公开(公告)号：KR101073550B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: 따라서, 공정챔버내부의온도산포를최소화할수 있고, 기판의모든영역에균일한열을공급할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110046955A

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A device for processing a substrate by heat is provided to separate and control each heater, thereby minimizing temperature spreading in a process chamber. CONSTITUTION: A plurality of substrates(10) is loaded in a boat(20). The boat is inputted into a process chamber(30). A heater chamber(50) applies heat to the process chamber. A base plate(60) supports the boat. A gas injecting hole(70) is connected to a gas supply source. A gas discharging hole(80) is connected to a vacuum pump to discharge by-products and residual gases to the outside.

Abstract translation: 目的：提供用于通过加热处理基板的装置，以分离和控制每个加热器，从而最小化处理室中的温度扩散。 构成：将多个基板（10）装载在船（20）中。 船被输入到处理室（30）中。 加热器室（50）向处理室施加热量。 基板（60）支撑船。 气体注入孔（70）与气体供给源连接。 气体排出孔（80）连接到真空泵以将副产物和残余气体排放到外部。

公开(公告)号：KR1020100114717A

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020090033235

申请日：2009-04-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  백원봉 ,  정재완

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly heat the inside of a processing chamber by installing the upper heating unit, an external heating unit and a middle part heating unit. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus includes a processing chamber(120), a boat(110), an external heating unit(130), and a transporting unit(140). A plurality of substrates is loaded on the boat. The external heating unit is placed on the external side of the processing chamber. The transporting unit transports the boat with respect to the processing chamber and includes a lower heating unit. A middle part heating unit is placed on the center part of the boat.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过安装上部加热单元，外部加热单元和中间加热单元来均匀地加热处理室的内部。 构成：基板处理装置包括处理室（120），船（110），外部加热单元（130）和输送单元（140）。 多个基板装载在船上。 外部加热单元被放置在处理室的外侧。 运输单元相对于处理室传送船，并且包括下加热单元。 中间部分加热单元放置在船的中心部分。

公开(公告)号：KR1020100100187A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018928

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이길원 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  박병건 ,  리사첸코,막심 ,  안지수 ,  김영대 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  정윤모 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: PURPOSE: A polycrystalline silicon manufacturing is provided to improve the charge mobility of crystallized polycrystalline silicon layer by using hydrogen gas as the carrier gas during forming the amorphous silicon layer. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A capping layer(130) is formed on the amorphous silicon layer. A crystallization guiding metal layer(140) is formed by depositing the crystallization guiding metal on the capping layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅制造，以在形成非晶硅层期间通过使用氢气作为载气来提高结晶多晶硅层的电荷迁移率。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 在非晶硅层上形成覆盖层（130）。 结晶导向金属层（140）通过将结晶引导金属沉积在覆盖层上而形成。

公开(公告)号：KR101125565B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020090109837

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  최준후 ,  정민재 ,  박승규 ,  이길원 ,  정재완 ,  이동현 ,  소병수 ,  구현우 ,  마이단축이반 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  장석락

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 소스/드레인 영역 및 하나 또는 다수개의 채널영역을 구비하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층의 채널영역의 다결정 실리콘층은 저각결정립경계(low angle grain boundary)만을 포함하며, 고각결정립경계(high angle grain boundry)는 상기 반도체층의 채널영역 이외의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
그리고, 기판을 형성하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 상의 일부에 보호층 패턴을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 금속촉매층을 형성하고, 상기 금속촉매층이 형성된 기판을 열처리하여 상기 보호층패턴의 에지에 금속 실리사이드를 라인형태로 형성한 후, 상기 금속실리사이드를 시드로 하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하고, 상기 보호층 패턴을 제거하고, 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 상에 위치하 는 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이며, 상기 박막트랜지스터를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘층, 금속촉매

公开(公告)号：KR1020100099618A

公开(公告)日：2010-09-13

申请号：KR1020090018201

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  리사첸코,막심 ,  최보경 ,  이대우 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  안지수 ,  김영대 ,  나흥열 ,  정민재 ,  정윤모 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정재완 ,  윤상연

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to eliminate metal catalyst on a semiconductor layer by performing a gettering process. CONSTITUTION: A buffer layer(310) is located on a substrate(300). A semiconductor layer(320) is located on the buffer layer. A gate electrode(340) is formed on a part which corresponds to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(330) insulates the gate electrode from the semiconductor layer. An interlayer insulating film(350) is located over the entire surface of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过进行吸气处理来消除半导体层上的金属催化剂。 构成：缓冲层（310）位于衬底（300）上。 半导体层（320）位于缓冲层上。 在与半导体层的沟道区对应的部分上形成栅电极（340）。 栅极绝缘膜（330）使栅电极与半导体层绝缘。 层间绝缘膜（350）位于基板的整个表面上。

公开(公告)号：KR1020110057465A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020090113887

申请日：2009-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3438

Abstract: PURPOSE: A sputtering device for depositing a metal catalyst is provided to improve the uniformity of metal catalyst of the extreme low density on a substrate by minimizing the deposition of metal catalyst discharged from a metal target in a pre-sputtering process. CONSTITUTION: A metal target(120) is located in a process chamber(110). A target transfer unit(130) includes a first shield(150) to control the progressing direction of a metal catalyst discharged from the metal target. A substrate holder(140) faces the metal target. The difference between the length of the first shield and the distance between the substrate and the metal target is 3 cm or less.

Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积金属催化剂的溅射装置，通过在预溅射过程中使从金属靶排出的金属催化剂的沉积最小化来改善金属催化剂在基板上的极低密度的均匀性。 构成：金属靶（120）位于处理室（110）中。 目标传送单元（130）包括用于控制从金属靶排出的金属催化剂的前进方向的第一屏蔽（150）。 衬底保持器（140）面向金属靶。 第一屏蔽的长度与基板与金属靶之间的距离之差为3cm以下。

公开(公告)号：KR1020110053041A

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：KR1020090109837

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  최준후 ,  정민재 ,  박승규 ,  이길원 ,  정재완 ,  이동현 ,  소병수 ,  구현우 ,  마이단축이반 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  장석락

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/32051

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, an organic electroluminescent display device including the same and manufacturing methods thereof are provided to improve the property of a semiconductor layer by controlling metal silicide due to metal catalyst. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes one or more channel regions and a source/drain region on a buffer layer. A gate insulation layer is located on the substrate. A gate electrode(150) is located on the gate insulation layer. An interlayer insulation layer(160) is located on the substrate. Source and drain electrodes(170a,170b) are located on the interlayer insulation layer and are electrically connected to the semiconductor layer. A polycrystalline silicon layer of the channel region of the semiconductor layer includes only the low angle grain boundary. A high angle grain boundary is located on the region except the channel region of the semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，包括该薄膜晶体管的有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过控制由于金属催化剂引起的金属硅化物来改善半导体层的性能。 构成：半导体层包括缓冲层上的一个或多个沟道区和源极/漏极区。 栅极绝缘层位于衬底上。 栅电极（150）位于栅极绝缘层上。 层间绝缘层（160）位于基板上。 源电极和漏电极（170a，170b）位于层间绝缘层上并与半导体层电连接。 半导体层的沟道区域的多晶硅层仅包含低角度晶界。 高角度晶界位于半导体层的沟道区域以外的区域。

公开(公告)号：KR1020110039920A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020090096978

申请日：2009-10-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34

Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to uniformly deposit metallic catalyst of very low density on a substrate by reducing the unevenness of a metallic catalyst which is deposited at the edge of the substrate. CONSTITUTION: In a sputtering apparatus, a metal target(120) is arranged in a reaction chamber. The area of the metal target is at least 1.3 times larger than that of the substrate mounted in a substrate holder. A substrate holder(130) is arranged to be faced with the metal target. A vacuum pump(140) is connected to the exhaust pipe of the reaction chamber. A first shield(160) controls the progressive direction of the metallic catalyst discharged from the metal target.

Abstract translation: 目的：提供一种溅射装置，通过减少沉积在基板边缘的金属催化剂的不均匀性，在基板上均匀沉积非常低密度的金属催化剂。 构成：在溅射装置中，金属靶（120）布置在反应室中。 金属靶的面积比安装在衬底保持器中的衬底的面积大至少1.3倍。 衬底保持器（130）布置成面对金属靶。 真空泵（140）连接到反应室的排气管。 第一屏蔽（160）控制从金属靶排出的金属催化剂的行进方向。

公开(公告)号：KR1020110032283A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020090089698

申请日：2009-09-22

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/205

CPC classification number: F17D1/02 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/52 ,  Y10T137/0318

Abstract: PURPOSE: A source gas supplying unit, a deposition device having the same and a method thereof are provided to deposit a uniform thin by supplying a source gas to deposition chamber. CONSTITUTION: In a source gas supplying unit, a deposition device having the same and a method thereof, a source is stored in a canister(112). A heating portion heats the canister. A source gas supply tube(114) is formed in one side of the canister. A measuring unit is installed in the source gas supply tube and measures the amount of the source gas through a source gas supply tube. A temperature controller(116) is connected to a heating unit and the measuring unit. The temperature controller controls the heating unit according the amount of the source gas.

Abstract translation: 目的：提供源气体供给单元，具有该源气体供给单元的沉积装置及其方法，以通过向沉积室供应源气体来沉积均匀的薄膜。 构成：在源气体供给单元中，具有该源装置的沉积装置及其方法，源被存储在罐（112）中。 加热部分加热罐。 源气体供给管（114）形成在罐的一侧。 测量单元安装在源气体供应管中，并通过源气体供应管测量源气体的量。 温度控制器（116）连接到加热单元和测量单元。 温度控制器根据源气体的量控制加热单元。