기판 처리 장치 및 플라즈마에 노출되는 부재
    2.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 플라즈마에 노출되는 부재 有权
    基板加工设备和暴露于等离子体的成员

    公开(公告)号:KR1020100012036A

    公开(公告)日:2010-02-04

    申请号:KR1020097026469

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: H01L21/68742 C23C16/4586 H01L21/67103

    Abstract: A substrate placing table is provided with a substrate placing table main body, which has a heater embedded inside and has the surface for heating a substrate to be processed; and a lifter pin inserted movably in the vertical direction in the substrate placing table. On the heating surface of the substrate placing table main body, a recessed section having a bottom surface lower than the heating surface is formed corresponding to the lifter pin. The lifter pin is provided with a lifter pin main body, and a head section, which is formed corresponding to the recessed section at the leading end portion of the lifter pin main body, can be partially stored in the recessed section and has a diameter larger than that of the lifter pin main body. The head section is provided with a head section upper edge for supporting the substrate to be processed, and a head section lower surface facing the head section upper edge. The lifter pin can freely shift between a first status where the lower surface of the head section is engaged with the bottom surface of the recessed section, and a second status where the lower surface of the head section is risen from the bottom surface of the recessed section.

    Abstract translation: 基板放置台设置有基板放置台主体,其具有嵌入在内部的加热器,并具有用于加热待处理基板的表面; 以及在所述基板载置台中沿垂直方向可移动地插入的升降销。 在基板载置台主体的加热面上形成具有比加热面低的底面的凹部,与该升降销相对应。 升降销具有升降销主体,并且与提升销主体的前端部的凹部形成的头部可以部分地存储在凹部中,并且具有较大的直径 比提升销主体的要差。 头部设置有用于支撑被处理基板的头部上边缘和与头部上边缘相对的头部下表面。 提升销可以在头部的下表面与凹部的底面接合的第一状态和头部的下表面从凹部的底面上升的第二状态之间自由地移动 部分。

    리프터 및 리프터를 구비하는 피처리체의 처리 장치
    3.
    发明公开
    리프터 및 리프터를 구비하는 피처리체의 처리 장치 失效
    LIFTER和目标物件加工设备

    公开(公告)号:KR1020070092686A

    公开(公告)日:2007-09-13

    申请号:KR1020070023704

    申请日:2007-03-09

    Abstract: A lifter and an apparatus for treating a target object with the same are provided to prevent the damage of a pin by aligning easily the pin and a pin insertion hole with each other in a treating apparatus assembling process and to prevent the generation of a transfer error of the target object by preventing the pin from being adsorbed onto the target object. A plurality of pins are inserted into a plurality of holes through a mounting unit. The pins are capable of supporting a target object. A lifter arm is used for supporting the pins. Pin fixing parts(102) are used for fixing the pins to the lifter arm. The pin fixing part is inserted into a through hole of the lifter arm. The pin fixing part includes a movable portion(102b) inserted into the through hole of the lifter arm, a support portion connected onto the movable portion, a connection portion, and a stopper portion. The connection portion is connected to a lower portion of the movable portion and protruded from a lower portion of the through hole. The stopper portion is connected to the connection portion. The stopper portion contacts a lower surface of the lifter arm. The pin fixing part is capable of being moved in a lateral direction due to a gap around the movable portion.

    Abstract translation: 提供了一种用于处理目标物体的升降机和装置,以通过在处理装置组装过程中容易地将销和销插入孔彼此对准来防止销的损坏,并且防止产生传递误差 通过防止销被吸附到目标物体上。 多个销通过安装单元插入多个孔中。 引脚能够支持目标对象。 升降臂用于支撑销。 针固定部件(102)用于将销固定到升降臂。 销钉固定部分插入升降臂的通孔中。 针固定部分包括插入升降臂的通孔中的可动部分(102b),连接到可动部分上的支撑部分,连接部分和止动部分。 连接部分连接到可动部分的下部并且从通孔的下部突出。 止动部分连接到连接部分。 止动部接触升降臂的下表面。 销固定部能够由于可动部周围的间隙而在横向方向上移动。

    플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 도입 장치
    4.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 도입 장치 有权
    等离子体处理装置和微波介绍装置

    公开(公告)号:KR101393890B1

    公开(公告)日:2014-05-12

    申请号:KR1020120033452

    申请日:2012-03-30

    Abstract: 본 발명의 과제는 간단한 구성으로 플라즈마의 분포를 균일화하는 것이다.
    본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 처리용기(2)내에 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치(5)를 구비하고 있다. 마이크로파 도입 장치(5)는 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞추는 복수의 마이크로파 투과판(73)을 포함하고 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞춘 상태에서, 탑재대(21)의 탑재면(21a)에 평행한 1개의 가상의 평면상에 배치되어 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 마이크로파 투과판(73A∼73G)을 포함하고 있다. 마이크로파 투과판(73G, 73A)의 중심점 P
    G , P
    A 간 거리와 마이크로파 투과판(73G, 73B)의 중심점 P
    G , P
    B 간 거리는 서로 동등하거나 대략 동등하게 되도록 설정된다.

    평면 안테나 부재, 및 이것을 구비한 플라즈마 처리 장치
    5.
    发明公开
    평면 안테나 부재, 및 이것을 구비한 플라즈마 처리 장치 无效
    平面天线构件和等离子体处理装置

    公开(公告)号:KR1020100122894A

    公开(公告)日:2010-11-23

    申请号:KR1020107007491

    申请日:2009-03-13

    CPC classification number: H05H1/46 H01J37/32192 H01J37/3222

    Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 전자파 발생원에서 발생한 전자파를 도입하는 평면 안테나 부재로서, 도전성 재료로 이루어지는 평판형 기재와, 상기 평판형 기재에 형성된, 전자파를 방사하는 복수의 관통구를 구비하고, 상기 관통구는, 상기 평면 안테나 부재의 중심에 그 중심이 겹쳐지는 원의 둘레 상에 배열된 복수의 제1 관통구와, 상기 제1 관통구의 외측에 상기 원과 동심원 형상으로 배열된 복수의 제2 관통구를 포함하고 있으며, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제1 관통구의 중심까지의 거리(L1)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L1/r)가, 0.35 ∼ 0.5의 범위이고, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제2 관통구의 중심까지의 거리(L2)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L2/r)가, 0.7 ∼ 0.85의 범위인 � �을 특징으로 하는 평면 안테나 부재이다.

    기판 처리 장치 및 플라즈마에 노출되는 부재
    6.
    发明授权
    기판 처리 장치 및 플라즈마에 노출되는 부재 有权
    基板加工设备和暴露于等离子体的成员

    公开(公告)号:KR100993466B1

    公开(公告)日:2010-11-09

    申请号:KR1020097026469

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: H01L21/68742 C23C16/4586 H01L21/67103

    Abstract: 내부에 히터를 매설하고, 그 표면이 피처리 기판의 가열면으로 되는 기판 탑재대 본체와, 기판 탑재대 본체 중에, 상하 이동이 자유롭게 삽통된 리프터 핀을 구비한 기판 탑재대에 있어서, 기판 탑재대 본체는, 그 가열면에, 리프터 핀에 대응하여, 가열면보다 낮은 저면을 갖는 오목부가 형성되고, 리프터 핀은, 리프터 핀 본체와, 리프터 핀 본체의 선단부에, 오목부에 대응하여 형성되고, 오목부에 부분적으로 수납 가능하고, 리프터 핀 본체보다 큰 직경을 가진 헤드부를 갖고, 헤드부는, 피처리 기판을 지지하는 헤드부 상단과, 헤드부 상단에 대향하는 헤드부 하면을 갖고, 리프터 핀은, 헤드부 하면이, 오목부의 저면에 계합한 제 1 상태와, 헤드부 하면이 오목부의 저면으로부터 상승한 제 2 상태 사이에서 이동이 자유롭다.

    플라즈마 처리 장치
    7.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工装置

    公开(公告)号:KR1020100054826A

    公开(公告)日:2010-05-25

    申请号:KR1020107005342

    申请日:2008-09-26

    CPC classification number: H05H1/46 H01J37/32192 H01J37/3222 H01J37/32229

    Abstract: A microwave plasma processing device (100) of the slot antenna type includes a planar antenna plate (31) constituting a flat waveguide and a cover (34) formed by a conductive member. The cover (34) has a stub (43) as a second waveguide for adjusting field distribution in the flat waveguide. The stub (43) is arranged at a position superposed by slots (32) constituting a slot pair arranged at the outermost circumference of the planar antenna plate (31) when viewed from above. By appropriately arranging the stubs (43), it is possible to control the field distribution in the flat waveguide and generate a uniform plasma.

    Abstract translation: 缝隙天线型微波等离子体处理装置(100)包括构成平坦波导的平面天线板(31)和由导电部件形成的盖(34)。 盖(34)具有作为用于调整平面波导中的场分布的第二波导的短截线(43)。 当从上方观察时,短截线体(43)被布置在叠置有构成设置在平面天线板(31)的最外周的槽对的槽(32)的位置。 通过适当地布置短截线(43),可以控制平坦波导中的场分布并产生均匀的等离子体。

    플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 도입 장치
    8.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 도입 장치 有权
    等离子体处理装置和微波介绍装置

    公开(公告)号:KR1020120112253A

    公开(公告)日:2012-10-11

    申请号:KR1020120033452

    申请日:2012-03-30

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a microwave introduction device are provided to uniformize distribution of plasma by providing a simple structure. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a microwave induction device for introducing microwaves into a processing container. The microwave induction device includes a plurality of microwave transmission plates(73) inserted into a plurality of openings on a ceiling portion. The plurality of microwave transmission plates is arranged on one virtual plane which is parallel on a mounting surface of a mounting table while being inserted into a plurality of openings on the ceiling portion. The plurality of microwave transmission plates includes microwave transmission plates(73A-73G). The distance between central points of microwave transmission plates and the distance between the central points of the microwave transmission plates are set to be identical.

    Abstract translation: 目的:提供等离子体处理装置和微波引入装置,通过提供简单的结构来均匀分布等离子体。 构成:等离子体处理装置包括用于将微波引入处理容器的微波感应装置。 微波感应装置包括插入天花板部分上的多个开口中的多个微波传输板(73)。 多个微波透射板被布置在一个虚拟平面上,该虚拟平面平行于安装台的安装表面,同时插入到天花板部分上的多个开口中。 多个微波透射板包括微波透射板(73A-73G)。 微波透射板的中心点与微波透射板的中心点之间的距离设定为相同。

    기판 처리 장치 및 그것에 이용되는 기판 탑재대,플라즈마에 노출되는 부재
    10.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 그것에 이용되는 기판 탑재대,플라즈마에 노출되는 부재 无效
    基板加工装置,用于其的基板放置台和暴露于等离子体的构件

    公开(公告)号:KR1020080015466A

    公开(公告)日:2008-02-19

    申请号:KR1020077030550

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: H01L21/68742 C23C16/4586 H01L21/67103

    Abstract: A substrate placing table is provided with a substrate placing table main body, which has a heater embedded inside and has the surface for heating a substrate to be processed; and a lifter pin inserted movably in the vertical direction in the substrate placing table. On the heating surface of the substrate placing table main body, a recessed section having a bottom surface lower than the heating surface is formed corresponding to the lifter pin. The lifter pin is provided with a lifter pin main body, and a head section, which is formed corresponding to the recessed section at the leading end portion of the lifter pin main body, can be partially stored in the recessed section and has a diameter larger than that of the lifter pin main body. The head section is provided with a head section upper edge for supporting the substrate to be processed, and a head section lower surface facing the head section upper edge. The lifter pin can freely shift between a first status where the lower surface of the head section is engaged with the bottom surface of the recessed section, and a second status where the lower surface of the head section is risen from the bottom surface of the recessed section.

    Abstract translation: 基板放置台设置有基板放置台主体,其具有嵌入在内部的加热器,并具有用于加热待处理基板的表面; 以及在所述基板载置台中沿垂直方向可移动地插入的升降销。 在基板载置台主体的加热面上形成具有比加热面低的底面的凹部,与该升降销相对应。 升降销具有升降销主体,并且与提升销主体的前端部的凹部形成的头部可以部分地存储在凹部中,并且具有较大的直径 比提升销主体的要差。 头部设置有用于支撑被处理基板的头部上边缘和与头部上边缘相对的头部下表面。 提升销可以在头部的下表面与凹部的底面接合的第一状态和头部的下表面从凹部的底面上升的第二状态之间自由地移动 部分。

Patent Agency Ranking