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公开(公告)号：KR1020170134038A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160065697
申请日：2016-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
CPC classification number: H01L28/90 , H01L27/10808 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L28/87 , H01L28/91
Abstract: 반도체소자가제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자는, 기판상에형성된복수의전극구조물들; 및상기복수의전극구조물들상단과하단사이에위치하는상부서포터군및 하부서포터를포함하되, 상기상부서포터군은복수의서포터들로이루어지고, 상기상부서포터군을이루는복수의서포터들중 적어도일부는상측면과하측면중 굴곡진프로파일이생기는일측면과, 상기굴곡진프로파일이생기는일측면에비해상대적으로평평한프로파일을갖는타측면을가지는반도체소자.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件。 根据本发明，多个形成在基板上的电极结构的一个实施例的半导体装置; 和多个形成多个上部和而是一个上支撑物组的底部和下支撑于上支撑件组位置之间由多个支持者形成的电极结构的支持者的至少一个中，上支撑件组部 neunsang侧和具有另一侧和一侧上的半导体器件被引起侧的成形轮廓，具有相对平坦的外形为弧形相对的侧面轮廓被生成。
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公开(公告)号：KR1020080013564A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：KR1020060075251
申请日：2006-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10852
Abstract: A method for manufacturing a capacitor in a semiconductor device is provided to prevent a lower electrode form being oxidized or contaminated by forming the lower electrode of the capacitor using a conductive layer for a lower electrode and a liner oxide along a profile of a mold dielectric. An interlayer dielectric(112) including a conductive region(114) is formed on a semiconductor substrate. A mold dielectric having an opening unit is formed on the interlayer dielectric. The opening unit exposes the conductive region. A conductive layer for a lower electrode and a liner oxide layer are sequentially formed along a profile of the opening and the mold dielectric. A sacrificial layer pattern is formed to gap-fill the opening unit on which the liner oxide layer is formed. A lower electrode(120a) is formed through a blanket etching process for exposing a surface of the mold dielectric. The sacrificial layer pattern is removed. The liner oxide layer and the mold dielectric are removed. The liner oxide layer is a silicon oxide layer.
Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件中的电容器的方法，以通过使用用于下电极的导电层和沿着模具电介质的轮廓的衬垫氧化物形成电容器的下电极来防止下电极形式被氧化或污染。 在半导体衬底上形成包括导电区域（114）的层间电介质（112）。 具有开口单元的模具电介质形成在层间电介质上。 打开单元暴露导电区域。 沿着开口和模具电介质的轮廓依次形成用于下电极和衬垫氧化物层的导电层。 形成牺牲层图案以间隙填充其上形成衬垫氧化物层的开口单元。 下电极（120a）通过毯式蚀刻工艺形成，用于暴露模具电介质的表面。 去除牺牲层图案。 去除衬里氧化物层和模具电介质。 衬垫氧化物层是氧化硅层。
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公开(公告)号：KR1020070000608A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056091
申请日：2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: A method of forming an isolation layer of a semiconductor device is provided to improve characteristics of the isolation layer by burying sufficiently the trench without generating voids and seams. A hard mask pattern is formed on a substrate(100). A first trench is formed by etching the exposed substrate. A first oxide layer having a seam formed on a center thereof is formed on a surface of the first trench. A second oxide layer is formed on the first oxide layer in order to bury the seam. A second trench is formed by removing upper part of the first and second oxide layers. A third oxide layer is formed to bury the second trench. The hard mask pattern is removed. An isolation layer higher than a surface of the substrate is formed by removing partially the third oxide layer, the second oxide layer, and the first oxide layer.
Abstract translation: 提供了形成半导体器件的隔离层的方法，以通过充分地埋入沟槽而不产生空隙和接缝来改善隔离层的特性。 在基板（100）上形成硬掩模图案。 通过蚀刻暴露的衬底形成第一沟槽。 在第一沟槽的表面上形成有在其中心形成有接缝的第一氧化物层。 在第一氧化物层上形成第二氧化物层以便掩埋接缝。 通过去除第一和第二氧化物层的上部来形成第二沟槽。 形成第三氧化物层以埋置第二沟槽。 去除硬掩模图案。 通过部分去除第三氧化物层，第二氧化物层和第一氧化物层，形成高于衬底表面的隔离层。
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公开(公告)号：KR100621888B1
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：KR1020050065106
申请日：2005-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335
Abstract: 리세스 생성을 최소화 할 수 있는 소자 분리막의 형성 방법 및 이를 이용한 핀형 전계 효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 하드 마스크 패턴에 노출된 상기 기판을 식각하여 트렌치를 형성한 후 상기 트렌치의 일부를 매립하는 하부 절연막 패턴을 형성한다. 상기 하부 절연막 패턴과 식각 선택비를 갖는 산화물로 이루어진 제1 라이너막을 형성한 후 상기 트렌치의 나머지를 매립하는 상부 절연막을 형성한다. 상기 하드 마스크 패턴의 측면을 노출시키는 동시에 상부 절연막을 상부 절연막 패턴으로 형성한 후 하드 마스크 패턴의 측면에 스페이서를 형성한다. 예비 실리콘 핀의 측면에 상기 제1 라이너막을 잔류시키면서, 상기 상부 절연막 패턴을 제거한다. 이후 습식 식각 공정을 수행하여 소자 분리막을 형성하는 동시에 상기 소자 분리막의 상면보다 높은 상면을 갖는 실리콘 핀을 형성한다. 상기 소자 분리막은 HDP 산화물로 형성되기 때문에 실리콘 핀 형성시 리세스의 생성이 억제된다.
Abstract translation: 一种形成能够最小化凹陷形成的器件隔离层的方法以及使用该方法制造鳍式场效应晶体管的方法，所述方法包括：通过蚀刻暴露于硬掩模图案的衬底形成沟槽， 由此形成绝缘膜图案。 在形成由具有与下绝缘膜图案的蚀刻选择比的氧化物构成的第一衬膜之后，形成用于填充剩余的沟槽的上绝缘膜。 暴露硬掩模图案的侧表面，形成上绝缘膜作为上绝缘膜图案，并且在硬掩模图案的侧表面上形成间隔物。 在保留备用硅鳍侧的第一衬膜的同时去除上绝缘膜图案。 执行湿法蚀刻工艺以形成器件隔离膜和具有比器件隔离膜的上表面高的上表面的硅鳍。 由于器件隔离膜由HDP氧化物形成，所以在形成硅引脚期间抑制了凹陷的产生。
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公开(公告)号：KR1020160135913A
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020150069350
申请日：2015-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316 , H01L21/24 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L28/91 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76828 , H01L23/5223 , H01L23/53295
Abstract: 두께방향을따라연속적으로변화하는도판트농도구배를가지는도핑된몰드막을형성하고, 도핑된몰드막의일부를상기두께방향을따라식각하여홀을형성한다. 홀의내벽을따라연장되는전극을형성한다. 전극은절연패턴에형성된관통홀내에서절연패턴의측벽에접하는제1 외벽면과, 절연패턴의상면에접하고횡방향으로연장되는제2 외벽면과, 제2 외벽면을사이에두고제1 외벽면과이격되고절연패턴상에서기판과멀어지는방향으로연장되어있는제3 외벽면을가진다.
Abstract translation: 掺杂的模具膜在掺杂的模具膜中形成掺杂剂浓度梯度，其厚度方向连续变化，并且在厚度方向上蚀刻一部分掺杂的模具膜以形成孔，从而沿着 孔的内壁。 如此形成的电极包括第一外壁表面，第二外壁表面和第三外壁表面，其中第一外壁表面与形成在通孔中的通孔中的基板上形成的绝缘图案的侧壁接触 绝缘图案; 所述第二外壁表面与所述绝缘图案的顶表面接触并沿横向方向延伸; 所述第三外壁表面与所述第一外壁表面间隔开，而所述第二外壁表面之间具有第二外壁表面; 并且第三外壁表面在远离基底的方向上在绝缘图案上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101392298B1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120064309
申请日：2012-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B13/004 , G02B13/18 , H04N5/225
Abstract: 모바일용 초소형 촬상 광학계가 개시된다. 촬상 광학계는, 수광 소자를 포함하는 촬상용 광학계에 있어서 물체 쪽에서부터 순서대로, 정 또는 부의 굴절률을 가지는 제1 렌즈, 정 또는 부의 굴절률을 가지고 물체 측면이 오목한 형상의 제2 렌즈, 정 또는 부의 굴절률을 가지고 물체 측면과 상 측면이 모두 비구면 형상의 제3 렌즈 및 정 또는 부의 굴절률을 가지고 물체 측면과 상 측면이 모두 비구면 형상의 제4 렌즈를 포함하여 구성되고, 하기 수학식 1 내지 수학식 3을 만족시킨다. 여기서, 0.25 3.5 f/D ≤ 2.6; FBL은 상기 촬상 광학계 기구 부분의 상 측면 마지막 면에서 수광 소자까지의 거리, OL은 광축을 기준으로 상기 제1 렌즈의 물체 측면에서 수광 소자까지의 거리, f는 광축을 기준으로 상기 촬상 광학계의 초점거리, D는 상기 촬상 광학계의 입사동 구경이다.
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公开(公告)号：KR1020100035000A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094274
申请日：2008-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76229
Abstract: PURPOSE: A different oxidation film for separating element is formed within the trenches having the element isolation trench gap fill method for having and semiconductor device using the same is the different aspect ratio. The generation of the void at the element isolation film or the core is prevented. CONSTITUTION: An element isolating trenches having aspect ratios different in the cell region of the semiconductor substrate(100) is formed. The oxide film is formed within element isolating trenches. Nitride liners are formed on oxide films. Nitride liners are thermally oxidized and the nitrate thermal oxide film(130) is formed. Element isolating trenches of the big aspect ratio are filled with nitrate thermal oxide films.
Abstract translation: 目的：在具有元件隔离沟槽间隙填充方法的沟槽内形成用于分离元件的不同氧化膜，并且使用其的半导体器件是不同的纵横比。 防止在元件隔离膜或芯部产生空隙。 构成：形成具有在半导体衬底（100）的单元区域中具有不同宽高比的沟槽的元件。 氧化膜形成在元件隔离槽内。 在氧化膜上形成氮化物衬垫。 氮化物衬垫被热氧化并形成硝酸盐热氧化膜（130）。 元素隔离大纵横比的沟槽填充有硝酸盐热氧化膜。
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公开(公告)号：KR100603930B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020040093651
申请日：2004-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115
Abstract: 비휘발성 기억 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 기판에 활성영역을 한정하는 소자분리막을 형성한다. 이때, 소자분리막의 상부면을 기판의 표면 보다 높게 형성하여, 기판 표면 보다 높은 소자분리막의 상부(upper portion)로 둘러싸인 갭 영역을 형성한다. 활성영역 상에 터널 절연막을 형성하고, 기판 전면 상에 플로팅 게이트막을 형성한다. 기판에 수소 어닐링을 수행하여 플로팅 게이트막을 리플로우시켜 갭 영역을 채운다. 리플로우된 플로팅 게이트막을 소자분리막이 노출될때까지 평탄화시키어 플로팅 게이트 패턴을 형성한다.
Abstract translation: 提供了一种形成非易失性存储元件的方法。 根据该方法，用于限定有源区的元件隔离膜形成在衬底上。 此时，器件隔离膜的上表面形成为比基板的表面高，并且由器件隔离膜的上部围绕的区域高于基板表面。 在有源区上形成隧道绝缘膜，并且在基板的整个表面上形成浮置栅极膜。 在衬底上执行氢退火以回流浮置栅极膜以填充间隙区域。 回流的浮栅膜被平坦化直到元件隔离膜被暴露以形成浮栅图案。
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公开(公告)号：KR1020130141140A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020120064309
申请日：2012-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B13/004 , G02B13/18 , H04N5/225
Abstract: A micro imaging optical system for mobile is disclosed. The imaging optical system includes, from the object side in order in the imaging optical system including a light receiving device, a first lens having a positive or negative refractive index, a second lens having a positive or negative refractive index and an object-sided surface having a concave shape, a third lens having a positive or negative refractive index and an object-sided surface and an image-sided surface having an aspherical shape, and a fourth lens having a positive or negative refractive index and an object-sided surface and an image-sided surface having an aspherical shape, and satisfies the following formulas 1 to 3, wherein 0.25 3.5 f/D
Abstract translation: 公开了一种用于移动的微型成像光学系统。 成像光学系统包括在包括光接收装置的成像光学系统中的物体侧，具有正或负折射率的第一透镜，具有正或负折射率的第二透镜和物体侧表面 具有凹形形状，具有正或负折射率的第三透镜和物体侧表面以及具有非球面形状的图像侧表面，以及具有正或负折射率和物体侧表面的第四透镜，以及 具有非球面形状的图像侧表面，并且满足下式1至3，其中<式1> 0.25
3.5 - f / D <= 2.6，其中FBL被定义为成像光学系统侧的图像侧表面的最终表面与光接收装置之间的距离，OL被定义为物体 - 基于光轴的第一透镜和光接收装置的双面表面f被定义为基于光轴的成像光学系统的焦距，D被定义为成像光学系统的入射光瞳直径。
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公开(公告)号：KR1020130080604A
公开(公告)日：2013-07-15
申请号：KR1020120001489
申请日：2012-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B9/34 , G02B1/041 , G02B13/004 , G02B13/18 , G03B9/02 , H04N5/2254
Abstract: PURPOSE: An optical imaging system is provided to minimize optical axis image length, to implement slimming or light weight, and to implement high definition with low cost. CONSTITUTION: An optical imaging system includes a first lens (120), a second lens (130), a third lens (140), a fourth lens (150), an image sensor (170) and an infrared ray shielding filter (160). The first lens is constituted to have positive refractivity. The second lens is constituted to have negative refractivity by being located in the rear of the first lens. The third lens is constituted to have negative refractivity by being located in the rear of the second lens. The fourth lens is constituted to have negative refractivity by being located in the rear of the third lens. The image sensor converts an image of a subject formed by the first or the fourth lens into an image signal, and then outputs the image signal. The infrared ray shielding filter is arranged between the fourth lens, and blocks an infrared ray which has passed through the fourth lens.
Abstract translation: 目的：提供光学成像系统，以最小化光轴图像长度，实现减肥或轻量化，并以低成本实现高清晰度。 构成：光学成像系统包括第一透镜（120），第二透镜（130），第三透镜（140），第四透镜（150），图像传感器（170）和红外线屏蔽滤光器（160） 。 第一透镜构成为具有正折射率。 第二透镜通过位于第一透镜的后部而构成为具有负折射率。 第三透镜通过位于第二透镜的后部而构成为具有负折射率。 第四透镜通过位于第三透镜的后部而具有负折射率。 图像传感器将由第一或第四透镜形成的被摄体的图像转换为图像信号，然后输出图像信号。 红外线屏蔽滤光器设置在第四透镜之间，并且阻挡已经穿过第四透镜的红外线。
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