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公开(公告)号：KR1020170086172A
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020160005533
申请日：2016-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304 , H01L29/78 , H01L21/306 , H01L21/461 , H01L29/772 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/092
Abstract: 본발명은반도체소자의패턴형성방법및 이를이용한반도체소자의제조방법에관한것으로, 기판상에하부버퍼층, 제1 채널반도체층및 캡핑절연막을순차적으로형성하는것, 상기캡핑절연막및 상기제1 채널반도체층을관통하여상기하부버퍼층을노출하는개구부를형성하는것, 상기개구부를채우며상기캡핑절연막의상면위로돌출되는제2 채널반도체층을형성하는것, 제1 CMP 공정을수행하여상기캡핑절연막의상기상면위로돌출된상기제2 채널반도체층의제1 부분의적어도일부를제거하는것, 상기캡핑절연막을제거하여상기제1 채널반도체층의상면을노출하는것 및제2 CMP 공정을수행하여상기제1 채널반도체층의상면위로돌출된상기제2 채널반도체층의제2 부분의적어도일부를제거하는것을포함하는반도체소자의패턴형성방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及在半导体装置中形成的图案的方法和涉及一种方法，用于使用相同的制造半导体器件，在衬底上的下部缓冲层，第一沟道半导体层和haneungeot形成覆盖在序列中，帽盖绝缘膜和所述第一沟道半导体绝缘膜 通过该层haneungeot形成暴露下缓冲层的开口，haneungeot形成第二沟道半导体层填充开口通过执行CMP工艺，帽盖绝缘层的顶部的上表面突出在所述覆盖绝缘层的上表面上，第一 去除覆盖绝缘层以暴露第一沟道半导体层的上表面，并且执行第二CMP工艺以暴露第一沟道半导体层， 并且去除从上表面突出的第二沟道半导体层的第二部分的至少一部分。
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公开(公告)号：KR1020080073035A
公开(公告)日：2008-08-08
申请号：KR1020070011532
申请日：2007-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/31053
Abstract: A method of filling a trench is provided to completely remove a remaining material from a mask pattern by filling a trench using an oxide material and removing an upper portion of the oxide material using an etching gas. A mask pattern(106) is formed on a substrate(100). A trench(108) is formed in the substrate by etching the substrate using the mask pattern. A first oxide film is formed on the mask pattern, such that the trench is buried. A CMP(Chemical Mechanical Polishing) is performed on the first oxide film, until a portion of the mask pattern is exposed. An upper portion of the first oxide film is removed by using a process gas having a predetermined etching selection ratio between a silicon nitride material and a silicon oxide material, and a recess(112) is formed to expose a portion of a side portion of the mask pattern. A second oxide film is formed on the mask pattern, such that the recess is buried.
Abstract translation: 提供一种填充沟槽的方法，通过使用氧化物材料填充沟槽并使用蚀刻气体去除氧化物材料的上部，从掩模图案中完全除去剩余的材料。 掩模图案（106）形成在基板（100）上。 通过使用掩模图案蚀刻衬底，在衬底中形成沟槽（108）。 在掩模图案上形成第一氧化物膜，使得沟槽被埋置。 在第一氧化物膜上进行CMP（化学机械抛光），直到掩模图案的一部分露出。 通过使用在氮化硅材料和氧化硅材料之间具有预定蚀刻选择比的处理气体来除去第一氧化物膜的上部，并且形成凹部（112）以暴露出部分 掩模图案。 在掩模图案上形成第二氧化膜，使得凹部被埋入。
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公开(公告)号：KR200162076Y1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR2019970003234
申请日：1997-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박세정
IPC: H05K7/14
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 고안이 속하는 기술분야.
본 고안은 인쇄회로기판 고정용 길이가변 이젝터장치에 관한것이다.
나. 고안이 해결하려는 기술적 과제.
본 고안은 한몸체로 되어있는 이젝터를 길이 가변형으로 변화시킴으로서, 다양한 핸드 피스를 구비하여 이젝터장치의 추력을 가변시킴에 있다.
다. 고안의 해결방법의 요지.
본 고안은 이젝터의 작동길이를 가변시키기 위하여 톱니형 돌기가 구비된 브라켓이 고정되고, 인/이젝팅이 용이하도록 미끄럼 방지용 돌기가 형성된 독립적인 핸들 피스; 및 상기 톱니형 돌기와 대응하게 맞물리도록 내측에 위치한 텐션부에 형성된 톱니형 돌기가 구비되고, 상기 브라켓이 삽입되도록 가이드 구멍이 형성되어 상기 핸들 피스가 조립되는 이젝팅 피스로 구성되어짐을 특징으로한다.
라. 고안의 중요한 용도
통신장비에서 셀프에 실장되는 인쇄회로기판을 단순한 동작에 의해 착탈시키는 이젝터장치에 적용.-
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公开(公告)号：KR1020150017576A
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020130093690
申请日：2013-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0673 , H01L29/42364 , H01L29/4238 , H01L29/49 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/41791 , H01L29/7802 , H01L2029/7858
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 기판 상에 형성된 제1 핀과 제2 핀; 및 상기 제1 핀과 제2 핀 사이에 형성된 T자형의 필드 절연막을 포함하되, 상기 T자형의 필드 절연막의 상면과, 상기 제1 핀의 상면은 동일 평면에 위치할 수 있다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括形成在基板上的第一引脚和第二引脚，以及形成在第一引脚和第二引脚之间的T形场绝缘层。 T形场绝缘层的上侧和第一销的上侧位于同一平面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR2019980015092U
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR2019960028298
申请日：1996-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박세정
IPC: G11B33/12
Abstract: 본고안은통신장비에서하드디스크드라이브의고정장치에관한것으로, 일측단쪽으로핸들을장착할수 있는가이드레일을나사에의해하드디스크드라이브의측면에고정하고, 상기가이드레일에는핸들에복원력을제공하는스프링이스프링핀에의해결합되며, 상기핸들과의결합을위해사각홈이형성된커버에는가이드레일을안내하기위한안내홈이형성된가이드가조립되며, 상기가이드가조립된하드디스크드라이브는전면판넬에조립되어트레이에고정되어짐으로서, 구조가견고해지고, 분해, 조립이필요없어작업이단순해지며, 결과적으로취급이용이해져유지보수가간편해진효과를달성함과동시에부품수가절감되어생산성이향상된다.
Abstract translation: 固定在硬盘一侧的弹簧内纸驱动由该可安装到把手朝向上在通信设备中的硬盘驱动器上的保持器一端的导轨螺杆，并提供恢复力以，导轨的手柄 通过弹簧销连接，所述盖是形成有用于卡合在手柄上的矩形槽，有导向临时组装引导槽用于引导导轨形成，导向临时组装硬盘驱动器被组装到固定到托盘上的前面板， 作为doeeojim，结构变得坚固，它成为分解，组装操作简单，没有必要，作为结果的处理被用于在同一时间保持部件的数量减少，并且还实现了简化的效果变得生产率得到改善。
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公开(公告)号：KR1019940025412A
公开(公告)日：1994-11-19
申请号：KR1019930007436
申请日：1993-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박세정
IPC: H05K7/14
Abstract: 본 발명은 가이드 레일(guide rail)에 관한 것으로서, 특히, 인쇄 회로기판상의 컨넥터 플러그와 기기본체상의 컨넥터 소켓의 정확한 조립을 하기 위한 수단에 관한 것이다.
종래의 가이드 레일은 인쇄 회로기판을 조립시, 인쇄 회로기판측의 컨넥터 플러그의 중심과, 가이드 레일의 중심, 그리고, 기기본체측의 컨넥터 소켓의 중심이 일치하지 않아 상기 컨넥터 플러그에 형성된 핀이 파손되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여 새로운 실시예를 구상하였다. 그 실시예 종래의 제 2 실시예라 하면, 종래의 제 2 실시예는 가이드 레일의 일측 끝단에 갭 보정 장치를 구성하였으나, 기기본체에 설치된 컨넥터 소켓에 의해, 인쇄 회로기판이 갭 보정 장치에 이르지 못한다. 그리하여 종래의 문제점인 컨넥터 플러그측의 핀이 파손되는 문제점을 해결하지 못하였다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 인쇄 회로기판을 용이하게 조립하기 위해 일단에 깔대기 모양의 개구를 가졌으며, 이 개구에 수평방향으로 연이어 인쇄 회로기판이 원활하게 미끄러지는 표면의 활동부를 가진 장치에 있어서, 상기 활동부에 자체탄성을 가지며, 활동부의 측면보다 높게 돌출된 리브를 구비한 것을 특징으로 하는 가이드 레일.-
公开(公告)号：KR1020160145343A
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：KR1020150081785
申请日：2015-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7856 , H01L21/76229 , H01L21/76232 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66795 , H01L29/7854
Abstract: 반도체장치및 이의제조방법이제공된다. 상기반도체장치는기판상에, 서로대향되는제1 및제2 측벽을포함하는제1 핀형패턴, 상기제1 측벽에접하도록형성되는제1 트렌치, 상기제2 측벽에접하도록형성되는제2 트렌치, 상기제1 트렌치의일부를채우는제1 필드절연막, 상기제2 트렌치의일부를채우고, 상기제2 측벽으로부터순차적으로위치하는제1 영역및 제2 영역을포함하는제2 필드절연막으로, 상기제2 영역의상면은상기제1 필드절연막의상면보다높은제2 필드절연막및 상기제1 핀형패턴, 상기제1 필드절연막및 상기제2 필드절연막상에, 상기제1 핀형패턴과교차하고, 상기제2 영역과중첩되는게이트전극을포함한다.
Abstract translation: 半导体器件包括在衬底上的第一鳍式图案，其具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁; 形成为与所述第一侧壁接触的第一沟槽; 形成为与第二侧壁接触的第二沟槽; 部分地填充所述第一沟槽的第一场绝缘层; 以及部分地填充所述第二沟槽的第二场绝缘层和部分地填充所述第二沟槽的第二场绝缘层。 第二场绝缘层包括从第二侧壁开始以顺序设置的第一区域和第二区域，第二区域的上表面高于第一场绝缘层的上表面。 该器件还包括在第一鳍型图案上的栅电极，第一场绝缘层和第二场绝缘层，栅电极与第一鳍型相交，并与第二区重叠。
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公开(公告)号：KR1020160058342A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020140159059
申请日：2014-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/30625
Abstract: 슬러리화합물및 반도체소자의제조방법을제공한다. 게르마늄을포함하는물질막을연마하는슬러리화합물에있어서, 슬러리화합물은, 연마입자, 초산화물(superoxide), 디옥시제닐(dioxygenyl), 오존(ozone), 오존화물(ozonide), 아염소산염(chlorite), 염소산염(chlorate), 과염소산염(perchlorate), 할로겐화합물(halogen compounds), 질산(nitric acid), 질산염(nitrate), 하이포아염소산염(hypochlorite), 하이포암염(hypohalite) 및과산화물(peroxide)로이루어진군으로부터선택된적어도하나를포함하는산화제, 연마가속제및 연마선택제를포함한다.
Abstract translation: 提供了浆料化合物和半导体器件的制造方法。 用于研磨包括锗的材料膜的浆料化合物包括：研磨颗粒; 包括选自超氧化物，二氧基，臭氧，臭氧化物，亚氯酸盐，氯酸盐，高氯酸盐，卤素化合物，硝酸，硝酸盐，次氯酸盐，次卤酸盐和过氧化物中的至少一种的氧化剂。 研磨加速器; 和磨削选择器。
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公开(公告)号：KR1020120095693A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：KR1020110015165
申请日：2011-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L21/76819
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a planarized insulation layer and a forming method thereof are provided to prevent first and second planarized insulation layers from being damaged by preventing a physical stress from being applied to a stress concentration area of a first insulation layer. CONSTITUTION: A substrate(100) having a first section(A) and a second section(B) adjacent each other. A structure(110) is formed on the top of the substrate within the first section. A first insulation layer is formed on the substrate having the structure. The first insulation layer comprises a first top surface, an inclined side wall(130S), and a second top surface(130TB). A second insulation layer is formed on the first insulation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种具有平坦化绝缘层及其形成方法的半导体器件，以通过防止物理应力施加到第一绝缘层的应力集中区域来防止第一和第二平坦化绝缘层受损。 构成：具有彼此相邻的第一部分（A）和第二部分（B）的基底（100）。 在第一部分内的基板的顶部上形成结构（110）。 在具有该结构的基板上形成第一绝缘层。 第一绝缘层包括第一顶表面，倾斜侧壁（130S）和第二顶表面（130TB）。 在第一绝缘层上形成第二绝缘层。
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