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公开(公告)号：KR1020140115978A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020140028350
申请日：2014-03-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4401 , B05B1/005 , B05B1/14 , C23C16/452 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01J37/3244
Abstract: A plasma processing apparatus has a shower plate for introducing gas into a treatment receptacle and generates surface wave plasma by a microwave, such that precursors are prohibited from being accumulated in a gas hole of the shower plate. The plasma processing apparatus includes a treatment receptacle (10) in which a plasma process is performed, and a plasma generating antenna (20) having the shower plate (100) for supplying the first gas and the second gas into the treatment receptacle (10). Thus, the plasma processing apparatus processes a substrate by forming plasma by the surface wave formed on a surface of the shower plate (100) by supplying a microwave. The shower plate (100) includes a plurality of gas holes (133) through which the first gas is supplied into the treatment receptacle (10), and a plurality of supply nozzles (160) located at a position different from that of the gas holes (133) and protruding downwardly from a low surface of the shower plate (100) in a direction perpendicular to the low surface of the shower plate (100) in order to supply the second gas into the treatment receptacle (10).
Abstract translation: 等离子体处理装置具有用于将气体引入处理容器并通过微波产生表面波等离子体的喷淋板，使得前体被禁止积聚在喷淋板的气孔中。 等离子体处理装置包括其中执行等离子体处理的处理容器（10）和具有用于将第一气体和第二气体供应到处理容器（10）中的喷淋板（100）的等离子体产生天线（20） 。 因此，等离子体处理装置通过通过提供微波在形成于淋浴板（100）的表面上的表面波形成等离子体来处理基板。 喷淋板（100）包括多个气体孔（133），第一气体通过该气体供应到处理容器（10）中，并且多个供应喷嘴（160）位于与气孔不同的位置 （133），并且从垂直于喷淋板（100）的低表面的方向从喷淋板（100）的低表面向下突出，以便将第二气体供应到处理容器（10）中。
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公开(公告)号：KR100540052B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020047001126
申请日：2002-07-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32706
Abstract: A plasma processing apparatus includes a processing container for receiving a substrate to be processed and processing the substrate by a plasma of a processing gas, a substrate mounting table, installed in the processing container, for mounting the substrate thereon, and a gas supplying unit for supplying the processing gas into the processing container. Here, the substrate mounting table includes a mounting table main body formed of an insulator component. Here, an electrode is embedded inside the mounting table main body, a high frequency power supply for supplying a high frequency power is connected to the electrode, and one or more exposed electrodes are installed to be exposed toward the outside of the mounting table main body and electrically connected to the electrode in the mounting table main body.
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公开(公告)号：KR1020080022221A
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020087002231
申请日：2006-06-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01J37/321 , H01L21/2855 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76844
Abstract: A metal film forming method is provided with a step of placing a subject, which is to be treated and has a recessed section formed on the surface, on a placing table in a treatment chamber; a step of exhausting the treatment chamber; a step of ionizing a metal target in an exhausted treatment chamber by plasma formed by bringing an inert gas into the plasma state, and generating metal particles including metal ions; and a step wherein a recessed ground portion is formed by grinding a bottom section of the recessed section by applying bias power on the subject placed on the placing table and pulling the plasma and the metal particles into the subject, and a metal film is formed over the entire surface of the subject including the surfaces in the recessed section and the recessed ground section. ® KIPO & WIPO 2008
Abstract translation: 金属膜形成方法具有将待处理对象并且具有形成在表面上的凹部的放置在处理室中的放置台上的步骤; 排出处理室的步骤; 通过使惰性气体进入等离子体状态而形成的等离子体使排气处理室内的金属靶电离的工序，产生包含金属离子的金属粒子; 以及通过对放置在放置台上的被摄体上施加偏压力并将等离子体和金属粒子拉入被检体的方式，对凹部的底部进行研磨而形成凹陷接地部的工序，形成金属膜 被检体的整个表面包括凹部中的表面和凹入的接地部分。 ®KIPO＆WIPO 2008
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公开(公告)号：KR1020070000436A
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020067014711
申请日：2005-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/02 , C23C16/16
Abstract: A method and a processing tool are provided for forming a metal layer with improved morphology on a substrate. The method includes pre-treating the substrate by exposing the substrate to excited species in a plasma, exposing the pre-treated substrate to a process gas containing a metal-carbonyl precursor, and forming a metal. layer on the pre-treated substrate surface by a chemical vapor deposition process. The metal-carbonyl precursor can contain W(CO) 6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, or Ru3(CO)12or any combination thereof, and the metal layer can contain W, Ni, Mo, Co, Rh, Re, Cr, or Ru, or any combination thereof, respectively. ® KIPO & WIPO 2007
Abstract translation: 提供了一种用于在衬底上形成具有改善的形态的金属层的方法和加工工具。 该方法包括通过将衬底暴露于等离子体中的激发物质来预处理衬底，将预处理衬底暴露于含有羰基金属前体的工艺气体，并形成金属。 层通过化学气相沉积工艺在预处理的基材表面上。 金属羰基前体可以含有W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co2（CO）8，Rh4（CO）12，Re2（CO）10，Cr（CO） Ru 3（CO）12或其任何组合，并且金属层可以分别含有W，Ni，Mo，Co，Rh，Re，Cr或Ru，或其任何组合。 ®KIPO＆WIPO 2007
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公开(公告)号：KR101736070B1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020140028350
申请日：2014-03-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4401 , B05B1/005 , B05B1/14 , C23C16/452 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01J37/3244
Abstract: 처리용기내로가스를도입하는샤워플레이트를가지고, 마이크로파에의해표면파플라즈마를발생시키는플라즈마처리장치에서, 샤워플레이트의가스홀에프리커서가퇴적되는것을억제한다. 플라즈마처리가행해지는처리용기(10)와, 처리용기(10) 내로제 1 가스와제 2 가스를공급하는샤워플레이트(100)를구비한플라즈마발생용의안테나(20)를가지고, 마이크로파의공급에의해샤워플레이트(100)의표면에형성된표면파에의해플라즈마를형성하여기판을처리하는플라즈마처리장치로서, 샤워플레이트(100)에는, 처리용기(10) 내로제 1 가스를공급하는복수의가스홀(133)과, 당해복수의가스홀(133)과상이한위치에, 샤워플레이트(100)의하면으로부터수직하방으로돌출되고처리용기(10) 내로제 2 가스를공급하는복수의공급노즐(160)이형성되어있다.
Abstract translation: 具有用于将气体引入所述处理容器内的喷淋板，用于产生微波的表面波等离子体的等离子体处理装置，它是从沉积在喷淋板的前体气体孔防止。 等离子体处理具有用于具有用于供给气体进入处理容器10中，在等离子体产生时，微波的供给完成的处理容器10和第一气体到第二喷淋板（100）的天线（20） 喷淋板100具备用于向处理容器10内供给第一气体的多个气孔（未图示），多个气孔 133和多个气孔133髁上的一个位置的技术中，喷淋板100，根据多个供应喷嘴160，其垂直向下伸出，并供给第二气体到处理容器10从 它正在释放。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120112261A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033519
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/3244 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a plasma generation antenna are provided to supply gas and electromagnetic waves which are separated from each other by providing a structure of separating the gas and the electromagnetic waves. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus(10) has a process container(100) which processes a wafer with plasma in an internal space hermetically maintained. The process container is grounded in a cylindrical shape. A susceptor(105) mounting the wafer is installed in the bottom of the process container. A shower head is installed to be contiguous to the susceptor. The shower head is formed into a conductor having a plurality of gas holes. The shower head has the plurality of slots passing through electromagnetic waves in a separated location. The plasma processing apparatus includes a plurality of plasma generation antenna(200). [Reference numerals] (120) Matcher; (135) Exhaust device; (255) DC power supply; (300) Microwave output unit; (410) Antenna module; (505) Control unit; (510) Memory unit; (600) Gas supply source; (AA) Microwave transfer mechanism; (BB) Recipe
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体产生天线，以通过提供分离气体和电磁波的结构来提供彼此分离的气体和电磁波。 构成：等离子体处理装置（10）具有处理容器（100），该处理容器（100）在密封保持的内部空间中的等离子体处理晶片。 处理容器接地为圆柱形。 安装晶片的感受器（105）安装在处理容器的底部。 淋浴头安装成与基座相邻。 淋浴头形成为具有多个气孔的导体。 淋浴头具有通过分离位置的电磁波的多个槽。 等离子体处理装置包括多个等离子体产生天线（200）。 （附图标记）（120）匹配器; （135）排气装置; （255）直流电源; （300）微波输出单元; （410）天线模块; （505）控制单元; （510）存储单元; （600）供气源; （AA）微波传输机制; （BB）食谱
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公开(公告)号：KR1020040021653A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020047001126
申请日：2002-07-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32706
Abstract: 플라즈마 처리 장치(15)는 웨이퍼(W)를 수용하여 처리 가스의 플라즈마에 의해 처리하는 처리 용기(20)와, 상기 처리 용기(20)내에 설치되고, 웨이퍼(W)가 탑재되는 적어도 표면이 절연체(27)로 이루어지는 서셉터(23)를 구비하고 있다. 상기 처리 용기(20)내에 가스 공급 수단(60)으로부터 처리 가스가 공급되고, 상기 서셉터(23)에 고주파 전원(39)으로부터 고주파 전력이 인가된다. 상기 서셉터(23)에 고주파 전원(39)과 접속된 하부 전극(25)이 설치되고, 또한 상기 서셉터(23)에 하부 전극(25)과 접속된 노출 전극(29)이 노출하여 설치되어 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：处理容器，其用于接收被处理基板，通过处理气体的等离子体来处理基板;基板载置台，其设置在处理容器内，用于载置基板;气体供给部， 将处理气体供应到处理容器中。 这里，基板载置台具有由绝缘部件构成的载置台主体。 在此，在载置台主体的内部埋设有电极，在该电极上连接有用于供给高频电力的高频电源，一个以上的露出电极被设置成朝向载置台主体的外部露出 并电连接到安装台主体中的电极。
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公开(公告)号：KR101291917B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020087002231
申请日：2006-06-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01J37/321 , H01L21/2855 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76844
Abstract: 본 발명은 처리 용기 내의 탑재대 상에, 표면에 오목부가 형성된 피처리체를 탑재하는 공정과, 처리 용기 내를 진공화하는 공정과, 진공화된 처리 용기내에서, 불활성 가스를 플라즈마화하여 형성된 플라즈마에 의해서, 금속 타겟을 이온화시켜 금속 이온을 포함하는 금속 입자를 발생시키는 공정과, 상기 탑재대 상에 탑재된 상기 피처리체에 바이어스 전력을 인가하여, 상기 플라즈마 및 상기 금속 입자를 그 피처리체에 인입함으로써, 상기 오목부의 바닥부를 깎아서 깎여진 오목부를 형성함과 아울러, 상기 오목부 및 상기 깎여진 오목부 내의 표면을 포함하는 상기 피처리체의 표면 전체에 금속막 성막하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 금속막의 성장 방법이다.
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公开(公告)号：KR101289771B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020110106826
申请日：2011-10-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32293 , H05H2001/463
Abstract: 처리 용기 내에서의 마이크로파의 정재파에 의한 영향을 최대한 억제하고, 챔버 내에서의 플라즈마 밀도의 균일성을 높게 할 수 있는 마이크로파 플라즈마원 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 마이크로파 플라즈마원(2)은 마이크로파 공급부(40)를 가지고, 마이크로파 공급부(40)는, 마이크로파를 처리 용기 내로 도입하는 복수의 마이크로파 도입 기구(43)와, 복수의 마이크로파 도입 기구(43)의 각각에 입력되는 마이크로파의 위상을 조정하는 복수의 위상기(46)를 가지고, 복수의 마이크로파 도입 기구(43) 중 인접하는 것에 대하여, 일방의 마이크로파의 입력 위상을 고정하고, 타방의 마이크로파의 입력 위상을 주기적인 파형에 따라 변화시키도록 복수의 위상기(46)에 의해 복수의 마이크로파 도입 기구(43)에 입력되는 마이크로파의 위상을 조정한다.
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公开(公告)号：KR1020120040677A
公开(公告)日：2012-04-27
申请号：KR1020110106826
申请日：2011-10-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32293 , H05H2001/463
Abstract: PURPOSE: A microwave plasma source and a plasma processing apparatus are provided to enhance the uniformity of electric field intensity by controlling the phase of a microwave inputted to a microwave introducing device through a phase adjuster. CONSTITUTION: A microwave generating device generates a microwave. A microwave supply unit(40) supplies a generated microwave to the inside of a treatment basin. The microwave supply unit has a plurality of microwave introducing devices(43) and a plurality of phase adjusters(46). The microwave introducing device introduces the microwave to the inside of the treatment basin. The phase adjuster adjusts the phase of the microwave inputted to each microwave introducing device.
Abstract translation: 目的：提供微波等离子体源和等离子体处理装置，以通过相位调节器控制输入到微波导入装置的微波的相位来增强电场强度的均匀性。 构成：微波发生装置产生微波。 微波供应单元（40）将生成的微波提供给处理池的内部。 微波供给单元具有多个微波导入装置（43）和多个相位调整器（46）。 微波导入装置将微波引入处理盆内。 相位调节器调节输入到每个微波导入装置的微波的相位。
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