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公开(公告)号：KR101775979B1
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：KR1020150187624
申请日：2015-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/06 , H01L29/66 , H01L21/761 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/306
Abstract: 본발명은조기항복전압을막을수 있는 p-n 접합반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른조기항복전압을막을수 있는 p-n 접합반도체소자는, 기판과; 기판위에적층형성되는반도체동작층을포함하고, 반도체동작층의소정부위에는 p-n 접합으로이루어지는소정높이의돌출부가형성되되, 상기돌출부의가장자리면(edge surface)은하반부가수직면으로이루어지고상반부는곡면또는경사면형태로형성되거나, 상반부가수직면으로이루어지고하반부는곡면또는경사면형태로형성된다. 이와같은본 발명에의하면, 반도체소자의가장자리면 부분을반곡면(half-curved) 또는경사면(chamfered) 형태로형성함으로써, 반도체소자의가장자리면의공핍층두께를벌크(bulk) 영역에비해상대적으로더 두껍게확장하여반도체소자의조기항복전압을억제할수 있다. 또한, 반도체소자의가장자리면 부분에형성된경사면이 5∼10°의경사각도로되어있어단차피복이우수한산화처리가가능하며, 이에따라전류붕괴현상을개선하는등의우수한신뢰성을가지는반도체소자의제공이가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170077924A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150187624
申请日：2015-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/06 , H01L29/66 , H01L21/761 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/306
Abstract: 본발명은조기항복전압을막을수 있는 p-n 접합반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른조기항복전압을막을수 있는 p-n 접합반도체소자는, 기판과; 기판위에적층형성되는반도체동작층을포함하고, 반도체동작층의소정부위에는 p-n 접합으로이루어지는소정높이의돌출부가형성되되, 상기돌출부의가장자리면(edge surface)은하반부가수직면으로이루어지고상반부는곡면또는경사면형태로형성되거나, 상반부가수직면으로이루어지고하반부는곡면또는경사면형태로형성된다. 이와같은본 발명에의하면, 반도체소자의가장자리면 부분을반곡면(half-curved) 또는경사면(chamfered) 형태로형성함으로써, 반도체소자의가장자리면의공핍층두께를벌크(bulk) 영역에비해상대적으로더 두껍게확장하여반도체소자의조기항복전압을억제할수 있다. 또한, 반도체소자의가장자리면 부분에형성된경사면이 5∼10°의경사각도로되어있어단차피복이우수한산화처리가가능하며, 이에따라전류붕괴현상을개선하는등의우수한신뢰성을가지는반도체소자의제공이가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及能够防止早期击穿电压的p-n结半导体器件及其制造方法。 根据本发明的能够防止早期击穿电压的p-n结半导体器件包括：衬底; 以及半导体操作层，层叠在所述基板上，其中，所述pn结的预定高度形成在所述半导体操作层的预定部分上，所述突出部分的边缘表面由竖直平面形成，并且所述上半部分是曲面 或者上表面或上表面的上半部分，上表面的下半部分由曲面或倾斜面形成。 根据本发明，由于半导体器件的边缘部分形成为半弯曲或倒角形状，所以与体区域相比，半导体器件的边缘表面上的耗尽层的厚度相对减小 可以抑制半导体器件的早期击穿电压。 另外，由于形成在半导体元件的边缘部分上的倾斜表面具有5至10度的半径，因此可以提供具有优异可靠性的半导体器件，例如改善电流崩塌现象， 我会的。
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公开(公告)号：KR101486712B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130166261
申请日：2013-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명의 일 측면에 의하면, 플렉서블한 기판 상에 금속 시드층을 형성하는 제1단계; 상기 금속 시드층 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist; 이하 DFR층)를 적층하는 제2단계; 상기 DFR층의 패터닝에 의해 1차 패턴을 형성하여 상기 금속 시드층의 일부를 노출시키는 제3단계; 상기 일부 노출된 금속 시드층 상에 도금 공정을 통한 제1금속패턴을 형성하는 제4단계; 상기 제1금속패턴 및 상기 DFR층 상에 PR(Photoresist)층을 코팅하고, PR층의 패터닝에 의해 2차 패턴을 형성하여 상기 제1금속패턴의 일부 영역을 노출시키는 제5단계; 상기 제1금속패턴 상의 노출된 영역 상에 도금 공정을 통해 제2금속패턴을 형성하는 제6단계; 상기 DFR층 및 PR층을 동시에 제거하여, 플렉서블 기판 상에 상기 제1금속패턴과 제2금속패턴으로 이루어진 금속 구조체를 형성하는 제7단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판 상에 입체형 금속 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 높은 단차가 필요한 구성에 감광필름(Dry Film Resist; DFR)을 사용함으로써, 플렉서블 기판에 금속 구조체를 제작할 때, 고열이 기판에 작용하지 않도록 하는 효과가 있다.Abstract translation: 本发明实施例提供的在柔性基板上制造三维金属结构的方法包括：在柔性基板上形成金属种子层的第一步骤; 在金属种子层上堆叠干膜抗蚀剂（DFR）层的第二步骤; 第三步骤，通过形成DFR层的图形来形成初级图案来暴露金属种子层的一部分; 通过电镀工艺在所述部分暴露的金属种子层上形成第一金属图案的第四步骤; 第五步骤，用光致抗蚀剂（PR）层涂覆第一金属图案和DFR层，并通过PR层的图案形成二次图案来曝光第一金属图案的部分区域; 在通过电镀工艺从第一金属图案露出的区域上形成第二金属图案的第六步骤; 以及通过同时去除DFR层和PR层在柔性基板上形成由第一金属图案和第二金属图案形成的金属结构的第七步骤。 因此，本发明能够通过使用DFR用于需要高高差的组合物在柔性基板上制造金属结构时，能够防止在基板上施加高热。
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4.发明授权
公开(公告)号：KR101486206B1
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020140029590
申请日：2014-03-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 화합물반도체 태양광 전지에 관한 것으로서, 기판 상에 광전변환셀이 형성되고, 상기 광전변환셀 상부에 윈도우층이 형성되며, 상기 윈도우층 상부에 캡층 및 그리드전극이 형성된 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법에 있어서, 상기 윈도우층 상에 제1감광막을 마스크로 하여 습식 식각하여 캡층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 상에 n-금속층 패터닝을 위한 제2감광막을 형성하고, 상기 캡층 상에 n-금속층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 및 상기 n-금속층 상에 투명전도성 산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층 상층에 시드금속층을 증착하는 단계와, 상기 시드금속층 상에 그리드전극 패터닝을 위한 제3감광막을 형성하고, 상기 캡층 상의 시드금속층 상에 그리드전극을 형성하고, 윈도우층 및 보호층으로 이루 어진 영역 상의 시드금속층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지를 그 기술적 요지로 한다. 이에 의해 갈바닉 효과를 억제하여 고품질의 화합물반도체 태양광 전지를 제공할 수 있으며, 투명전도성 산화물 박막을 윈도우층과 캡층의 보호층으로 사용함으로써, 윈도우층과 캡층의 손상으로 인한 화합물반도체 태양광 전지의 효율 저하를 방지하였으며, 캡층 형성 후 그리드전극 형성을 위한 시드금속층의 습식 식각 시에도 보호층으로 인해 윈도우층 및 캡층의 손상을 방지하여 화합물반도체 태양광 전지의 효율을 향상시키는 이점이 있다.
Abstract translation: 化合物半导体太阳能电池本发明涉及化合物半导体太阳能电池。 一种化合物半导体太阳能电池的制造方法，其包括形成在基板上的光电转换单元，形成在所述光电转换单元的上部的窗口层，形成在所述窗口层的上部的盖层，以及 栅电极包括以下步骤：将第一感光膜作为掩模湿蚀刻在窗口层上以形成盖层; 在窗口层上形成用于n金属层图案化的第二感光膜，并在盖层上形成n金属层; 在所述窗口层和所述n金属层上形成包含透明导电氧化物的保护层; 在保护层的上层上沉积种子金属层; 以及在所述种子金属层上形成用于栅电极图案化的第三感光膜，在所述覆盖层的种子金属层上形成栅格电极，以及在包括所述窗口层和所述保护层的区域中除去所述种子金属层。 该方法能够：通过抑制电流效应提供高质量的化合物半导体太阳能电池; 通过使用透明导电氧化物膜作为窗口层和盖层的保护层，防止由于窗口层和盖层的损坏导致的化合物半导体太阳能电池的效率降低; 并且通过在形成盖层之后，当种子金属层被湿蚀刻以形成栅电极时，通过防止保护层对窗口层和盖层的损坏来提高复合半导体太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：KR101450518B1
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130119823
申请日：2013-10-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01J37/317 , H01J37/147
Abstract: The present invention relates to an electron beam lithography apparatus adjusting an electron beam focus in accordance to the type of substrate, and to a method to adjust focus of the same. According to the present invention, the method to adjust a focus of the electron beam lithography apparatus comprises the steps of: measuring the height of a substrate; regarding a height map showing measurement error of the measured height to adjust the measured height; and adjusting a focus of an electron beam irradiated in accordance to the adjusted height.
Abstract translation: 本发明涉及一种根据衬底的类型调整电子束聚焦的电子束光刻设备及其调整焦点的方法。 根据本发明，调整电子束光刻设备的焦点的方法包括以下步骤：测量衬底的高度; 关于高度图显示测量高度的测量误差，以调整测量的高度; 以及调整根据调节高度照射的电子束的焦点。
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