公开(公告)号：KR101125565B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020090109837

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  최준후 ,  정민재 ,  박승규 ,  이길원 ,  정재완 ,  이동현 ,  소병수 ,  구현우 ,  마이단축이반 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  장석락

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 소스/드레인 영역 및 하나 또는 다수개의 채널영역을 구비하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층의 채널영역의 다결정 실리콘층은 저각결정립경계(low angle grain boundary)만을 포함하며, 고각결정립경계(high angle grain boundry)는 상기 반도체층의 채널영역 이외의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
그리고, 기판을 형성하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 상의 일부에 보호층 패턴을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 금속촉매층을 형성하고, 상기 금속촉매층이 형성된 기판을 열처리하여 상기 보호층패턴의 에지에 금속 실리사이드를 라인형태로 형성한 후, 상기 금속실리사이드를 시드로 하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하고, 상기 보호층 패턴을 제거하고, 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 상에 위치하 는 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이며, 상기 박막트랜지스터를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘층, 금속촉매

公开(公告)号：KR101056429B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020100023506

申请日：2010-03-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  서진욱 ,  이기용 ,  정윤모 ,  박종력 ,  이탁영 ,  이동현 ,  이길원 ,  소병수 ,  정민재 ,  손용덕 ,  박승규 ,  정재완

IPC: H01L51/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/326 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/0248

Abstract: PURPOSE: A display device and a manufacturing method thereof are provided to minimize the decreasing of a semiconductor chip characteristic by static electricity which is generated in a manufacturing process. CONSTITUTION: A semiconductor layer(136) is located on a substrate. A second semiconductor layer(137) is located on the substrate and is adjacent to a first semiconductor layer. The first insulation layer is located on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and includes a first opening part(161) which forms a space between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A second insulation layer is located on the first insulation layer and fills the first opening.

Abstract translation: 目的：提供一种显示装置及其制造方法，以使制造工艺中产生的静电的半导体芯片特性的降低最小化。 构成：半导体层（136）位于衬底上。 第二半导体层（137）位于衬底上并与第一半导体层相邻。 第一绝缘层位于第一半导体层和第二半导体层上，并且包括在第一半导体层和第二半导体层之间形成空间的第一开口部分（161）。 第二绝缘层位于第一绝缘层上并填充第一开口。

公开(公告)号：KR1020110072913A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：KR1020090130025

申请日：2009-12-23

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  이길원

IPC: H01L51/56 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C16/4481 ,  H01L27/1277

Abstract: PURPOSE: A vapor deposition apparatus and a method for manufacturing an organic light emitting display(OLED) apparatus are provided to uniformly crystallize a semiconductor layer by uniformly supplying metal catalyst to an amorphous semiconductor layer. CONSTITUTION: Deposition source is charged in a canister. A heater(400) heats the canister in order to vaporize the deposition source. A chamber(200) is in connection with the canister, and a target is loaded in the chamber. A carrier gas supplying unit(300) supplies carrier gas in order to carry vaporized deposition source to the chamber. The carrier gas of the canister is introduced into an introducing part. A discharging part discharges the carrier gas toward the chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造有机发光显示（OLED）设备的气相沉积设备和方法，以通过均匀地向非晶半导体层提供金属催化剂来均匀地结晶半导体层。 规定：沉积源在罐中充电。 加热器（400）加热罐以便蒸发沉积源。 室（200）与罐连接，并且目标装载在室中。 载气供应单元（300）提供载气以便将蒸发的沉积源运送到腔室。 将罐的载气引入导入部。 放电部件将载气朝向腔室排出。

公开(公告)号：KR1020100099618A

公开(公告)日：2010-09-13

申请号：KR1020090018201

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  리사첸코,막심 ,  최보경 ,  이대우 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  안지수 ,  김영대 ,  나흥열 ,  정민재 ,  정윤모 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정재완 ,  윤상연

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to eliminate metal catalyst on a semiconductor layer by performing a gettering process. CONSTITUTION: A buffer layer(310) is located on a substrate(300). A semiconductor layer(320) is located on the buffer layer. A gate electrode(340) is formed on a part which corresponds to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(330) insulates the gate electrode from the semiconductor layer. An interlayer insulating film(350) is located over the entire surface of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过进行吸气处理来消除半导体层上的金属催化剂。 构成：缓冲层（310）位于衬底（300）上。 半导体层（320）位于缓冲层上。 在与半导体层的沟道区对应的部分上形成栅电极（340）。 栅极绝缘膜（330）使栅电极与半导体层绝缘。 层间绝缘膜（350）位于基板的整个表面上。

公开(公告)号：KR1020100006482A

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：KR1020080066722

申请日：2008-07-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  나흥열 ,  이기용

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455 ,  H01L21/67715 ,  H01L21/67742

Abstract: PURPOSE: An apparatus for adjusting a magnetization distance and magnetron sputtering equipment having the same are provided to prevent the magnetization of a target by separating the distance between a target and a magnetron. CONSTITUTION: A magnetron unit conveyor for magnetization prevention includes a magnetron unit(200) and a moving unit. The magnetron is arranged at the proximity of a target(130). The magnetron unit forms constant magnetic field. The target is formed with the metal. A movable unit is separated from a magnetron and the target by a certain interval to make magnetic filed in predetermined magnetic field.

Abstract translation: 目的：提供一种用于调整磁化距离的装置和具有该装置的磁控溅射装置，以通过分离靶和磁控管之间的距离来防止靶的磁化。 构成：用于防止磁化的磁控管单元输送机包括磁控管单元（200）和移动单元。 磁控管布置在目标（130）附近。 磁控管单元形成恒定的磁场。 目标与金属形成。 可移动单元与磁控管和目标物分开一定间隔以使磁场保持在预定的磁场中。

公开(公告)号：KR100899424B1

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070086144

申请日：2007-08-27

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김명수 ,  정민재 ,  홍상혁 ,  최영묵

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/22

Abstract: 본 발명은 유기 전계 발광표시장치에 관한 것으로, 소자기판, 상기 소자기판 상에 형성되며 하부에 반사막을 포함하는 제1전극, 상기 제1전극 상에 형성되는 유기발광층, 상기 유기발광층 상에 형성되는 제2전극을 포함하는 유기 전계 발광소자; 및 상기 유기 전계 발광소자가 형성된 상기 소자기판의 전면에 형성되며, 상기 유기발광층과 대응되는 위치에 테이퍼진 패턴을 포함하는 발광 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치를 제공한다.
이러한, 상기 발광 보호막은 상기 유기발광층을 포함하는 유기 전계 발광소자를 외기로부터 보호함과 동시에 광을 외부로 집광함으로서 보다 양호한 광효율을 갖는 유기 전계 발광표시장치를 구현 할 수 있다.
발광 보호막, 광 효율

公开(公告)号：KR1020090047630A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：KR1020070113559

申请日：2007-11-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정민재 ,  조원석 ,  안재홍 ,  정석헌

IPC: C23C14/24

Abstract: 본 발명은 도가니 내부에 설치된 인너플레이트에 의해 유기 물질의 분사 압력을 조절할 수 있는 증발원에 관한 것이다. 본 발명에 따른 증발원은 바닥면으로부터 일정 높이까지 연장된 베리어에 의해 내부에 유기박막 재료인 유기물이 수납되는 도가니; 상기 도가니와 연통되도록 형성되어 상기 유기물을 기판에 분사시키는 적어도 하나의 분사노즐; 및 상기 도가니의 외주면에 설치되는 가열부;를 포함하되, 일단이 상기 베리어에 접하고, 타단이 상기 도가니에 내접하며, 적어도 하나의 개구부가 형성된 인너플레이트가 상기 도가니에 삽입된다. 이러한 구성에 의하여, 유기 물질을 대면적 기판 전체에 균일하게 성막할 수 있다.
증발원, 도가니, 인너플레이트

公开(公告)号：KR101155905B1

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：KR1020090018490

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

Abstract: 본 발명은 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 원자층 증착 공정 시 기판이 챔버의 내부 온도에 의해 기판이 변형되는 것을 방지하며, 상기 기판 상에 균일하게 원자층을 형성할 수 있는 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부 압력을 제어하기 위한 진공 펌프; 상기 진공 펌프와 대향되도록 위치하며, 상기 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단; 상기 진공 펌프와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가열 수단이 내장된 기판 홀더; 상기 기판 홀더와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가장 자리에 냉각액이 이동하기 위한 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체; 및 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하기 위한 냉각원을 포함하는 원자층 증착 장비에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 가열 수단이 내장된 기판 홀더에 기판을 안착하고, 상기 기판과 제 1 거리만큼 이격되도록 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체를 위치시키고, 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하고, 상기 기판 홀더의 가열 수단을 이용하여 상기 기판을 가열하고, 진공 펌프를 이용하여 챔버 내부를 일정 압력으로 제어하고, 가스 공급 수단을 통해 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 순차 공급하는 것을 포함하는 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
원자층 증착 장비, 마스크 조립체

公开(公告)号：KR1020110104795A

公开(公告)日：2011-09-23

申请号：KR1020100023901

申请日：2010-03-17

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이동현 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606

Abstract: 박막 트랜지스터, 이를 구비한 표시 장치, 및 그 제조 방법들에서, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 액티브층과, 상기 액티브층의 일부 영역 위에 형성된 게이트 절연막 패턴과, 상기 게이트 절연막 패턴의 일부 영역 위에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 절연막 패턴 및 상기 게이트 전극을 덮는 식각 방지막 패턴, 그리고 상기 액티브층 및 상기 식각 방지막 패턴 위에 형성된 소스 부재 및 드레인 부재를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的薄膜晶体管包括形成在衬底上的有源层，形成在有源层的部分区域上的栅极绝缘膜图案， 形成在图案的一部分上的栅电极，覆盖栅极绝缘膜图案和栅电极的蚀刻防止膜图案以及形成在有源层和蚀刻防止膜图案上的源极部件和漏极部件。

公开(公告)号：KR101049801B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성

Abstract translation: 本发明涉及制造多晶硅层的方法和为此使用的原子层沉积设备。