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公开(公告)号:KR102145094B1
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:KR1020170121753
申请日:2017-09-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 고바야시다케시
IPC: H01J37/32
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2.기판 탈리 검출 장치 및 기판 탈리 검출 방법과 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
Title translation: 基板检测装置和基板脱落检测方法以及通过使用该方法和处理基板的装置公开(公告)号:KR1020140139431A
公开(公告)日:2014-12-05
申请号:KR1020140063161
申请日:2014-05-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45551 , H01L21/67259 , G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L21/67248 , H01L21/681 , H01L21/683 , H01L22/10 , H01L22/30
Abstract: 챔버 내에 구비된 회전 테이블의 표면에 형성된 기판 적재용의 오목부에 기판(W)이 적재되었을 때에, 상기 회전 테이블을 회전시켜도 상기 기판이 상기 오목부로부터 튀어나오지 않는 상태가 된 것을 검출하는 회전 가능 상태 검출 장치이다. 상기 회전 상태 가능 검출 장치는, 상기 기판이 상기 오목부 상에 적재되었을 때에, 상기 기판 단부의 표면 높이가, 상기 회전 테이블을 회전 개시 가능한 소정값 이하가 된 것을 검출하는 회전 가능 상태 검출 수단을 갖는다.
Abstract translation: 公开了一种用于检测准备旋转状态的装置,其检测当形成在室中的转盘的表面上的凹部上的基板W从凹部移出时不会从凹部移出的状态 转盘旋转。 用于检测准备旋转状态的装置包括准备旋转状态检测单元,用于在接收到基板时检测基板的端部的表面的高度是否等于或低于指示转台的预定值 在凹部上。
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3.회전 가능 상태 검출 장치 및 회전 가능 상태 검출 방법 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
Title translation: 旋转状态检测装置和旋转状态检测方法和方法以及通过其使用处理基板的装置公开(公告)号:KR1020140139429A
公开(公告)日:2014-12-05
申请号:KR1020140062941
申请日:2014-05-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/683 , H01L22/00 , H01L22/30
Abstract: 본 발명은 챔버 내에 구비된 회전 테이블의 표면에 형성된 기판 적재용 오목부 상에 기판 W가 적재되어, 상기 회전 테이블을 회전시켜도 상기 기판이 상기 오목부로부터 튀어나오지 않는 상태로 된 것을 검출하는 회전 가능 상태 검출 장치이다. 상기 회전 상태 가능 검출 장치는 상기 기판이 상기 오목부 상에 적재되었을 때에, 상기 기판의 단부의 표면의 높이가, 상기 회전 테이블을 회전 개시 가능한 소정값 이하로 된 것을 검출하는 회전 가능 상태 검출 수단을 갖는다.
Abstract translation: 用于检测准备旋转状态的装置检测当转盘旋转时,放置在形成在室中的转台的表面上的凹部上的基板W不会从凹部移出的状态。 用于检测准备旋转状态的装置包括准备旋转状态检测单元,用于在接收到基板时检测基板的端部的表面的高度是否等于或低于指示转台的预定值 在凹部上。
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公开(公告)号:KR1020130141397A
公开(公告)日:2013-12-26
申请号:KR1020130068486
申请日:2013-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/509 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: The present invention installs a plasma processing unit which is separated to the rotation direction of a rotation table for each processing gas nozzle. The present invention installs a bias electrode unit in a position which is touched to the plasma processing unit through a rotation table in order not to be touched to the rotation table. The present invention is provided to apply bias voltage from a voltage applying unit to the bias electrode unit, thereby applying a non-touch bias voltage to a wafer (W) on the rotation table. [Reference numerals] (120) Bias electrode unit;(AA) Plasma generation gas;(BB) O_2 gas;(CC,DD) N_2 gas
Abstract translation: 本发明安装一个等离子体处理单元,该等离子体处理单元与每个处理气体喷嘴的旋转台的旋转方向分开。 本发明通过旋转台将偏置电极单元安装在与等离子体处理单元接触的位置,以便不与旋转台接触。 本发明提供用于将偏置电压从电压施加单元施加到偏置电极单元,从而对旋转台上的晶片(W)施加非触摸偏置电压。 (附图标记)(120)偏置电极单元;(AA)等离子体产生气体;(BB)O_2气体;(CC,DD)N_2气体
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公开(公告)号:KR101862905B1
公开(公告)日:2018-05-30
申请号:KR1020150022365
申请日:2015-02-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J2237/334
Abstract: 본발명은소정의출력을갖는제1 고주파전력을전극에공급해서플라즈마를발생시키고, 피처리체(W)에플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치의운전방법이며, 상기플라즈마처리장치의전회의운전종료로부터의시간간격이소정간격을초과했을때에, 상기소정의출력보다도작은출력을갖는제2 고주파전력을상기전극에공급하는전하축적공정을행하고나서상기플라즈마처리를행한다.
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公开(公告)号:KR101794380B1
公开(公告)日:2017-11-06
申请号:KR1020130068486
申请日:2013-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/509 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 본발명은각 처리가스노즐에대해회전테이블의회전방향으로이격시켜플라즈마처리부를설치하는동시에, 회전테이블을통해플라즈마처리부를면하는위치에, 당해회전테이블에접촉하지않도록바이어스전극부를설치하는것이다. 그리고, 이바이어스전극부에대해, 바이어스전압인가부로부터바이어스전압을인가함으로써, 회전테이블상의웨이퍼(W)에대해비접촉으로바이어스전압을인가한다.
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7.회전 가능 상태 검출 장치 및 회전 가능 상태 검출 방법 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
Title translation: 可旋转状态检测装置和检测可旋转状态的方法,使用它的衬底处理装置以及衬底处理方法公开(公告)号:KR101736538B1
公开(公告)日:2017-05-16
申请号:KR1020140062941
申请日:2014-05-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G06T7/0004 , G06T2207/30148
Abstract: 본발명은챔버내에구비된회전테이블의표면에형성된기판적재용오목부상에기판 W가적재되어, 상기회전테이블을회전시켜도상기기판이상기오목부로부터튀어나오지않는상태로된 것을검출하는회전가능상태검출장치이다. 상기회전상태가능검출장치는상기기판이상기오목부상에적재되었을때에, 상기기판의단부의표면의높이가, 상기회전테이블을회전개시가능한소정값이하로된 것을검출하는회전가능상태검출수단을갖는다.
Abstract translation: 基板安装形成于旋转台的表面上的凹部上的基板W gajeok材料的发明中,旋转状态检测检测到该旋转旋转台即使当状态不从在所述室中提供的衬底移相器凹部伸出 该设备。 旋转状态检测装置具有旋转状态检测装置,用于检测基板端部表面的高度是否小于或等于当基板装载到基板上时旋转台能够开始旋转的预定值, 。
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8.기판 탈리 검출 장치 및 기판 탈리 검출 방법과 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
Title translation: 基板解吸检测器和基板解吸检测方法以及使用该基板的基板处理装置和基板处理方法公开(公告)号:KR101734617B1
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:KR1020140063161
申请日:2014-05-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45551
Abstract: 챔버내에구비된회전테이블의표면에형성된기판적재용의오목부에기판(W)이적재되었을때에, 상기회전테이블을회전시켜도상기기판이상기오목부로부터튀어나오지않는상태가된 것을검출하는회전가능상태검출장치이다. 상기회전상태가능검출장치는, 상기기판이상기오목부상에적재되었을때에, 상기기판단부의표면높이가, 상기회전테이블을회전개시가능한소정값이하가된 것을검출하는회전가능상태검출수단을갖는다.
Abstract translation: 当将基板W安装在用于安装形成在设置在腔室中的旋转台的表面上的基板的凹部上时,旋转台的旋转被检测, 状态检测装置。 旋转状态使能检测装置具有可旋转状态检测装置,用于检测上部设备判定部分的表面的高度变得小于或等于当装置安装在基板的凹部上时旋转台能够开始旋转的预定值。
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公开(公告)号:KR101672078B1
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:KR1020130153691
申请日:2013-12-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32082 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 진공용기내에서기판에대해성막처리를행하도록구성된성막장치는, 상기기판을적재하도록구성된기판적재영역을공전시키도록구성된회전테이블과, 상기기판적재영역에처리가스를공급하도록구성된처리가스공급부를포함하고, 상기회전테이블의회전에수반하여상기기판상에분자층혹은원자층을순차적층하여박막을형성하도록구성된성막영역과, 상기성막영역에대해상기회전테이블의회전방향으로이격되어형성된플라즈마발생영역에서, 플라즈마발생용가스의플라즈마화에의해생성된플라즈마에의해상기분자층혹은원자층을개질처리하도록구성된플라즈마처리부와, 플라즈마중의이온을상기기판의표면에인입시키기위해, 상기회전테이블상의상기기판의높이보다도하방측에설치된하측바이어스전극및 상기높이와동일하거나혹은당해높이보다도상방측에배치된상측바이어스전극과, 상기하측바이어스전극및 상기상측바이어스전극중 적어도한쪽에접속되고, 상기하측바이어스전극및 상기상측바이어스전극이상기플라즈마발생영역을사이에두고용량결합되어상기기판에바이어스전위를형성하도록구성된고주파전원부와, 상기진공용기내를배기하도록구성된배기기구를구비한다.
Abstract translation: 用于对基板进行成膜处理的成膜装置包括旋转台,成膜区域,被配置为包括处理气体供给部,等离子体处理部,设置在位置的下侧的下偏置电极 位于旋转台上的基板的高度,布置在高度位置的相同位置的上偏置电极或高度位置的上侧;高频电源部分,连接到下偏置电极和下偏置电极中的至少一个; 所述上偏置电极并且被配置为以所述下偏置电极和所述上偏置电极电容耦合的方式在所述衬底上形成偏置电位,以及排气机构。
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公开(公告)号:KR101654968B1
公开(公告)日:2016-09-06
申请号:KR1020140013114
申请日:2014-02-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32733
Abstract: 회전테이블(2)의하방측에서개질영역(S1)에대향하는위치에바이어스전극(120)을배치함과함께, 개질영역(S1)의상방측에패러데이실드(95)를배치하고, 이들바이어스전극(120)과패러데이실드(95)를용량결합시켜상기개질영역(S1)에바이어스전계를형성한다. 그리고, 바이어스전극(120)에대해서, 회전테이블(2)의회전방향에서의폭 치수(t)가서로인접하는웨이퍼(W)끼리의이격치수(d)보다도작게되도록형성하여, 서로인접하는웨이퍼(W)에대해동시에바이어스전계가가해지는것을방지하면서, 각웨이퍼(W)에대해개별로바이어스전계를형성한다.
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