플라즈마 처리 장치
    1.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子处理设备

    公开(公告)号:KR1020170143068A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:KR1020160075871

    申请日:2016-06-17

    Abstract: 본발명의예시적실시예에따른플라즈마처리장치는, 챔버; 상기챔버의상부에배치되며, 체결홀을갖는윈도우플레이트; 복수의노즐을가지며상기체결홀에체결되는몸체부, 상기몸체부에서방사상으로연장되어상기윈도우플레이트의저면을부분적으로가리는플렌지부를갖는인젝터; 및상기윈도우플레이트의상면에서상기몸체부와체결되어상기인젝터가상기체결홀에서빠지는것을방지하는스토퍼;를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明示例性实施例的等离子体处理设备包括腔室; 设置在腔室顶部的窗板,窗板具有紧固孔; 1。一种喷射器,其特征在于,具有:主体部,其具有多个喷嘴并被紧固于所述紧固孔;以及凸缘部,其从所述主体部沿径向延伸,以部分地覆盖所述窗板的底面; 并且在窗板的上表面处固定到本体上的塞子以防止喷射器从紧固孔脱落。

    기판의 공정장치
    2.
    发明授权
    기판의 공정장치 失效
    面板加工设备

    公开(公告)号:KR100768896B1

    公开(公告)日:2007-10-19

    申请号:KR1020050088584

    申请日:2005-09-23

    Abstract: 본 발명은, 기판의 공정장치에 관한 것으로서, 기판의 이송방향을 따라 이격된 복수의 열로 배치되는 복수의 롤러와, 롤러를 회전가능하게 하는 롤러구동부와; 롤러에 대응하여 롤러개구부를 가진 판상의 형태로 형성되며, 롤러의 이송방향에 열과 열 사이에서 승강가능하게 설치되어 롤러에 의해 이송된 기판을 승강시키는 스테이지와; 스테이지를 승강가능하게 하는 승강구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 기판의 공정균일성을 유지하도록 평탄도를 향상시킬 수 있다.

    기판의 공정장치
    3.
    发明公开
    기판의 공정장치 失效
    基材加工设备

    公开(公告)号:KR1020070034191A

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:KR1020050088584

    申请日:2005-09-23

    Abstract: 본 발명은, 기판의 공정장치에 관한 것으로서, 상기 기판의 이송방향을 따라 이격된 복수의 열로 배치되는 복수의 롤러와, 상기 롤러를 회전가능하게 하는 롤러구동부와; 상기 롤러의 상기 이송방향에 열과 열 사이에서 승강가능하게 설치되어 상기 롤러에 의해 이송된 상기 기판을 승강시키는 스테이지와; 상기 스테이지를 승강가능하게 하는 승강구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 기판의 공정균일성을 유지하도록 평탄도를 향상시킬 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于基板的处理装置,包括:多个辊,所述多个辊布置成在所述基板的进给方向上彼此间隔开的多行;辊驱动单元,用于旋转所述辊; 沿着所述辊的输送方向设置在所述热和所述热之间以便能够使由所述辊输送的所述基板升降的台; 以及用于升降舞台的升降和驱动单元。 因此,可以改善平坦度以保持衬底的工艺均匀性。

    기판반송장치
    4.
    发明公开
    기판반송장치 有权
    基板传送装置

    公开(公告)号:KR1020070023279A

    公开(公告)日:2007-02-28

    申请号:KR1020050077690

    申请日:2005-08-24

    CPC classification number: G02F1/1303 B65G49/061 G02F1/1313

    Abstract: 본 발명은 기판반송장치에 관한 것으로서, 기판을 지지하는 플레이트를 갖는 기판지지부; 소정의 기판반송방향으로 연장되어 기판지지부를 이동 가능하도록 지지하는 레일부; 및 레일부를 따라 기판지지부를 이동하여 기판을 반송하는 구동부를 포함한다. 이에 의해 기판의 균일성을 확보하도록 기판을 안정적으로 반송할 수 있다.
    기판반송장치, 액정표시장치, 균일성, 기판 처짐, 이동식 기판반송지지

    Abstract translation: 本发明提供了一种能够稳定地转移衬底以确保衬底的均匀性的衬底转移装置。 基板转印装置包括:基板支撑部,其具有支撑基板的板; 轨道部分,其沿着基板的特定传送方向延伸并且可移动地支撑基板支撑部分;以及驱动部分,其使得基板支撑部分沿着轨道部分移动并传送基板。

    정전 척
    5.
    发明公开
    정전 척 无效
    静电卡

    公开(公告)号:KR1020110055837A

    公开(公告)日:2011-05-26

    申请号:KR1020090112431

    申请日:2009-11-20

    CPC classification number: H01L21/6833 H02N13/00

    Abstract: PURPOSE: An electrostatic chuck is provided to prevent plasma or a hydrochloric acid gas from reaching an adhesive layer to prevent corrosion of the adhesive layer to lower a defective process rate, thereby increasing productivity. CONSTITUTION: A support stand(40) forms the entire structure of an electrostatic chuck(1). An insulating layer(20) supports an object(10) to be processed. An adhesive layer(30) connects the support stand with the insulating layer. The support stand and the insulating layer form a channel(110) in a direction in which the support stand and the insulating layer face each other. The shape of the channel includes at least one straight unit or at least one curved unit.

    Abstract translation: 目的:提供静电卡盘,以防止等离子体或盐酸气体到达粘合剂层,以防止粘合剂层的腐蚀,从而降低加工速度,从而提高生产率。 构成:支撑架(40)形成静电卡盘(1)的整个结构。 绝缘层(20)支撑要处理的物体(10)。 粘合剂层(30)将支撑架与绝缘层连接。 支撑架和绝缘层在支撑架和绝缘层彼此面对的方向上形成通道(110)。 通道的形状包括至少一个直的单元或至少一个弯曲单元。

    화학기상증착장치
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100686725B1

    公开(公告)日:2007-02-26

    申请号:KR1020050090334

    申请日:2005-09-28

    Abstract: A chemical vapor deposition apparatus is provided to maintain the concentricity of a shadow ring constantly by coupling the shadow ring to a gas injection part, thereby preventing deposition of a wafer edge. A chemical vapor deposition apparatus includes a chamber body(100) having a desired reaction chamber, and a gas injection part(200) for spraying a certain deposition gas in the reaction chamber. A support member for supporting an object to be processed is moved between a reaction position where the object is positioned on an upper surface and a waiting position where the object is spaced apart from the gas injection part. A shadow ring(300) is coupled to one side of the gas injection part.

    Abstract translation: 提供化学气相沉积设备以通过将遮蔽环耦合到气体注入部分来恒定地保持遮蔽环的同心度,由此防止晶片边缘的沉积。 化学气相沉积设备包括具有期望的反应室的室主体(100)和用于将特定沉积气体喷射到反应室中的气体注入部(200)。 用于支撑待处理物体的支撑构件在物体位于上表面上的反应位置和物体与气体注入部分分开的等待位置之间移动。 遮蔽环(300)联接到气体注入部件的一侧。

    반도체 제조장치
    7.
    发明公开
    반도체 제조장치 有权
    半导体制造设备

    公开(公告)号:KR1020060099098A

    公开(公告)日:2006-09-19

    申请号:KR1020050020123

    申请日:2005-03-10

    CPC classification number: C23C16/45563 C23C16/45559 C23C16/509

    Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 표면에 증착되는 막의 두께를 균일화할 수 있도록 하는 반도체 제조장치를 개시한다.
    개시한 반도체 제조장치는 웨이퍼의 지지를 위해 반응실 내에 회전 가능하게 설치되는 지지부재와, 웨이퍼 상부로 공정가스를 분산 공급하기 위한 가스공급장치를 포함하며, 가스공급장치는 웨이퍼의 회전중심으로부터의 이격거리가 상호 다른 위치에 형성되는 다수의 가스출구들을 갖춘 가스분배판을 포함하는 것이다.

    Abstract translation: 本发明公开了一种能够使沉积在晶片表面上的膜的厚度均匀化的半导体制造设备。

    용량결합 플라즈마 에칭장치
    8.
    发明公开
    용량결합 플라즈마 에칭장치 无效
    ECHTER使用电容耦合等级

    公开(公告)号:KR1020090025542A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:KR1020070090474

    申请日:2007-09-06

    CPC classification number: H01L21/67069 H01J37/32091

    Abstract: An etching apparatus using capacitively coupled plasma is provided to control uniformity of the plasma inside a reaction chamber by controlling electric field distribution inside the reaction chamber. A body(10) forms a reaction chamber(80) to generate plasma inside. A bottom electrode(60) is installed in the reaction chamber. An electric field distribution control unit(90) is installed in the ground electrode. A main body is composed of a plurality of ground electrodes(11,12) divided by an insulator. The bottom electrode receives high frequency power. The bottom electrode forms the electric field to generate the plasma in the reaction chamber. The electric field distribution control unit controls the electric field distribution of the reaction chamber.

    Abstract translation: 提供使用电容耦合等离子体的蚀刻装置,通过控制反应室内的电场分布来控制反应室内的等离子体的均匀性。 主体(10)形成反应室(80)以在内部产生等离子体。 底部电极(60)安装在反应室中。 电场分配控制单元(90)安装在接地电极中。 主体由被绝缘体分隔的多个接地电极(11,12)组成。 底部电极接收高频功率。 底部电极形成电场以在反应室中产生等离子体。 电场分配控制单元控制反应室的电场分布。

    플라즈마 화학기상증착장치
    9.
    发明授权
    플라즈마 화학기상증착장치 有权
    플라즈마화학기상증착장치

    公开(公告)号:KR100686726B1

    公开(公告)日:2007-02-26

    申请号:KR1020050080836

    申请日:2005-08-31

    Abstract: A plasma chemical vapor deposition apparatus is provided to effectively disassemble a gas injection part supported on an upper portion of a chamber lead by connecting a chamber body with the chamber lead with a hinge part. A plasma chemical vapor deposition apparatus comprises a chamber body(10) having a desired reaction chamber and an access opening, a gas injection part(30) disposed in the reaction chamber for spraying a deposition gas, and a chamber lead(20) coupled to the chamber body by a first hinge part(90). The hinge part is pivoted between an open position for opening the access opening and a close position for closing the access opening. A cleaning gas supply unit(50) supplies a cleaning gas to the reaction chamber.

    Abstract translation: 提供一种等离子体化学气相沉积设备,用于通过利用铰链部分将室体与室引线连接而有效地拆卸支撑在室引线上部的气体注入部分。 一种等离子体化学气相沉积设备包括:具有期望的反应室和进入开口的室主体(10);布置在反应室中用于喷射沉积气体的气体注入部件(30);以及室引线(20),耦合到 腔室本体通过第一铰链部分(90)。 铰链部件在用于打开进入开口的打开位置和用于关闭进入开口的关闭位置之间枢转。 清洁气体供应单元(50)将清洁气体供应到反应室。

    화학기상증착장치
    10.
    发明授权
    화학기상증착장치 有权
    化学气相沉积设备

    公开(公告)号:KR100686724B1

    公开(公告)日:2007-02-26

    申请号:KR1020050057623

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 본 발명은, 화학기상증착(CVD)장치에 관한 것으로서, 상부에 반응가스가 공급되는 가스유입공을 갖는 반응챔버를 형성하는 반응기와; 상기 반응챔버 내에서 작업물을 지지하는 지지대와; 상기 가스유입공으로부터 반응가스를 상기 작업물에 분사하며, 중심축선으로부터 반경방향의 외측으로 갈수록 유동길이가 길어지도록 마련된 다수의 노즐공이 형성된 노즐유닛을 갖는 샤워헤드를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 증착막이 균일하게 형성될 수 있는 화학기상증착장치가 제공된다.

    Abstract translation: 化学气相沉积设备技术领域本发明涉及一种化学气相沉积设备,包括:用于形成具有供应反应气体的气体入口孔的反应室的反应器; 支持反应室中的工作的支撑; 从工件的气体入口孔注入反应性气体,其特征在于:它包括具有多个形成在设置成使得流体长度变长到外部从所述中心轴线的径向方向上的喷嘴单元的喷嘴孔的喷头。 由此,提供了可以均匀地形成蒸镀膜的化学蒸镀装置。

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