高频信号转换装置
    83.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1189983C

    公开(公告)日:2005-02-16

    申请号:CN01119749.8

    申请日:2001-05-25

    Abstract: 一高频信号转换装置,包括位于壳体中的印刷电路板和形成其整个表面上的接地层。输入和输出端子安装在壳体上,高频继电器安装在用以在输入和输出端子之间转换的印刷电路板上。高频继电器具有多个继电器触点端子和一个接地端子。具有各个内、外导体的多个同轴电缆将输入和输出端子连接到继电器触点端子上。高频继电器的接地端子和同轴电缆的外导体连接到印刷电路板的接地层上,而同轴电缆的各内导体连接到高频继电器继电器的一个触点端子上。

    微波范围器件中导体的垂直连接方法

    公开(公告)号:CN1147021C

    公开(公告)日:2004-04-21

    申请号:CN99810410.8

    申请日:1999-08-26

    Abstract: 微波范围器件(106,600)中两个相互并行延伸的导体(120,110)之间的连接方法。每个导体包括导电层(160,170),介电层(150,195,198),和接地面(140,180,190)。器件中两个导体的接地面被介电芯子(130)隔开。各层按要求顺序设在另一层上。空腔(310)设在器件中,它从连接到第二导体的第一导体中的层(170)开始,按垂直于该层主方向的方向延伸直到包括在其上要设第二导体的导电层的材料层(150)。包括带线导体的元件(400)放在空腔中,元件设置成使元件的导体(470)与连接到第二导体的第一导体中的层(170)电接触。随后,第二导体的导电层(160)和它的其余的接地面和介电层设在器件上,使元件的导体(470)与第二导体的导电层(160)之间电接触。

    自对准同轴通路电容器
    86.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1437838A

    公开(公告)日:2003-08-20

    申请号:CN00819235.9

    申请日:2000-12-07

    Abstract: 本发明同轴电容器的各种实施例是自对准的且形成于通路中,通路包括盲通路、埋入式通路和镀通孔。所述同轴电容器被设置成利用镀通路的镀层(125)作为第一电极。形成介电层(130)来覆盖第一电极(125),且使一部分通路未被填充。将第二电极(135)形成于未被介电层(130)填充的通路部分中。这类同轴电容器适用于去耦和功率阻抑应用,以降低信号和电源的噪声和/或减少电子器件中功率的过冲及下降。在这些应用中,通常需要把多个同轴电容器,往往是数以千计,相并连以得到所需的电容量。

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