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公开(公告)号：KR1019970018100A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950030292
申请日：1995-09-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/288
Abstract: 본 발명은 접촉 홀 매립방법에 관한 것으로서, 접촉 홀에 의해 도선 또는 반도체기판의 확산 영역을 노출시키는 산화막을 형성하고, 이 산화막의 상부와 접촉 홀의 내부에 장벽 금속층과 젖음층을 순차적으로 형성하며, 상기 젖음층의 상부에 CVD 방법에 의해 도전성 금속층을 형성한 후 이 도전성 금속층 표면의 불순물과 산화물을 제거하도록 플라즈마 상태에서 세정 식각하고, 상기 세정 식각을 수행한 반응로에서 300∼500℃ 정도의 온도로 도전성 금속층을 리플로우시켜 보이드를 채워 접촉 홀을 매립한다. 따라서, 도전성 금속층 표면의 원자들의 이동 특성을 향상시켜 낮은 온도에서 리플로우가 가능하도록 하여 PN 접합면에 스파이크의 발생을 저하시킬 수 있으며, 또한, 도전성 금속층 표면의 원자들의 향상된 이동 특성은 아일랜드를 생성으로 인한 도선이 끊어지는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970004476B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930026310
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: The automatic horizontal balance measuring device for a wafer is composed of an automatic horizontal balance measurer(1-20,20), a stage(30) which has X,Y horizontal mobility, and a reduced projection lens(40) which ensures the image forming on the wafer. As a light source it uses the semiconductor laser(1), and as a light direction adjuster, it uses a sector polarizer(11). With the light reducer(12) which can adjust the light amount, it receives the laser beam and converts into a parallel light. It comes on the surface of the wafer at the incidence angle of 76 degree. And by incidence, the parallel beam at the surface of wafer at larger incidence angle, it can obtain the larger area measurement.
Abstract translation: 用于晶片的自动水平平衡测量装置由自动水平平衡测量器（1-20,20），具有X，Y水平移动性的平台（30）和确保图像的减小投影透镜（40）组成 在晶片上形成。 作为光源，使用半导体激光器（1），并且作为光方向调整器，其使用扇形偏振器（11）。 利用可以调节光量的减光器（12），它接收激光束并转换成平行光。 它以76度的入射角落在晶片的表面上。 并且通过入射，平行光束在晶圆表面的入射角较大时，可以获得较大的面积测量。
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公开(公告)号：KR1019960026076A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940033475
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 노광장비인 웨이퍼 스테퍼의 웨이퍼 정렬방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 레이저 광원으로는 He-Ne 레이저 대신에 자기장에 의한 에너지 띄의 미세분리 효과를 이용한 제만(Zeeman) 레이저로서 두 광파가 수 MHz의 상이한 주파수 차를가지며 두 광파의 편광이 항상 수직을 유지하는 제만 주파수 안정화 레이저를 사용하여 정렬광의 위상과 레이저 기준신호의 위상을 비교함으로써 수십 KHz의 상이한 주파수 차를 가지는 두 광파로 분리하기 위해서 광-음향 변조기(acousto-optic modulator)를 사용해야 하는 종래의 He-Ne 레이저에 비해 비교적 간단한 광학계로 빠른 정렬과 높은 정렬 정밀도를달성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960026075A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940033474
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 스탭퍼에 있어서 반도체 미세회로 패턴을 지닌 마스크 패턴이 옮겨질 웨이퍼 사이를 정렬하는 정렬장치 및 그 방법에 관한 것으로 웨이퍼를 바로 노광위치에서 정렬을 수행하고 노광을 하며 또는 노광을 수행하는 동안에도 웨이퍼 정렬을 수행할 수 있으며 정렬광을 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법으로써 off-axis 정렬 방식에서 웨이퍼 스테이지 base-line 오차가 근본적으로 발생하지 않도록 하는 웨이퍼 스탭퍼에서 정렬광의 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법과 그 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960009234A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940019492
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
Abstract: 본 발명은 포토리소그래피에 의해 미세한 선폭으로 T-게이트 패턴을 형성하는 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 방법은 미세선폭의 해상도를 향상시키기 위해 포지트브형 포토레지스트(positive type photoresist)를 사용하여 고립선(isolated line)의 형성한 후 저온 CVD방법으로 절연막을 증착하고, 이어 레지스트 패턴을 제거하는 패턴반전(pattern reversal)공정을 사용한다.
본 발명은 미세한 게이트 선폭을 패턴반전공정을 사용하여 보다 용이하게 실현할 수 있는 공정으로, 종래의 전자빔 리소그래피를 이용한 T-게이트 형성방법에 비하여는 포토리소그래피 기술을 사용하기 때문에 생산성 및 재현성이 우수하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960009233A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940019489
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
Abstract: 본 발명은 HEMT 소자제작에 있어서 사용되는 T-게이트 형성방법에 관한 것으로, 종래기술에서 전자빔에 의한 이중 노광을 사용할 경우 전자빔 리소그래피의 단점인 처리량에 치명적인 영향을 미치는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 MIBK:IPA=1:1 현상액에서 60초 동안, PMMA 현상을 한후 섭씨 120도 열판에서 경화건조를 행하고 AZ5214E 레지스트(12)를 1.27um 도포한 후 연화건조(soft bake)를 120도에서 90초 동안 열판에서 행한 후, 250mW/㎠를 갖는 밀착기(contact printer)에서 20초 동안 수행한 후 게이트 금속막(5)을 1um 이하 원하는 두께만큼 증착하고서 리프트 오프 공정에 의해서 T-게이트를 형성하는 방법을 제공함으로써 T-게이트 헤드 부위의 단 면적이 크게되어 게이트 저항과 잡음을 최대한 줄일 수 있는 HEMT 소자제작이 가능하다.
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