公开(公告)号：KR1020090018589A

公开(公告)日：2009-02-20

申请号：KR1020080080065

申请日：2008-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나리시게가즈키 ,  나가쿠라고이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device and a storage medium are provided to form a concave part with high vertical profile in an organic film by suppressing the isotropic etching due to an oxygen active species. A silicon containing layer(53) is etched by the plasma. A pattern of a pattern mask(56) is transferred to the silicon containing layer. The pattern mask is removed by the plasma. The surface of the silicon containing layer is exposed. A surface of an organic film(52) is etched by an oxygen active species through the pattern of the silicon containing layer. A concave part(57a) is formed in the organic film. The depth of the concave part is smaller than the thickness of the organic film. The silicon containing layer is sputtered. A silicon containing protection layer(64) is formed in an inner wall of the concave part. The concave part is etched by the oxygen active species of the plasma through the silicon containing layer in a depth direction. A hole or groove is formed in the organic layer.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件和存储介质的方法，通过抑制由于氧活性物质引起的各向同性蚀刻，在有机膜中形成具有高垂直剖面的凹部。 通过等离子体蚀刻含硅层（53）。 图案掩模（56）的图案被转印到含硅层。 图案掩模由等离子体去除。 暴露含硅层的表面。 有机薄膜（52）的表面通过含氧层的图案被氧活性物质蚀刻。 在有机膜中形成凹部（57a）。 凹部的深度小于有机膜的厚度。 含硅层被溅射。 含硅保护层（64）形成在凹部的内壁中。 通过含硅层在深度方向上的等离子体的氧活性物质蚀刻凹部。 在有机层中形成孔或凹槽。

公开(公告)号：KR1020040093043A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：KR1020040028391

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  오쿠보도모야 ,  히로세준 ,  나가쿠라고이치 ,  고시미즈지시오 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a focus ring and a susceptor are provided to improve remarkably cooling efficiency of the focus ring without the increase of costs by providing a dielectric part and a conductive part for the focus ring. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a susceptor. The susceptor includes an electrostatic chuck(25) and a focus ring(30) connected with the electrostatic chuck through a contact portion. The focus ring is composed of a dielectric part(30a) with the contact portion and a conductive part(30b) on the dielectric part.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，聚焦环和基座，以通过为聚焦环提供电介质部分和导电部分而不增加成本，从而显着提高聚焦环的冷却效率。 构成：等离子体处理装置包括基座。 感受器包括静电吸盘（25）和通过接触部分与静电吸盘连接的聚焦环（30）。 聚焦环由介电部分（30a）与介电部分上的接触部分和导电部分（30b）组成。

公开(公告)号：KR100976882B1

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：KR1020080080065

申请日：2008-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나리시게가즈키 ,  나가쿠라고이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 유기막을 에칭함에 있어서, 양호한 에칭 형상을 얻는 것을 과제로 한다.
본 발명에서는, 실리콘 함유막을 플라즈마에 의해 에칭하여 해당 막 상의 패턴 마스크의 패턴을 전사하는 공정과, 상기 패턴 마스크를 제거하여 상기 실리콘 함유막의 표면을 노출시키는 공정과, 플라즈마 중의 산소의 활성종에 의해 상기 실리콘 함유막의 패턴을 통해서 상기 유기막의 표면을 에칭하여 오목부를 형성하는 공정과, 그 후, 상기 실리콘 함유막을 스퍼터링하여 상기 오목부의 내벽면에 실리콘 함유물로 이루어지는 보호막을 형성하는 공정과, 오목부를 플라즈마 중의 산소의 활성종에 의해 상기 실리콘 함유막의 패턴을 통해서 깊이 방향으로 더 에칭하는 공정을 행함으로써, 오목부의 측벽을 산소의 활성종으로부터 보호하면서 에칭을 행할 수 있기 때문에 양호한 패턴 형상이 얻어진다.

公开(公告)号：KR100613198B1

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020040028391

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  오쿠보도모야 ,  히로세준 ,  나가쿠라고이치 ,  고시미즈지시오 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: 본 발명은 비용의 증가를 방지하면서 포커스 링의 냉각 효율을 비약적으로 향상시킬 수 있는 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 처리 장치는 정전 척 및 포커스 링을 구비하는 서셉터를 포함한다. 프라즈마 처리될 웨이퍼(W)가 정전 척상에 장착된다. 포커스 링은 유전제부 및 도전체부를 구비한다. 유전체부는 정전 척과 접촉하여 배치된 접촉부를 형성한다. 도전체부는 유전체부를 사이에 두고 정전 척과 대향한다.