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公开(公告)号：KR1020150068138A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020130153989
申请日：2013-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/3081 , H01L21/76224 , H01L27/0886
Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법을제공한다. 반도체소자의제조방법은, 기판상에형성된제1 마스크패턴을이용하여기판을식각하여트렌치를형성하는단계, 트렌치를매립하며, 제1 두께를각각갖는제1 영역및 제2 영역을포함하는예비소자분리패턴을형성하는단계, 제1 영역상에제2 마스크패턴을형성하는단계, 제2 마스크패턴에의해노출된제2 영역의상부및 제1 마스크패턴의일부를식각하여, 제1 두께보다작은제2 두께를갖는제2 영역을형성하는단계, 제1 및제2 마스크패턴들을제거하는단계및 제1 및제2 영역의상부를식각하여, 예비핀형액티브패턴들을한정하는소자분리패턴을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括：通过使用形成在衬底上并形成沟槽的第一掩模图案来蚀刻衬底的步骤; 形成预先装置分离图案的步骤，其填充在沟槽中并且包括第一区域和具有第一厚度的第二区域; 在所述第一区域上形成第二掩模图案的步骤; 蚀刻第一掩模图案的一部分和由第二掩模图案曝光的第二区域的上部的步骤，以及形成具有小于第一厚度的第二厚度的第二区域; 去除第一和第二掩模图案的步骤; 以及蚀刻第一和第二区域的上部并形成限定预备鳍型活性图案的器件分离图案的步骤。
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公开(公告)号：KR1020160091164A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150011475
申请日：2015-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/033 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/28132 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/66545 , H01L21/0337 , H01L21/0274
Abstract: 미세패턴형성방법에서, 제1 및제2 영역들을포함하는기판상에제1 식각대상막및 제1 마스크막을순차적으로형성한다. 제1 마스크막 상에제1 방향으로각각연장되는복수개의희생패턴들을제1 방향과교차하는제2 방향을따라형성한다. 각희생패턴들의양 측벽에스페이서들을형성한다. 희생패턴들을제거한후, 스페이서들을식각마스크로사용하여제1 마스크막을식각함으로써제1 마스크들을형성한다. 제2 영역상의각 제1 마스크들의양 측벽에제2 마스크들을형성하여각각이이들을포함하는제3 마스크들을정의한다. 제1 및제3 마스크들을식각마스크로사용하여제1 식각대상막을식각함으로써, 제1 영역상에각각제2 방향으로의제1 폭을갖는제1 패턴들을형성하고, 제2 영역상에각각제1 폭보다큰 제2 방향으로의제2 폭을갖는제2 패턴들을형성한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于形成具有不同宽度的区域的精细图案的方法，包括：在包括第一和第二区域的基板上顺序地形成第一蚀刻对象膜和第一掩模膜; 形成多个牺牲图案，其形成在所述第一掩模膜上并在与所述第一方向相交的第二方向上分别沿第一方向延伸; 在每个牺牲图案的两个侧壁上形成间隔物; 通过在去除牺牲图案之后通过使用间隔物作为蚀刻掩模来蚀刻第一掩模膜来形成第一掩模; 通过在所述第二区域上的每个第一掩模的两个侧壁上形成所述第二掩模来限定单独地包含第二掩模的第三掩模; 以及通过使用第一和第三掩模蚀刻第一蚀刻对象膜，在第二区域上形成具有在第二方向上的第一宽度的第一宽度和第二宽度比第二方向上的第一宽度宽的第二宽度的第二图案 作为蚀刻掩模。
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公开(公告)号：KR1020150038809A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020130116468
申请日：2013-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C12N7/00 , A61K38/00 , C07K14/4746 , C07K2319/10 , C07K2319/73
Abstract: 류신지퍼변이체, 상기류신지퍼변이체를암호화하는폴리뉴클레오타이드, 상기류신지퍼변이체의제조방법, 및상기류신지퍼변이체를유효성분으로포함하는약학조성물이제공된다.
Abstract translation: 提供了亮氨酸拉链变体，编码亮氨酸拉链变体的多核苷酸，制备亮氨酸拉链变体的方法和含有亮氨酸拉链变体作为活性成分的药物组合物。 根据本发明，提供了一种亮氨酸拉链变体，其中选自SEQ ID NO：1的第十，第十四，第十五，第十八，第二十一个氨基酸残基组成的组中的至少一个被替换为不同的氨基酸 。
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公开(公告)号：KR1020150029457A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130108686
申请日：2013-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07K7/06 , C07K7/08 , C07K16/18 , A61K39/395
CPC classification number: C07K16/18 , C07K2317/622 , G01N33/574 , G01N2333/4718 , G01N2800/24
Abstract: The present invention relates to a polypeptide, which is specifically bound to Annexin A1 to inhibit function, and uses thereof. More specifically, in the present invention, provided is a pharmaceutical composition for preventing, treating and/or diagnosing diseases, which includes polypeptide bound to Annexin A1; an antagonist for the Annexin A1 including the polypeptide; the specific antibody of Annexin A1 or a piece bound to antigen thereof including the polypeptide; and the antagonist and/or the antibody or the antibody or pieces bound to antigen thereof as active ingredients.
Abstract translation: 本发明涉及特异性结合Annexin A1以抑制功能的多肽及其用途。 更具体地，在本发明中，提供了用于预防，治疗和/或诊断疾病的药物组合物，其包括与膜联蛋白A1结合的多肽; 包括多肽的膜联蛋白A1的拮抗剂; 膜联蛋白A1的特异性抗体或与抗原结合的片段，包括多肽; 并且拮抗剂和/或抗体或与其抗原结合的抗体或片段作为活性成分。
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公开(公告)号：KR1020150017576A
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020130093690
申请日：2013-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0673 , H01L29/42364 , H01L29/4238 , H01L29/49 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/41791 , H01L29/7802 , H01L2029/7858
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 기판 상에 형성된 제1 핀과 제2 핀; 및 상기 제1 핀과 제2 핀 사이에 형성된 T자형의 필드 절연막을 포함하되, 상기 T자형의 필드 절연막의 상면과, 상기 제1 핀의 상면은 동일 평면에 위치할 수 있다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括形成在基板上的第一引脚和第二引脚，以及形成在第一引脚和第二引脚之间的T形场绝缘层。 T形场绝缘层的上侧和第一销的上侧位于同一平面上。
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