公开(公告)号：GB2516599B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：GB201421348

申请日：2013-04-29

Applicant: IBM ,  EGYPT NANOTECHNOLOGY CT EGNC

Inventor： AFIFY NASER D ,  ANDREONI WANDA ,  CURIONI ALESSANDRO ,  KHOMYAKOV PETR ,  KIM JEE HWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0376

公开(公告)号：DE102014116231A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014116231

申请日：2014-11-07

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  OTT JOHN A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/30

Abstract: Eine Abspalt-Ablösungsebene wird in eine Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht eingebettet gebildet. Die Abspalt-Ablösungsebene umfasst ein Material, welches eine andere Spannung, eine andere Struktur und eine andere Zusammensetzung als die Abschnitte der Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht aufweist, welche die Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht bereitstellen und die Abspalt-Ablösungsebene einbetten. Die Abspalt-Ablösungsebene stellt eine Region einer geschwächten Materialebene innerhalb der Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht bereit, welche während eines anschließend durchgeführten Abspaltverfahrens verwendet werden kann, um einen der Abschnitte des Gruppe-III-Nitridmaterials von der ursprünglichen Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht abzulösen. Speziell tritt während des Abspaltverfahrens innerhalb der Abspalt-Ablösungsebene, die in die ursprüngliche Gruppe-III-Nitrid-Materialschicht eingebettet ist, ein Beginn und eine Fortpflanzung von Rissen auf.

公开(公告)号：DE112012003057T5

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：DE112012003057

申请日：2012-03-12

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  HOPSTAKEN MARINUS ,  PARK DAE-GYU ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/265

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleitermaterials einer Photovoltaikeinheit, das ein Bereitstellen einer Fläche eines Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, und ein Tempern des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, in einer Deuterium enthaltenden Atmosphäre beinhaltet. Deuterium aus der Deuterium enthaltenden Atmosphäre wird in das Gitter des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, durch die Fläche des Materials eingebracht, das hydriertes, amorphes Silicium enthält. Bei einigen Ausführungsformen erhöht das Deuterium, das in das Gitter des Materials eingebracht wird, das hydriertes, amorphes Silicium enthält, die Stabilität des Materials, das hydriertes, amorphes Silicium enthält.

公开(公告)号：GB2498854B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：GB201300575

申请日：2013-01-14

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/80

Abstract: Improved semiconductor substrates are provided that employ a wide bandgap material between the channel and the insulator. A semiconductor substrate comprises a channel layer comprised of a III-V material; an insulator layer; and a wide bandgap material between the channel layer and the insulator layer, wherein a conduction band offset (DeltaEc) between the channel layer and the wide bandgap material is between 0.05 eV and 0.8 eV. The channel layer can be comprised of, for example, In1-xGaxAs or In1-xGaxSb, with x varying from 0 to 1. The wide bandgap material can be comprised of, for example, In1-yAlyAs, In1-yAlyP, Al1-yGayAs or In1-yGayP, with y varying from 0 to 1.

公开(公告)号：GB2504430A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：GB201320003

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer (406) and forming an intrinsic layer (410) on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated (412) with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed (414) on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.

公开(公告)号：GB2502311A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：GB201209080

申请日：2012-05-24

Applicant: IBM ,  EGYPT NANOTECHNOLOGY CT EGNC

Inventor： KHOMYAKOV PETR ,  CURIONI ALESSANDRO ,  ANDREONI WANDA ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  AFIFY NASSER D

IPC: H01L31/04

Abstract: A photovoltaic solar cell device comprises an amorphous semiconductor light absorbing material (Fig. 2; 34, 35), in particular a thin film hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) material; and a band-stop filter structure (Fig. 2; 20) with a given stop band, the structure arranged to attenuate electromagnetic radiation reaching the light absorbing material and having angular frequencies w* within the stop band such that w min

公开(公告)号：DE102013202366A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102013202366

申请日：2013-02-14

Applicant: BAY ZU PREC CO ,  IBM

Inventor： HOPSTAKEN MARINUS J ,  HUANG CHIEN-CHIH ,  SADANA DEVENDRA K ,  HONG AUGUSTIN J ,  HUANG YU-WEI ,  KIM JEEHWAN ,  TSENG CHIH-FU

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/075

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit beinhalten Abscheiden einer p-leitenden Schicht auf einem Substrat und Reinigen der p-leitenden Schicht, indem eine Oberfläche der p-leitenden Schicht einer Plasmabehandlung ausgesetzt wird, um mit Verunreinigungsstoffen zu reagieren. Auf der p-leitenden Schicht wird eine intrinsische Schicht gebildet, und auf der intrinsischen Schicht wird eine n-leitende Schicht gebildet.

公开(公告)号：DE102012212447A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102012212447

申请日：2012-07-17

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/302 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0687

Abstract: Ein Verfahren zur Bildung einer Photovoltaikeinheit beinhaltet das Verbinden eines Substrate mit einer germaniumhaltigen Halbleiterschicht mittels einer Zugspannungsschicht, wobei die Zugspannungsschicht die germaniumhaltige Halbleiterschicht spaltet. Auf einer Spaltfläche der germaniumhaltigen Halbleiterschicht wird mindestens eine Halbleiterschicht gebildet, deren Leitungstyp dem Zeitungstyp der germaniumhaltigen Halbleiterschicht entgegengesetzt ist, um eine erste Solarzelle bereitzustellen. Die erste Solarzelle absorbiert einen ersten Wellenlängenbereich. Auf der ersten Solarzelle wird mindestens eine zweite Solarzelle gebildet, wobei die mindestens eine zweite Solarzelle aus mindestens einem Halbleitermaterial besteht, um einen zweiten Wellenlängenbereich zu absorbieren, der von dem durch die erste Solarzelle absorbierten ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.

公开(公告)号：DE102012211296A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE102012211296

申请日：2012-06-29

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  BEDELL STEPHEN W ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747

Abstract: Es wird eine InxGa1-xAs-Zwischenschicht zwischen einer III/V-Basis und einer eigenleitenden amorphen Halbleiterschicht einer III/V-Heteroübergangs-Solarzellenstruktur bereitgestellt. Durch den Einbau der Zwischenschicht in die Struktur kann eine verbesserte Oberflächenpassivierung und Leerlautspannung erhalten werden.

公开(公告)号：DE102012209887A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209887

申请日：2012-06-13

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

Abstract: Ein Verfahren zum Spalten eines Halbleitermaterials, welches das Bereitstellen eines Germaniumsubstrats mit einer darin vorliegenden Germanium- und Zinnlegierungsschicht umfasst. Eine eine mechanische Spannung erzeugende Schicht wird auf einer Oberfläche des Germaniumsubstrats abgeschieden. Eine mechanische Spannung aus der eine mechanische Spannung erzeugenden Schicht wird an das Germaniumsubstrat angelegt, wobei die mechanische Spannung das Germaniumsubstrat spaltet, um eine Spaltoberfläche bereitzustellen. Die Spaltoberfläche des Germaniumsubstrats wird dann selektiv bis zur Germanium- und Zinnlegierungsschicht des Germaniumsubstrats entfernt. In einer weiteren Ausführungsform kann die Germanium- und Zinnlegierungsschicht während eines Abplatzverfahrens als eine Bruchebene fungieren.