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    Electron emission device for generating and emitting spin-polarized electrons
    81.
    发明公开
    Electron emission device for generating and emitting spin-polarized electrons 失效
    用于产生和发射自旋极化电子的电子发射装置

    公开(公告)号：EP0867907A2

    公开(公告)日：1998-09-30

    申请号：EP98109206.7

    申请日：1995-09-21

    Applicant: TERASTORE, INC.

    Inventor： Hurt, Thomas D. ,  Halpine, Scott A.

    IPC: H01J1/30 ,  H01J37/06 ,  G11B11/10

    CPC classification number: G11B5/65 ,  G11B5/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B9/10 ,  G11B11/11 ,  G11B11/115 ,  G11B13/045 ,  G11B19/04 ,  G11B20/1883 ,  G11B23/28 ,  G11C11/02 ,  G11C11/23 ,  H01J3/02 ,  H01J31/60 ,  H01J2203/0296 ,  H01J2237/06383

    Abstract: An electron emission device for generating and emitting spin-polarized electrons comprising: a first conducting material; a magnetic ultrathin film magnetically coupled to the first conducting material; an electrically insulative and magnetically permeable medium being located between the first conducting material and the magnetic ultrathin film; a second conducting material formed into a structure that emits electrons when impinged by an electric field and electrically coupled to the magnetic ultrathin film; and an anode, electrically coupled to the structure that emits electrons, for generating the electric field that impinges on the structure that emits electrons.

    Abstract translation: 一种用于产生和发射自旋极化电子的电子发射装置，包括：第一导电材料; 磁性耦合到第一导电材料的磁性超薄膜; 位于第一导电材料和磁性超薄膜之间的电绝缘和导磁介质; 第二导电材料，所述第二导电材料形成为当被电场撞击并且电耦合到所述磁性超薄膜时发射电子的结构; 以及电连接到发射电子的结构的阳极，用于产生撞击在发射电子的结构上的电场。

    Dispositif à supraconducteur d'injection d'électrons dans un tube électronique
    83.
    发明公开
    Dispositif à supraconducteur d'injection d'électrons dans un tube électronique 失效
    在einerElektronenröhre的Supraleitende Vorrichtung zur Elektroninjektion。

    公开(公告)号：EP0350357A1

    公开(公告)日：1990-01-10

    申请号：EP89401739.1

    申请日：1989-06-20

    Applicant: THOMSON-CSF

    Inventor： Blanchard, Pierre

    IPC: H01J3/02 ,  H01J1/30

    CPC classification number: H01J3/02 ,  H01J1/30

    Abstract: La présente invention a pour objet un dispositif d'injection d'électrons dans un tube électronique (1) qui comporte : un barreau (3) supraconducteur dont une première extrémité (31) débouche dans le tube (1), et des moyens d'alimentation électrique (4). Le barreau (3) joue le rôle d'une cathode. Deux anodes, principale (6) et secondaire (7), sont disposées dans le tube (1), respectivement là où sont recueillis les électrons, et là où débouche la première extrémité (31) du barreau (3). Les moyens d'alimentation électrique (4) assurent l'application de deux tensions, principale et secondaire. Des électrons sont accélérés le long du barreau (3) grâce aux deux tensions et acquièrent une énergie cinétique au moins égale à l'énergie d'extraction du supraconducteur, et sont ainsi éjectés hors du barreau (3).

    Abstract translation: 本发明的目的是一种用于将电子注入到电子管（1）中的装置，其包括：超导条（3），其第一端（31）出现在管（1）中，电源装置 （4）。 酒吧（3）充当阴极。 两个阳极，主体（6）和次要（7）分别设置在管（1）中的电子被收集的位置和条（3）的第一端（31）出现的位置。 电源装置（4）确保主要和次要的两个电压的应用。 电子通过两个电压沿着条（3）加速，并且获得至少等于从超导体提取的能量的动能，并且因此从棒（3）喷出。 ... ...

    以資料磁場極化的方式儲存資料的資料儲存介質以及利用自旋極化電子將資料儲存於該資料儲存介質,並從其上讀
    85.
    发明专利
    以資料磁場極化的方式儲存資料的資料儲存介質以及利用自旋極化電子將資料儲存於該資料儲存介質,並從其上讀 失效
    以数据磁场极化的方式存储数据的数据存储介质以及利用自旋极化电子将数据存储于该数据存储介质,并从其上读

    公开(公告)号：TW289100B

    公开(公告)日：1996-10-21

    申请号：TW084100719

    申请日：1995-01-26

    Applicant: 泰拉史托瑞股份有限公司

    Inventor： 史考克A.哈爾濱 ,  湯瑪斯D.赫特

    IPC: G06F

    CPC classification number: G11B5/65 ,  G11B5/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B9/10 ,  G11B11/11 ,  G11B11/115 ,  G11B13/045 ,  G11B19/04 ,  G11B20/1883 ,  G11B23/28 ,  G11C11/02 ,  G11C11/23 ,  H01J3/02 ,  H01J2203/0296 ,  H01J2237/06383

    Abstract: 一資料儲存介質包含一基底及在一基底上形成之資料儲存層。該資料儲存層包含一固定數目之一磁性物質原子層，提供該資料儲存層一與資料儲存層表面垂直之磁各向異性。在資料儲存層上產生一資料磁場。該資料磁場以一對應於一第一資料值之第一方向或以一對應於一第二資料值之第二方向極化。藉由提供一具有一電子磁場之自旋極化電子以一對應於第一或第二資料值之極化方向在資料儲存層上儲存資料，以及導引自旋極化電子至資料磁場使電子磁場之極化方向與資料磁場之極化方向一致。從資料儲存層讀取資料是藉由導引自旋極化電子至資料磁場以及偵測自旋極化電子被資料磁場所偏向或吸引來達成。或者，自資料儲存層讀取資料可藉由導引自旋極化電子至資料磁場使磁性介質產生一次級電子，然後偵側次級電子之某些特性來達成。

    Abstract in simplified Chinese: 一数据存储介质包含一基底及在一基底上形成之数据存储层。该数据存储层包含一固定数目之一磁性物质原子层，提供该数据存储层一与数据存储层表面垂直之磁各向异性。在数据存储层上产生一数据磁场。该数据磁场以一对应于一第一数据值之第一方向或以一对应于一第二数据值之第二方向极化。借由提供一具有一电子磁场之自旋极化电子以一对应于第一或第二数据值之极化方向在数据存储层上存储数据，以及导引自旋极化电子至数据磁场使电子磁场之极化方向与数据磁场之极化方向一致。从数据存储层读取数据是借由导引自旋极化电子至数据磁场以及侦测自旋极化电子被数据磁场所偏向或吸引来达成。或者，自数据存储层读取数据可借由导引自旋极化电子至数据磁场使磁性介质产生一次级电子，然后侦侧次级电子之某些特性来达成。

    具有聚焦管的發射體裝置 EMITTER DEVICE WITH FOCUSING COLUMNS
    86.
    发明专利
    具有聚焦管的發射體裝置 EMITTER DEVICE WITH FOCUSING COLUMNS 审中-公开
    具有聚焦管的发射体设备 EMITTER DEVICE WITH FOCUSING COLUMNS

    公开(公告)号：TW200415662A

    公开(公告)日：2004-08-16

    申请号：TW092122913

    申请日：2003-08-20

    Applicant: 惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

    Inventor： 大衛S. 夏特 DAVID S. CHUT ,  亞歷山大‧高維亞迪諾夫 ALEXANDER GOVYADINOV ,  楊曉芬 XIAOFENG YANG

    IPC: H01J

    CPC classification number: H01J3/02 ,  H01J3/022 ,  H01J3/18 ,  H01J29/481 ,  H01J29/62 ,  H01J2237/3175

    Abstract: 一發射體裝置包括一聚焦陣列，聚焦陣列具有多個聚焦管以將來自一或多個發射體的發射物聚焦在一靶材媒體上。靶材媒體與經聚焦發射物之間的相對運動可讓各聚焦管將發射物聚焦在涵蓋運動範圍之靶材媒體的一區域上方。在一較佳實施例中，使用分離的發射體、聚焦陣列及靶材媒體晶片。聚焦陣列可能為可移式，或在一特佳實施例中固定至發射體晶片，在此例中，靶材媒體晶片為可移式或者聚焦陣列包括束方向控制器。

    Abstract in simplified Chinese: 一发射体设备包括一聚焦数组，聚焦数组具有多个聚焦管以将来自一或多个发射体的发射物聚焦在一靶材媒体上。靶材媒体与经聚焦发射物之间的相对运动可让各聚焦管将发射物聚焦在涵盖运动范围之靶材媒体的一区域上方。在一较佳实施例中，使用分离的发射体、聚焦数组及靶材媒体芯片。聚焦数组可能为可移式，或在一特佳实施例中固定至发射体芯片，在此例中，靶材媒体芯片为可移式或者聚焦数组包括束方向控制器。

    電子槍,電子束曝光裝置以及曝光方法 ELECTRON GUN, ELECTRON BEAM EXPOSURE APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD
    87.
    发明专利
    電子槍,電子束曝光裝置以及曝光方法 ELECTRON GUN, ELECTRON BEAM EXPOSURE APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD 审中-公开
    电子枪,电子束曝光设备以及曝光方法 ELECTRON GUN, ELECTRON BEAM EXPOSURE APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD

    公开(公告)号：TW200849306A

    公开(公告)日：2008-12-16

    申请号：TW097105718

    申请日：2008-02-19

    Applicant: 愛德萬測試股份有限公司 ADVANTEST CORPORATION

    Inventor： 安田洋 YASUDA, HIROSHI ,  原口岳士 HARAGUCHI, TAKESHI

    IPC: H01J ,  H01L

    CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J3/02 ,  H01J29/48 ,  H01J37/063 ,  H01J37/075 ,  H01J2237/06316

    Abstract: 一具有一發射電子的電子源之電子槍係包括:一加速電極,其配置為面對電子源的一電子排放表面,且其使電子加速;一抽取電極,其配置於電子發射表面與加速電極之間,其具有一使中心位於光軸上且面對電子發射表面之球型凹形表面,且其自電子發射表面抽取一電子;及一抑制器電極,其相對於電子發射表面配置在與抽取電極相對之側上,且其抑制來自電子源的一側表面之電子發射。電子槍中,電場被施加至電子發射表面同時電子源在一不造成電子源的一材料昇華之範圍中被保持在一低溫度,以造成電子源發射一熱埸發射電子。

    Abstract in simplified Chinese: 一具有一发射电子的电子源之电子枪系包括:一加速电极,其配置为面对电子源的一电子排放表面,且其使电子加速;一抽取电极,其配置于电子发射表面与加速电极之间,其具有一使中心位于光轴上且面对电子发射表面之球型凹形表面,且其自电子发射表面抽取一电子;及一抑制器电极,其相对于电子发射表面配置在与抽取电极相对之侧上,且其抑制来自电子源的一侧表面之电子发射。电子枪中,电场被施加至电子发射表面同时电子源在一不造成电子源的一材料升华之范围中被保持在一低温度,以造成电子源发射一热埸发射电子。

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