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    소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
    1.
    发明公开
    소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 审中-实审
    疏水装置，计算机的疏水化方法和记录介质

    公开(公告)号：KR1020120139550A

    公开(公告)日：2012-12-27

    申请号：KR1020120060357

    申请日：2012-06-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사노요헤이 ,  다카키야스히로

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/0274 ,  B05C9/10 ,  B05D3/0413

    Abstract: PURPOSE: A hydrophobizing device, a hydrophobizing method, and a computer memory are provided to efficiently hydrophobize a substrate with HMDS(hexa methyl disilazane) gas using a central exhaust part. CONSTITUTION: A container(110) includes an opening. A cover covers the opening of the container. An arrangement stand arranges a wafer(W). A gas supply unit supplies HMDS gas and purge gas. A central exhaust part(140) is located on the upper side of the wafer and faces the center of the wafer. An external exhaust part(150) is formed outside the wafer.

    Abstract translation: 目的：提供疏水化装置，疏水化方法和计算机存储器，以使用中央排气部分使HMDS（六甲基二硅氮烷）气体有效地疏水化底物。 构成：容器（110）包括开口。 盖子盖住容器的开口。 布置台布置晶片（W）。 气体供应单元提供HMDS气体和吹扫气体。 中心排气部分（140）位于晶片的上侧并面向晶片的中心。 外部排出部分（150）形成在晶片外部。

    기판 열처리 장치
    2.
    发明公开
    기판 열처리 장치 有权
    用于加热处理基板的装置

    公开(公告)号：KR1020100108185A

    公开(公告)日：2010-10-06

    申请号：KR1020090125380

    申请日：2009-12-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카키야스히로 ,  가와지다쓰야 ,  후쿠다요시테루

    IPC: H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742

    Abstract: PURPOSE: A substrate heat processing device is provided to simplify the assembling and attaching process of a suction pipe to a heat processing plate by using a connection member which has a heat-resistant property. CONSTITUTION: A cassette station(2) draws in and out a wafer from a cassette(C). A wafer carrier arm(7), which moves along a carrier path(6), is installed in the cassette station. A processing station(3) is formed by arranging several processing units in a multiple stage. The processing station comprises five processing unit groups. A first return device(110) is installed between a third processing unit group(G3) and a fourth processing unit group(G4). A second return device(120) is installed between the fourth processing unit group and a fifth processing unit group(G5).

    Abstract translation: 目的：提供一种基板加热装置，通过使用具有耐热性的连接构件，简化吸入管到热处理板的装配和附接过程。 构成：盒式录像带（2）从盒式磁带（C）吸入和取出晶片。 沿着载体路径（6）移动的晶片承载臂（7）安装在盒式工作站中。 处理站（3）通过在多级中布置多个处理单元而形成。 处理站包括五个处理单元组。 第一返回装置（110）安装在第三处理单元组（G3）和第四处理单元组（G4）之间。 在第四处理单元组和第五处理单元组（G5）之间安装第二返回装置（120）。

    열처리 장치 및 열처리 방법
    4.
    发明公开
    열처리 장치 및 열처리 방법 无效
    热处理设备和热处理方法

    公开(公告)号：KR1020120036258A

    公开(公告)日：2012-04-17

    申请号：KR1020110084531

    申请日：2011-08-24

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 미즈나가고우이치 ,  오오시마가즈히코 ,  다카키야스히로

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/202

    Abstract: PURPOSE: A heat treatment apparatus and a heat treatment method thereof are provided to fix a substrate by adsorbing the substrate on a first batch support member before a second batch support member. CONSTITUTION: A first gap distance of a heat treatment plate is established from a substrate arrangement surface. A space from the first gap distance is absorbed by an absorption hole(63). The absorption hole is arranged on the substrate arrangement surface of the heat treatment plate. A first batch support member(64) is shrunk by the pressure of a substrate drawn by the absorption hole. A second batch support member(62) arranged on the heat treatment plate is touched to the substrate.

    Abstract translation: 目的：提供一种热处理装置及其热处理方法，用于在第二批次支撑构件之前将基板吸附在第一批支撑构件上以固定基板。 构成：从衬底布置表面建立热处理板的第一间隙距离。 从第一间隙距离的空间被吸收孔（63）吸收。 吸收孔设置在热处理板的基板配置面上。 第一批支撑构件（64）通过由吸收孔拉出的基底的压力而收缩。 布置在热处理板上的第二批支撑构件（62）被触摸到基板。

    기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
    5.
    发明公开
    기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 审中-实审
    基板液体处理装置和底板液体处理方法

    公开(公告)号：KR1020150044813A

    公开(公告)日：2015-04-27

    申请号：KR1020140138921

    申请日：2014-10-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카키야스히로 ,  다나카고지 ,  도미나가슌

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67017

    Abstract: [과제] 기판의양면에동시에동일한조성의처리액을공급할수 있고, 또한공급된처리액이혼합된후에회수되어재이용되는기판액처리장치에있어서, 장치전체로서의효율적인운용을도모한다. [해결수단] 기판액처리장치는, 제1 탱크(102)에저류된처리액을토출하는제1 노즐(304)을갖고, 제1 노즐에의해기판의제1 면에처리액을공급하는제1 처리액공급기구(100)와, 제1 탱크에저류된처리액과동일한조성의처리액을저류하는제2 탱크(202)를토출하는제2 노즐(306)을갖고, 제2 노즐에의해기판의제2 면에처리액을공급하는제2 처리액공급기구(200)와, 제1, 제2 노즐에의해공급된처리액에의해기판에처리가행해지는처리부(300)를갖는다. 제1, 제2 노즐로부터기판에공급된후에혼합된처리액은, 회수라인(312)에의해제2 탱크로되돌려진다.

    Abstract translation: 在能够将相同成分的处理液同时供给到基板的两面的基板液体处理装置中，也可以在供给的处理液混合后收集并再利用该处理液，能够确保装置的有效的运转。 基板液体处理装置包括：排出存储在第一罐（102）中的处理溶液的第一喷嘴（304），第一处理液供给单元（100），其通过所述第一喷嘴 第一喷嘴，排出存储与存储在第一罐中的处理溶液相同组成的处理溶液的第二罐（202）的第二喷嘴（306），提供处理溶液的第二处理溶液供应单元（200） 通过所述第二喷嘴到所述基板的第二侧;以及处理部（300），其利用由所述第一喷嘴和所述第二喷嘴供给的处理液处理所述基板。 从第一和第二喷嘴供给然后混合的处理液通过收集管线（312）返回到第二罐。

    기판 열처리 장치
    6.
    发明授权
    기판 열처리 장치 有权
    用于加热处理基板的装置

    公开(公告)号：KR101486598B1

    公开(公告)日：2015-01-26

    申请号：KR1020090125380

    申请日：2009-12-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카키야스히로 ,  가와지다쓰야 ,  후쿠다요시테루

    IPC: H01L21/324

    Abstract: [과제] 열처리판에의 흡인관의 접속을 용이하게 할 수 있는 동시에, 열처리판의 면내의 열균일성의 유지를 도모할 수 있고, 열처리판의 점검이나 교환 등의 유지보수성의 향상을 도모할 수 있는 기판 열처리 장치를 제공하는 것.
    [해결수단] 반도체 웨이퍼(W)를 얹어놓고 열처리하는 열판(70)과, 이 열판 (70)의 웨이퍼 얹어놓음면에 형성되어 웨이퍼를 흡인하기 위한 복수의 흡인구(76)와, 이 각 흡인구(76)와 흡인수단을 접속하는 흡인관(78)을 구비하는 기판 열처리 장치에 있어서, 흡인관(78)의 일단에, 단열성 및 가요성을 갖는 합성고무제의 접속부재(77)를 장착하고, 이 접속부재(77)를, 열판(70)의 하면의 흡인부에 밀접하고, 흡인구(76)와 흡인관(78)을 기밀상태로 연결한다.

    기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
    8.
    发明公开
    기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 审中-实审
    基质液体加工装置及底材液体加工方法

    公开(公告)号：KR1020150055561A

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：KR1020140154346

    申请日：2014-11-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카키야스히로 ,  고미야히로시 ,  노부쿠니치카라 ,  사타케게이고 ,  아나모토아츠시

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

    CPC classification number: G05D11/138

    Abstract: 본발명은, 정확한농도의처리액을기판에공급하는것을목적으로한다. 기판액처리장치는, 탱크(102)와, 순환라인(104)과, 분기라인(112)을통해순환라인에접속되고, 순환라인을흐르는처리액을이용하여기판에액처리를실시하는처리부(16)와, 적어도 2종류의원료액의각각의공급원으로부터공급되는원료액을제어된혼합비로혼합하여처리액을생성하는처리액생성기구(206A, 206B, 208)와, 순환라인을흐르는처리액의농도및 처리액공급라인을흐르는처리액의농도를측정하는농도측정장치(212)(또는 212')와, 측정된처리액의농도에기초하여처리액생성기구를제어하는제어장치(4)를구비한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是向基板供应精确浓度的处理液。 基板液体处理装置包括：罐（102），循环管线（104），通过分支管线（112）连接到循环管线的处理部件（16），并通过使用 处理液生成单元（206A，206B，208），其将来自至少两种原料溶液的各供给源的原料溶液与受控混合比混合，并生成处理液，浓度 测量装置（212或212'），其测量沿着循环管线流动的处理液体的浓度和沿着处理液体供应管线流动的处理液体的浓度;以及控制装置（4），其控制处理液体 基于测量的处理液的浓度的发电单元。

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