公开(公告)号：KR1020040041150A

公开(公告)日：2004-05-14

申请号：KR1020047000442

申请日：2002-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F25B21/02 ,  H01L21/67109

Abstract: 장치 자체가 소형이고, 또한 설치 공간도 그다지 필요하지 않은 열 매체 순환 장치를 제공한다.
열 매체 순환계(78)에, 온도 제어의 대상이 되는 온도 피제어체와, 열 매체와 주요 열교환을 실행하는 주 열교환기(88)와, 순환 펌프(84)를 개재하여 이루어지는 온도 제어용 열 매체 순환 장치에 있어서, 상기 주 열교환기의 하류측의 상기 열 매체 순환계에, 열전 냉각 소자(100)를 사용한 부 열교환기(96)를 개재하여 상기 열 매체의 온도 제어를 실행하도록 구성한다. 이로써, 장치 자체가 소형이고, 또한 설치 공간도 그다지 필요하지 않은 구조로 한다.

Abstract translation: 提供一种小型且不需要非常大的安装空间的载热体循环装置。 在加热介质循环系统78中设置有热介质循环装置，其中，作为待控制对象的温度控制对象，用于与加热介质进行主要热交换的主热交换器88以及循环泵84 在主热交换器下游的载热体循环系统中设置使用热电元件100的副热交换器96，以控制载热体的温度。 因此，装置本身很小，并且安装空间不是很大。

公开(公告)号：KR100807415B1

公开(公告)日：2008-02-25

申请号：KR1020037012125

申请日：2002-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 처리 장치(22)는 처리 용기(4)내에 처리 가스를 도입하기 위한 샤워 헤드(36)와, 샤워 헤드를 승온시키기 위한 히터(46)를 구비하고 있다. 샤워 헤드를 통과하는 냉각 유로(50)를 갖는 냉각액(C)용의 메인 유로(50, 52, 54)와, 샤워 헤드를 우회하도록 메인 유로에 접속된 바이패스 유로(57)가 설치되어 있다. 개폐 밸브(V1, V2, V3)와 각 개폐 밸브를 제어하는 밸브 제어기(58)에 의해 냉각액의 유동을 제어하는 냉각액 제어 시스템이 설치되어 있다. 이 냉각액 제어 시스템은 샤워 헤드의 승온시에는 냉각 유로(50)의 냉각액의 유동을 정지시키고, 샤워 헤드의 강온시에는 냉각 유로(50)와 바이패스 유로(57)의 양자로 냉각액을 유동시키도록, 냉각액의 유동을 제어한다.

公开(公告)号：KR101389247B1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130023220A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100997839B1

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020077030752

申请日：2007-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치 ,  사노마사키

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  Y10T428/24355

Abstract: 본 발명에 따르면, 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서 마이크로파 투과창으로서 이용되는 석영 유리제의 천판의 개량이 개시된다. 천판의 기판 W에 대면하는 면의 표면 조도를, 산술 평균 표면 조도 Ra로 하여 O.2㎛ 이하로 한다. 이에 따라, 마이크로파 플라즈마 처리 중에, 천판이 고전자 밀도 및 고전자 온도의 가혹한 환경에 노출되었다고 하더라도, 천판을 구성하는 석영 유리 재료에 유래하는 파티클의 발생이 최소한으로 억제된다.

公开(公告)号：KR1020080022137A

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020077030752

申请日：2007-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치 ,  사노마사키

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  Y10T428/24355

Abstract: Disclosed is a microwave plasma processing apparatus wherein a quartz glass top plate used as a microwave transmitting window is improved. In this microwave plasma processing apparatus, a surface of the top plate facing a substrate W is formed to have an arithmetic average surface roughness Ra of not more than 0.2 mum. Consequently, generation of particles derived from the quarts glass material constituting the top plate can be minimized even when the top plate is exposed to a severe environment of high electron density and high electron temperature. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 公开了一种微波等离子体处理装置，其中用作微波发射窗的石英玻璃顶板得到改善。 在这种微波等离子体处理装置中，顶板的面向基板W的表面形成为具有不大于0.2μm的算术平均表面粗糙度Ra。 因此，即使当顶板暴露于高电子密度和高电子温度的严酷环境下时，也可以使构成顶板的石英玻璃材料的颗粒的产生最小化。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR1020040007468A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037012125

申请日：2002-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 처리 장치(22)는 처리 용기(4)내에 처리 가스를 도입하기 위한 샤워 헤드(36)와, 샤워 헤드를 승온시키기 위한 히터(46)를 구비하고 있다. 샤워 헤드를 통과하는 냉각 유로(50)를 갖는 냉각액(C)용의 메인 유로(50, 52, 54)와, 샤워 헤드를 우회하도록 메인 유로에 접속된 바이패스 유로(56)가 설치되어 있다. 개폐 밸브(V1, V2, V3)와 각 개폐 밸브를 제어하는 밸브 제어기(58)에 의해 냉각액의 유동을 제어하는 냉각액 제어 시스템이 설치되어 있다. 이 냉각액 제어 시스템은 샤워 헤드의 승온시에는 냉각 유로(50)의 냉각액의 유동을 정지시키고, 샤워 헤드의 온도를 낮출 시에는 냉각 유로(50)와 바이패스 유로(56)의 양자로 냉각액을 유동시키도록, 냉각액의 유동을 제어한다.

公开(公告)号：KR100602481B1

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：KR1020047000442

申请日：2002-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F25B21/02 ,  H01L21/67109

Abstract: There is provided a heating medium circulating apparatus which is small and which does not require a very large installation space. In a heating medium circulating apparatus wherein a temperature controlling object being an object to be temperature-controlled, a main heat exchanger 88 for carrying out main heat exchange with a heating medium, and a circulating pump 84 are provided in a heating medium circulating system 78 , a sub-heat exchanger 96 using a thermoelectric element 100 is provided in the heating medium circulating system downstream of the main heat exchanger to control the temperature of the heating medium. Thus, the apparatus itself is small, and the installation space is not very large.

公开(公告)号：KR100313631B1

公开(公告)日：2002-01-15

申请号：KR1019980036271

申请日：1998-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명의 진공 처리 장치는 소정의 진공 상태에서 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리실과, 처리실내에 설치되어 대상물이 탑재되는 탑재대와, 처리실의 하부에 설치되어, 광원으로서의 복수개의 램프를 갖고, 이들 램프로부터 탑재대를 향하여 조사되는 빛의 열에너지에 의해서 탑재대상의 대상물을 가열하는 램프 유닛과, 램프 유닛에 연결되어 램프 유닛을 회전시키는 회전축과, 회전축을 회전 가능하게 지지하는 축받이와, 회전축과 접촉하는 축받이의 접촉면에 설치되고, 회전축측의 열을 흡수하여 축받이측에 방열함으로써, 램프 유닛의 열을 회전축을 거쳐서 축받이에 이동시키는 서모모듈을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1019990029492A

公开(公告)日：1999-04-26

申请号：KR1019980036271

申请日：1998-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명의 진공 처리 장치는 소정의 진공 상태에서 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리실과, 처리실내에 설치되어 대상물이 탑재되는 탑재대와, 처리실의 하부에 설치되어, 광원으로서의 복수개의 램프를 갖고, 이들 램프로부터 탑재대를 향하여 조사되는 빛의 열에너지에 의해서 탑재대상의 대상물을 가열하는 램프 유닛과, 램프 유닛에 연결되어 램프 유닛을 회전시키는 회전축과, 회전축을 회전 가능하게 지지하는 축받이와, 회전축과 접촉하는 축받이의 접촉면에 설치되고, 회전축측의 열을 흡수하여 축받이측에 방열함으로써, 램프 유닛의 열을 회전축을 거쳐서 축받이에 이동시키는 서모모듈을 구비하고 있다.