는 생체분자 또는 고분자 어레이 형성용 장치,및 그를 이용한 생체분자 또는 고분자 어레이 형성 방법 失效用于制造生物分子或聚合物阵列的可编程掩模，用于制造包含其的生物分子或聚合物阵列的装置，以及使用可编程掩模制造生物分子或聚合物阵列的方法
公开(公告)号：KR100785779B1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：KR1020060056528
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C12Q1/68
Abstract: 본 발명의 목적은 신속하게 고밀도의 생체분자 또는 고분자 어레이를 제작할 수 있는 생체분자 또는 고분자 어레이 형성용 프로그래머블 마스크, 그를 포함하는 생체분자 또는 고분자 어레이 형성용 장치, 및 그를 이용한 생체분자 또는 고분자 어레이 형성 방법에 관한 것이다. 상기 본 발명에 따른 생체분자 또는 고분자 어레이 형성용 프로그래머블 마스크는 개구부들을 가지는 블랙 매트릭스 및 제1 픽셀 전극들을 포함하는 제1 기판; 인가된 전기적 신호에 따라 상기 개구부들에 대응하는 픽셀 영역들을 스위칭하기 위한 박막 트랜지스터들 및 상기 박막 트랜지스터들의 드레인 전극들과 연결된 제2 픽셀 전극들을 포함하는 제2 기판; 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성되고 상기 박막 트랜지스터들의 전기적 신호에 따라 배열 상태가 변화하여 빛을 선택적으로 투과시키는 액정을 포함하는 액정층; 상기 제1 기판의 일면에 적층되는 제1 편광판; 상기 제2 기판의 일면에 적층되는 제2 편광판; 및 상기 제2 편광판의 일면에 적층되고, 상기 픽셀 영역들에 대응하는 렌즈들을 포함하는 렌즈 어레이 층을 포함한다.
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公开(公告)号：KR100701151B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050116591
申请日：2005-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A method of fabricating an air-gap structure for MEMSs(MicroElectroMechanical Systems) is provided to selectively etch a thick oxide layer by forming a micro channel with a rapid etching speed of a high concentration impurity thin film. A method of fabricating an air-gap structure for MEMSs includes the steps of forming a first conductive layer on a top of a first surface(100a) of a substrate(100), forming a plurality of stoppers on the first conductive layer, forming an etching hole on a predetermined region of the first conductive layer, forming a sacrificial layer including a high concentration impurity material thin film on the first conductive layer and the stopper, forming a second conductive layer on the sacrificial layer, and forming a cavity on the first conductive layer by removing the sacrificial layer including the high concentration impurity thin film with a wet etching method through an etching hole of the first conductive layer.
Abstract translation: 提供一种制造用于MEMS的气隙结构（MicroElectroMechanical Systems）的方法，以通过以高浓度杂质薄膜的快速蚀刻速度形成微通道来选择性地蚀刻厚氧化物层。 一种制造用于MEMS的气隙结构的方法包括以下步骤：在基板（100）的第一表面（100a）的顶部上形成第一导电层，在第一导电层上形成多个塞子，形成 在所述第一导电层的预定区域上蚀刻孔，在所述第一导电层和所述阻挡层上形成包括高浓度杂质材料薄膜的牺牲层，在所述牺牲层上形成第二导电层，以及在所述第一导电层上形成空腔 通过通过第一导电层的蚀刻孔通过湿蚀刻方法去除包括高浓度杂质薄膜的牺牲层。
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