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公开(公告)号：KR101073550B1
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020090103683
申请日：2009-10-29
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 이기용 , 서진욱 , 양태훈 , 정윤모 , 소병수 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 백원봉 , 박종력 , 최보경 , 마이단축이반 , 정재완
IPC: H01L21/324
CPC classification number: F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 따라서, 공정챔버내부의온도산포를최소화할수 있고, 기판의모든영역에균일한열을공급할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110046955A
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：KR1020090103683
申请日：2009-10-29
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 이기용 , 서진욱 , 양태훈 , 정윤모 , 소병수 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 백원봉 , 박종력 , 최보경 , 마이단축이반 , 정재완
IPC: H01L21/324
CPC classification number: F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A device for processing a substrate by heat is provided to separate and control each heater, thereby minimizing temperature spreading in a process chamber. CONSTITUTION: A plurality of substrates(10) is loaded in a boat(20). The boat is inputted into a process chamber(30). A heater chamber(50) applies heat to the process chamber. A base plate(60) supports the boat. A gas injecting hole(70) is connected to a gas supply source. A gas discharging hole(80) is connected to a vacuum pump to discharge by-products and residual gases to the outside.
Abstract translation: 目的：提供用于通过加热处理基板的装置，以分离和控制每个加热器，从而最小化处理室中的温度扩散。 构成：将多个基板（10）装载在船（20）中。 船被输入到处理室（30）中。 加热器室（50）向处理室施加热量。 基板（60）支撑船。 气体注入孔（70）与气体供给源连接。 气体排出孔（80）连接到真空泵以将副产物和残余气体排放到外部。
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公开(公告)号：KR101009642B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020080066722
申请日：2008-07-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/203 , H01L21/677
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 본 발명은 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치를 제공한다. 상기 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치는 금속으로 이루어지는 타켓의 근방에 배치되며, 일정의 자장을 형성하는 마그네트론 부와, 상기 타켓에 형성되는 자장이 기설정되는 기준 자장의 범위에 포함되도록 상기 마그네트론 부와 상기 타켓과의 거리를 일정 거리 이격시키는 이동 유니트를 구비한다. 또한, 본 발명은 상기 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치를 갖는 마그네트론 스퍼터링 설비도 제공함으로써, 공정이 진행되지 않는 경우에 타켓의 자화를 방지할 수 있도록 타켓과 마그네트론을 서로 일정 거리 이격 시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100114717A
公开(公告)日：2010-10-26
申请号：KR1020090033235
申请日：2009-04-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정윤모 , 양태훈 , 소병수 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 최보경 , 마이단축이반 , 백원봉 , 정재완
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly heat the inside of a processing chamber by installing the upper heating unit, an external heating unit and a middle part heating unit. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus includes a processing chamber(120), a boat(110), an external heating unit(130), and a transporting unit(140). A plurality of substrates is loaded on the boat. The external heating unit is placed on the external side of the processing chamber. The transporting unit transports the boat with respect to the processing chamber and includes a lower heating unit. A middle part heating unit is placed on the center part of the boat.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过安装上部加热单元，外部加热单元和中间加热单元来均匀地加热处理室的内部。 构成：基板处理装置包括处理室（120），船（110），外部加热单元（130）和输送单元（140）。 多个基板装载在船上。 外部加热单元被放置在处理室的外侧。 运输单元相对于处理室传送船，并且包括下加热单元。 中间部分加热单元放置在船的中心部分。
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公开(公告)号：KR1020100100187A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090018928
申请日：2009-03-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 이길원 , 이기용 , 서진욱 , 양태훈 , 박병건 , 리사첸코,막심 , 안지수 , 김영대 , 윤상연 , 박종력 , 최보경 , 정윤모 , 정민재 , 홍종원 , 나흥열 , 강유진 , 장석락
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: PURPOSE: A polycrystalline silicon manufacturing is provided to improve the charge mobility of crystallized polycrystalline silicon layer by using hydrogen gas as the carrier gas during forming the amorphous silicon layer. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A capping layer(130) is formed on the amorphous silicon layer. A crystallization guiding metal layer(140) is formed by depositing the crystallization guiding metal on the capping layer.
Abstract translation: 目的：提供多晶硅制造，以在形成非晶硅层期间通过使用氢气作为载气来提高结晶多晶硅层的电荷迁移率。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 在非晶硅层上形成覆盖层（130）。 结晶导向金属层（140）通过将结晶引导金属沉积在覆盖层上而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101155905B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020090018490
申请日：2009-03-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 정민재 , 홍종원 , 정윤모 , 강유진 , 장석락 , 서진욱 , 안지수 , 양태훈 , 김영대 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 정재완 , 박종력 , 최보경 , 윤상현
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/042 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: 본 발명은 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 원자층 증착 공정 시 기판이 챔버의 내부 온도에 의해 기판이 변형되는 것을 방지하며, 상기 기판 상에 균일하게 원자층을 형성할 수 있는 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부 압력을 제어하기 위한 진공 펌프; 상기 진공 펌프와 대향되도록 위치하며, 상기 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단; 상기 진공 펌프와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가열 수단이 내장된 기판 홀더; 상기 기판 홀더와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가장 자리에 냉각액이 이동하기 위한 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체; 및 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하기 위한 냉각원을 포함하는 원자층 증착 장비에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 가열 수단이 내장된 기판 홀더에 기판을 안착하고, 상기 기판과 제 1 거리만큼 이격되도록 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체를 위치시키고, 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하고, 상기 기판 홀더의 가열 수단을 이용하여 상기 기판을 가열하고, 진공 펌프를 이용하여 챔버 내부를 일정 압력으로 제어하고, 가스 공급 수단을 통해 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 순차 공급하는 것을 포함하는 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
원자층 증착 장비, 마스크 조립체-
公开(公告)号：KR101155906B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020090123185
申请日：2009-12-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32477 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/345
Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘을 결정화시키기 위하여, 상기 비정질 실리콘 상에 극저농도의 금속 촉매를 증착시키기 위한 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 프리-스퍼터링(Pre-sputtering) 공정이 짧은 시간에 충분히 수행될 수 있도록 함으로써, 전체적인 증착 공정의 효율성 저하 없이, 상기 비정질 실리콘 상에 극저농도의 금속 촉매를 균일하고 안정적으로 증착시킬 수 있는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
본 발명은 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내측에 위치하는 금속 타겟; 상기 금속 타겟을 상기 제 1 영역 및 제 2 영역으로 이동시키기 위한 타겟 이송부; 상기 제 2 영역에 상기 금속 타겟에 대향되도록 위치하는 기판 홀더; 및 상기 제 1 영역의 타겟 이송부와 공정 챔버 사이에 위치하는 마그네틱 조립체를 포함하는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
스퍼터링 장치, 프리-스퍼터링 장치-
公开(公告)号：KR101049801B1
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：KR1020090018927
申请日：2009-03-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 정윤모 , 이기용 , 정민재 , 서진욱 , 홍종원 , 나흥열 , 강유진 , 장석락 , 양태훈 , 안지수 , 김영대 , 박병건 , 이길원 , 이동현 , 윤상연 , 박종력 , 최보경 , 리사첸코,막심
IPC: H01L21/205 , H01L21/263
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C14/04 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02672
Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성Abstract translation: 本发明涉及制造多晶硅层的方法和为此使用的原子层沉积设备。
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公开(公告)号：KR1020110066502A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090123185
申请日：2009-12-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32477 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/345
Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to uniformly and stably deposit metallic catalysts with extremely low density in amorphous silicon by positioning a magnetic assembly only in an area where a free-sputtering process is performed. CONSTITUTION: A sputtering apparatus comprises a process chamber(110), a metal target(120), a target transfer unit(130), a substrate holder(140), and a magnetic assembly. The process chamber comprises first and second areas. The metal target is located inside the process chamber. The target transfer unit moves the metal target from the first area to the second area. The substrate holder is located at the second area to face with the metal target. The magnetic assembly is located between the target transfer unit in the first area and the process chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种溅射装置，通过仅在进行自由溅射处理的区域中定位磁性组件，在非晶硅中均匀且稳定地沉积极低密度的金属催化剂。 构成：溅射装置包括处理室（110），金属靶（120），靶转印单元（130），基底保持器（140）和磁性组件。 处理室包括第一和第二区域。 金属靶位于处理室内。 目标传送单元将金属目标从第一区域移动到第二区域。 衬底保持器位于第二区域以与金属靶相对。 磁性组件位于第一区域中的目标转移单元和处理室之间。
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公开(公告)号：KR101041143B1
公开(公告)日：2011-06-13
申请号：KR1020090033235
申请日：2009-04-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정윤모 , 양태훈 , 소병수 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 최보경 , 마이단축이반 , 백원봉 , 정재완
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 다수의 기판에 동시에 열처리 또는 박막을 형성하기 위한 기판 가공 장치에 관한 것으로, 가공 공정이 진행되는 가공 챔버 내부가 균일하게 가열되도록 함으로써, 상기 가공 챔버에 반입되며, 상기 보트에 적층되는 다수의 기판에 균일한 박막을 형성하거나, 균일하게 열처리할 수 있는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 가공 챔버; 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 외부 가열 수단; 및 상기 보트를 상기 가공 챔버 내부로 반입 및 반출시키며, 하부 가열 수단을 포함하는 이송부를 포함하며, 상기 보트는 기판이 적층된 방향으로 중심부에 중앙 가열 수단이 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 중앙 가열 수단
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