中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

103 records (took 0.025 seconds)

    81.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10313609A1

    公开(公告)日：2004-10-14

    申请号：DE10313609

    申请日：2003-03-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PHILIPPENS MARC ,  PLAINE GLENN-YVES ,  ALBRECHT TONY ,  BRICK PETER

    IPC: H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187

    Abstract: A semiconductor laser, contains at least one absorbing layer ( 8 ) in its laser resonator, said absorbing layer reducing the transmission T Res of the laser radiation ( 10 ) in the laser resonator for the purpose of decreasing the sensitivity of the semiconductor laser to disturbances created by radiation ( 9 ) fed back into the laser resonator. This reduces fluctuations in the output power due to fed-back radiation ( 9 ).

    Optisches Sensormodul
    84.
    发明专利
    Optisches Sensormodul 未知

    公开(公告)号：DE102004047679B4

    公开(公告)日：2017-05-04

    申请号：DE102004047679

    申请日：2004-09-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRICK PETER DR ,  STEEGMÜLLER ULRICH DR ,  ALBRECHT TONY ,  PHILIPPENS MARC DR

    IPC: G01V8/10 ,  G01S17/02

    Abstract: Optisches Sensormodul (1) mit einem Halbleiterkörper, der – eine Halbleiterlaservorrichtung (1a) zur Emission von kohärenter Strahlung (3) mit einem Verstärkerbereich (12a), einem Resonatorspiegel (11) und einem Auskoppelspiegel (13), – ein Detektorelement (1b) mit einer strahlungsdetektierenden Zone (12b) und – einen Wellenleiterbereich (1c) mit einem Wellenleiter (12c) aufweist, wobei – das Detektorelement (1b) über den Wellenleiter (12c) mit der Halbleiterlaservorrichtung (1a) verbunden ist, – der Wellenleiter (12c) in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlungsrichtung der von der Halbleiterlaservorrichtung (1a) emittierten kohärenten Strahlung (3) angeordnet ist, – die Halbleiterlaservorrichtung (1a), das Detektorelement (1b) und der Wellenleiterbereich (1c) monolithisch integriert sind, – die Reflektivität des Auskoppelspiegels (13) so optimiert ist, dass die von dem Detektor detektierte Strahlung durch die Bewegung eines von der Halbleiterlaservorrichtung (1a) beleuchteten und rückstreuenden Objekts beeinflusst wird, – das Detektorelement (1b) zur Detektion von Strahlung aus der Halbleiterlaservorrichtung (1a) eingerichtet ist, – die von dem Detektorelement (1b) detektierte Strahlung aus der Halbleiterlaservorrichtung (1a) teilweise inkohärente Strahlung (4) ist, – der Wellenleiter (12c) zwischen Halbleiterlaservorrichtung (1a) und Detektorelement (1b) unterbrochen ist.

    Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenfilamenten und Leuchtdiodenfilament
    85.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenfilamenten und Leuchtdiodenfilament 未知

    公开(公告)号：DE102015114849A1

    公开(公告)日：2017-03-09

    申请号：DE102015114849

    申请日：2015-09-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHLERETH THOMAS ,  TÅNGRING IVAR ,  ALBRECHT TONY

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/58 ,  H01L33/64

    Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenfilamenten (10) und umfasst die Schritte: A) Aufbringen von Leuchtdiodenchips (3) direkt auf einen ersten Träger (1), B) Abdecken der Leuchtdiodenchips (3) mit einem zweiten Träger (2), C) Umspritzen der Leuchtdiodenchips (3) mit einem Vergusskörper (4) zu einem zusammenhängenden Filamentverbund (40), wobei die beiden Träger (1, 2) als Gussformen dienen und wobei der Vergusskörper (4) direkt an die Leuchtdiodenchips (3) angeformt wird, D) Entfernen des ersten Trägers (1) oder des zweiten Trägers (2) oder von beiden Trägern (1, 2), E) Anbringen von elektrischen Verbindungen (5) an den Vergusskörper (4) und zwischen den Leuchtdiodenchips (3), sodass die Leuchtdiodenchips (3) elektrisch verschaltet werden, und F) Vereinzeln des Filamentverbunds (40) zu den Leuchtdiodenfilamenten (10), wobei jedes der fertigen Leuchtdiodenfilamente (10) mechanisch selbsttragend ist, mindestens acht der Leuchtdiodenchips (3) umfasst und ein Verhältnis aus Länge zu Breite von mindestens 15 aufweist.

    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips
    86.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102013103983A1

    公开(公告)日：2014-11-06

    申请号：DE102013103983

    申请日：2013-04-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RICHTER MARKUS ,  BAUMGARTNER ALEXANDER ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  ALBRECHT TONY

    IPC: H01L33/50 ,  F21K2/00 ,  F21V9/40 ,  H01L25/075 ,  H01L33/10

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleiterkörpern (1), die dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) auszusenden, – Aufbringen der Halbleiterkörper (1) auf einen Träger (2), – Aufbringen einer ersten Maskenschicht (4) auf Bereiche des Trägers (2) zwischen den Halbleiterkörpern (1), – vollflächiges Aufbringen einer Konversionsschicht (5) mit einem Sprühbeschichtungsverfahren auf die Halbleiterkörper (1) und die erste Maskenschicht (4), und – Entfernen der ersten Maskenschicht (4), so dass jeweils eine Konversionsschicht (5) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) der Halbleiterkörper (1) entsteht.

    Ringlichtmodul und Verfahren zur Herstellung eines Ringlichtmoduls
    87.
    发明专利
    Ringlichtmodul und Verfahren zur Herstellung eines Ringlichtmoduls 未知

    公开(公告)号：DE102012109149A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012109149

    申请日：2012-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ALBRECHT TONY ,  SCHLERETH THOMAS ,  SCHULZ ROLAND ,  GAERTNER CHRISTIAN ,  BESTELE MICHAEL ,  MARFELD JAN ,  KIRSCH MARKUS ,  KAISER STEPHAN

    IPC: F21V7/00 ,  F21K99/00 ,  F21V9/40 ,  F21V13/04 ,  F21V14/02 ,  F21V14/04 ,  F21V29/00 ,  H01L33/60

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere erste und mehrere zweite Licht emittierende optoelektronische Halbleiterbauteile (2) mit je einer Hauptemissionsrichtung (20), wobei die ersten Halbleiterbauteile eine von den zweiten Halbleiterbauteilen verschiedene spektrale Emission aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile (2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin.

    90.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10243545B4

    公开(公告)日：2008-05-21

    申请号：DE10243545

    申请日：2002-09-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ALBRECHT TONY ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H01S5/40 ,  H01S3/0941 ,  H01S5/026 ,  H01S5/04 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/34

    Abstract: The optically pumped semiconducting laser has a vertical emitter (2) and at least one pump laser (5) for optically pumping the vertical emitter, whereby the vertical emitter and pump laser are monolithically integrated. When the pump laser is operating, a radiation emitting zone (6) is at a first temperature and the vertical emitter has a radiation emitting zone (3) at a second, higher temperature.

Patent Agency Ranking