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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130095225A
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：KR1020130016217
申请日：2013-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32926 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H05H1/46 , H05H2001/4607
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a plasma monitoring method are provided to distinguish the condition of plasma generated by microwaves before monitoring for preventing the process error. CONSTITUTION: A microwave induction device (5) introduces microwave within a treatment basin (2). The microwave induction device includes plural microwave conductor plates (73). A light emitting sensor (92) includes each antenna module (61) of the microwave induction device, and detects the radiation of the specific wave of plasma generated in the treatment basin. A control unit (8) monitors the condition of plasma based on the detection data of the light emitting sensor. [Reference numerals] (24) Adapter; (31) Gas supply source; (4) Exhaustion device; (50) Microwave output unit; (8) Control unit
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体监测方法，以区分在监测之前由微波产生的等离子体的状况，以防止过程误差。 构成：微波感应装置（5）在处理池（2）内引入微波。 微波感应装置包括多个微波导体板（73）。 发光传感器（92）包括微波感应装置的每个天线模块（61），并且检测在处理池中产生的等离子体波的辐射。 控制单元（8）基于发光传感器的检测数据来监视等离子体的状态。 （附图标记）（24）适配器; （31）供气源; （4）排气装置; （50）微波输出单元; （8）控制单元
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公开(公告)号：KR1020100127803A
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020107021754
申请日：2009-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32559 , H01J37/32633
Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 산화 처리 장치(100)에서는 탑재대(5)에 대해서 대향 전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 내주의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막으로서의 실리콘막(48)이 코팅되어 있다. 실리콘막(48)에 인접해서 제 2 용기(3) 및 제 1 용기(2)의 내면에는 상부 라이너(49a) 및 이것보다 두껍게 형성된 하부 라이너(49b)가 마련되고, 이들 부위로의 단락이나 이상 방전이 방지되고, 적정한 고주파 전류 경로가 형성되어서 전력 소비 효율이 향상된다.
Abstract translation: 等离子体氧化装置100用于向埋设在载置台5上的电极7供给偏压用的高频电力，并且具有作为相对于载置台5的对置电极发挥功能的铝盖部27 在暴露于内周等离子体的表面上涂覆作为保护膜的硅膜48。 在第二容器3和第一容器2的与硅膜48相邻的内表面上设置有形成得比上衬里49a更厚的上衬里49a和下衬里49b， 防止放电并形成适当的高频电流路径，由此提高功耗效率。
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公开(公告)号：KR1020100122894A
公开(公告)日：2010-11-23
申请号：KR1020107007491
申请日：2009-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 전자파 발생원에서 발생한 전자파를 도입하는 평면 안테나 부재로서, 도전성 재료로 이루어지는 평판형 기재와, 상기 평판형 기재에 형성된, 전자파를 방사하는 복수의 관통구를 구비하고, 상기 관통구는, 상기 평면 안테나 부재의 중심에 그 중심이 겹쳐지는 원의 둘레 상에 배열된 복수의 제1 관통구와, 상기 제1 관통구의 외측에 상기 원과 동심원 형상으로 배열된 복수의 제2 관통구를 포함하고 있으며, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제1 관통구의 중심까지의 거리(L1)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L1/r)가, 0.35 ∼ 0.5의 범위이고, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제2 관통구의 중심까지의 거리(L2)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L2/r)가, 0.7 ∼ 0.85의 범위인 � �을 특징으로 하는 평면 안테나 부재이다.
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公开(公告)号：KR101475591B1
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020130016217
申请日：2013-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: (과제) 처리용기내에복수의부위로부터마이크로파를도입하는방식의플라즈마처리장치에있어서, 복수의마이크로파에의해생성한복수의플라즈마의상태를구별하여모니터링한다. (해결수단) 플라즈마처리장치(1)는, 처리용기(2) 내에마이크로파를도입하는마이크로파도입장치(5)를구비하고있다. 마이크로파도입장치(5)는, 천정부(11)의복수의개구부에감합하는복수의마이크로파투과판(73)을포함하고있다. 발광센서(92)는, 마이크로파도입장치(5)의각 안테나모듈(61)에각각마련되어있다. 발광센서(92)는, 마이크로파투과판(73)을통해서, 마이크로파투과판(73)의직하의처리용기(2) 내에서생성한플라즈마의특정파장의발광을검출한다. 검출대상의파장은, 서로인접하는 2개의마이크로파투과판(73)으로부터각각도입된마이크로파에의해생성되는 2개의플라즈마에있어서의발광강도의비에근거하여선택된다.
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公开(公告)号：KR101317018B1
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：KR1020107021754
申请日：2009-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32559 , H01J37/32633
Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 산화 처리 장치(100)에서는 탑재대(5)에 대해서 대향 전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 내주의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막으로서의 실리콘막(48)이 코팅되어 있다. 실리콘막(48)에 인접해서 제 2 용기(3) 및 제 1 용기(2)의 내면에는 상부 라이너(49a) 및 이것보다 두껍게 형성된 하부 라이너(49b)가 마련되고, 이들 부위로의 단락이나 이상 방전이 방지되고, 적정한 고주파 전류 경로가 형성되어서 전력 소비 효율이 향상된다.
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