公开(公告)号：KR100845453B1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：KR1020077014854

申请日：2005-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 글렌게일 ,  히로타요시히로 ,  무라키유스케 ,  나카무라겐지 ,  구시비키마사토 ,  신도나오키 ,  시미즈아키타카 ,  아시가키시게오 ,  가토요시히로

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 본 발명은, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 형성된 고유전체막과, 상기 고유전체막보다 상층에 형성된 반사 방지 기능과 하드 마스크 기능을 갖는 SiC 계 막을 갖는 적층체로부터 반도체 장치를 제조하는 방법이다. 본 발명은, 상기 SiC 계 막 및 상기 고유전체막에 플라즈마를 작용시켜 개질하는 플라즈마 처리 공정과, 상기 플라즈마 처리 공정에서 개질된 상기 SiC 계 막 및 상기 고유전체막을 습식 세정에 의해 일괄하여 제거하는 세정 처리 공정을 구비한다.
SiC 계 막, 고유전체막, 폴리실리콘막, 습식 세정

Abstract translation: 本发明是具有半导体基板和介电膜和形成在半导体基板上的半导体器件从层叠体的制造方法，具有防反射功能和形成为比所述高电介质膜的上层上的硬掩模函数基于SiC的薄膜 。 本发明中，所述SiC基片和由等离子体的高电介质膜的作用变形例的等离子体处理工序的清洗方法，其中所述等离子体处理在整个SiC系膜和所述高电介质改性膜工艺以通过湿清洗除去一次性 治疗过程。

公开(公告)号：KR1020070086783A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020077014854

申请日：2005-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 글렌게일 ,  히로타요시히로 ,  무라키유스케 ,  나카무라겐지 ,  구시비키마사토 ,  신도나오키 ,  시미즈아키타카 ,  아시가키시게오 ,  가토요시히로

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device from a laminate having a semiconductor substrate, a high dielectric film formed on the above semiconductor substrate and, formed above the high dielectric film, a SiC based film having a reflection-preventive function and a hardmask function, wherein it comprises a plasma treatment step of applying a plasma to the above SiC based film and the above high dielectric film, for modification, and a cleaning treatment step of removing both of the above SiC based film and the above high dielectric film modified by wet washing.

Abstract translation: 一种由具有半导体衬底的叠层制造半导体器件的方法，在上述半导体衬底上形成的高电介质膜，并且在高电介质膜上形成具有防反射功能和硬掩模功能的SiC基膜， 其包括对上述SiC基膜和上述高介电膜施加等离子体进行改性的等离子体处理步骤，以及去除上述SiC基膜和通过湿洗改性的上述高介电膜的清洗处理步骤 。

公开(公告)号：KR101046662B1

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：KR1020050096986

申请日：2005-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 글렌게일

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L22/26 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 도포·현상 장치는 웨이퍼에 대하여 레지스트막을 형성한 후, 노광 장치에 반송하고, 노광 후의 기판을 현상 처리하는 처리 블록과, 처리 블록과 노광 장치 사이에 마련된 인터페이스 반송 기구를 구비하고, 상기 처리 블록은 도포막 형성용 단위 블록과, 현상 처리용 단위 블록을 갖고, 이들이 적층된 상태로 배치되어 있다. 상기 인터페이스 반송 기구에 이상이 생겼을 때에, 도포막 형성용 단위 블록 내에 존재하는 웨이퍼에 대해서 이 단위 블록 내에서 통상 처리를 행한 후 처리 후의 웨이퍼를 수용 유닛으로 퇴피시키고 도포막 형성용 단위 블록 내에의 웨이퍼의 반입을 금지한다.
웨트 에칭, 처리액, 농도, 희불산

Abstract translation: 涂层＆middot;形成抗蚀剂膜的晶片，运送到曝光装置，并且所述处理块和显影装置之间设置曝光后的基板，处理块并提供给处理块到接口用搬运机构在曝光之后显影装置 具有以层叠状态排列的涂膜形成单元块和显影处理单元块。 当在界面传送机构中发生异常时，存在于单元成膜单元块中的晶片在单元块中受到正常处理，然后处理后的晶片缩回到接收单元，并且晶片 被禁止。

公开(公告)号：KR1020060054007A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020050096986

申请日：2005-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 글렌게일

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L22/26 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 도포·현상 장치는 웨이퍼에 대하여 레지스트막을 형성한 후, 노광 장치에 반송하고, 노광 후의 기판을 현상 처리하는 처리 블록과, 처리 블록과 노광 장치 사이에 마련된 인터페이스 반송 기구를 구비하고, 상기 처리 블록은 도포막 형성용 단위 블록과, 현상 처리용 단위 블록을 갖고, 이들이 적층된 상태로 배치되어 있다. 상기 인터페이스 반송 기구에 이상이 생겼을 때에, 도포막 형성용 단위 블록 내에 존재하는 웨이퍼에 대해서 이 단위 블록 내에서 통상 처리를 행한 후 처리 후의 웨이퍼를 수용 유닛으로 퇴피시키는 동시에 도포막 형성용 단위 블록 내에의 웨이퍼의 반입을 금지한다.
웨트 에칭, 처리액, 농도, 희불산