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公开(公告)号：KR102227771B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140110721A
申请日：2014-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/52 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
Abstract: 본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 서로 이격되도록 배치된 복수의 나노 발광구조물;을 포함하며, 상기 복수의 나노 발광구조물은 각각, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 나노 코어와, 상기 나노 코어의 표면에 배치되며 두께 방향에 따른 인듐 조성비가 다른 제1 및 제2 영역으로 구분되는 양자우물을 갖는 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역의 인듐 조성비보다 큰 인듐 조성비를 갖는 나노구조 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210025358A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190105301A
申请日：2019-08-27
IPC: H01L21/67 , H01L21/607 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67132 , B25J15/0616 , B65G47/911 , H01L21/67092 , H01L21/67259 , H01L21/67712 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , B65G2249/045 , H01L2021/607
Abstract: 다이 픽업 모듈과 이를 포함하는 다이 본딩 장치가 개시된다. 상기 다이 픽업 모듈은, 다이싱 테이프 상에 부착된 다이들을 포함하는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지와, 상기 다이싱 테이프 아래에 배치되며 픽업하고자 하는 다이를 상기 다이싱 테이프로부터 분리시키는 다이 이젝터와, 상기 다이의 전면과 접촉되지 않도록 상기 다이를 비접촉 방식으로 픽업하기 위한 비접촉 피커와, 상기 다이의 픽업을 위해 상기 비접촉 피커를 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동부와, 상기 비접촉 피커에 의해 픽업된 다이를 반전시키기 위해 상기 비접촉 피커를 반전시키는 반전 구동부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2015065071A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/KR2014/010310
申请日：2014-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , F21K9/232 , F21S41/147 , F21S45/43 , F21S45/47 , F21Y2115/10 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명의 일 실시형태는, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 개구를 갖는 절연막과, 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어지고, 그 측면의 결정면과 다른 결정면을 갖는 상단부를 갖는 나노 코어와, 상기 나노 코어의 표면에 순차적으로 형성된 활성층과 제2 도전형 반도체층과, 상기 활성층과 상기 나노 코어 사이에 위치하도록 상기 나노 코어의 상단부에 형성된 전류차단 중간층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例提供一种纳米结构半导体发光器件，包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 绝缘层，其形成在所述基底层上并且具有多个开口以暴露所述基底层的部分区域; 形成在由第一导电型半导体构成的基底层的每个暴露区域上并具有与其侧表面的结晶表面不同的结晶表面的上端部的纳米芯; 在纳米芯的表面上连续形成的有源层和第二导电类型半导体层; 以及形成在纳米芯的上端部上的电流阻挡中间层，以位于有源层和纳米芯之间。
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公开(公告)号：KR1020140040527A
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：KR1020120107347
申请日：2012-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G06T7/00
CPC classification number: G06T7/0012 , G06T5/20 , G06T2207/30008 , G06T2219/2016
Abstract: According to the present invention, an apparatus for detecting body skeleton and body parts information from an image comprises: an Euclidean distance transform image input unit for receiving an Euclidean distance transformed image by applying the Euclidean distance transformation to a body image inputted from a user image input device; a body detection unit for detecting the body skeleton and body parts information by applying a local maxima calculation to the Euclidean distance transformed image; and a body parts information output unit for outputting the detected body skeleton and body parts information. [Reference numerals] (200) Euclidean distance transform image input imot; (231) Skeleton detection uni; (232) Head detection unit; (234) Body detection unit; (236) Shoulder/hip detection unit; (238) Arms/legs detection unit; (260) Body parts information output unit; (290) Euclidean distance transformation image output unit
Abstract translation: 根据本发明，一种用于从图像检测身体骨骼和身体部位信息的装置包括：欧几里得距离变换图像输入单元，用于通过将欧几里得距离变换应用于从用户图像输入的身体图像来接收欧几里德距离变换图像 输入设备; 身体检测单元，用于通过对欧几里德距离变换图像应用局部最大值计算来检测身体骨骼和身体部位信息; 以及身体部位信息输出单元，用于输出检测到的身体骨骼和身体部位信息。 （附图标记）（200）欧氏距离变换图像输入图像; （231）骨骼检测单位 （232）头检测单元; （234）身体检测单元; （236）肩臀检测单位; （238）臂/腿检测单元; （260）身体部位信息输出单元; （290）欧氏距离变换图像输出单元
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102042156B1
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：KR1020170168652
申请日：2017-12-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B29C64/227 , B33Y40/00 , B29C37/00
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公开(公告)号：KR102244218B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020140132545
申请日：2014-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층을마련하는단계와, 상기베이스층상에서로이격되도록제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어를형성하는단계와, 상기나노코어의표면상에활성층과제1 도전형질화물반도체층을갖는쉘을형성하는단계를포함하며, 상기쉘층을형성하는단계중 적어도일부구간에서, 막두께균일도가 80% 이상이되도록소스유량, 소스유속, 챔버압력, 성장온도및 성장속도중 적어도하나의공정인자를제어하는단계를포함하며, 여기서, 상기막 두께균일도(%)는상기나노코어의측면상에성장된막의최소두께와최대두께가각각 ta(㎚)와 tb(㎚)로나타낼때에, (ta/tb)×100으로정의되는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR102227771B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140110721
申请日：2014-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에서로이격되도록배치된복수의나노발광구조물;을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은각각, 제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어와, 상기나노코어의표면에배치되며두께방향에따른인듐조성비가다른제1 및제2 영역으로구분되는양자우물을갖는활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형질화물반도체층을포함하고, 상기제1 영역은상기제2 영역의인듐조성비보다큰 인듐조성비를갖는나노구조반도체발광소자를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101909630B1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：KR1020120120883
申请日：2012-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06T7/254 , G06T2207/10016 , G06T2207/10024 , G06T2207/10028 , G06T2207/30232 , G06T2207/30241
Abstract: 장면에포함되는물체의동작인식을위하여, 촬영장치로부터장면에대한제1 해상도의깊이데이터및 상기제1 해상도보다높은제2 해상도의이차원데이터를주기적으로획득한다. 상기깊이데이터에기초하여추적대상물체를인식하여상기추적대상물체를포함하며상기장면의일부에해당하는동작추적영역을지정한다. 상기동작추적영역에대한상기제2 해상도의추적영역데이터를주기적으로획득한다. 상기추적영역데이터에기초하여상기추적대상물체의동작을분석한다.
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公开(公告)号：KR1020170100999A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160023628
申请日：2016-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/60
Abstract: 본발명의발광소자는서로떨어져형성된복수개의발광구조물들; 상기발광구조물들각각의일면상에형성된복수개의전극층들; 상기발광구조물들사이및 전극층들사이를전기적으로절연하도록형성된분리층; 상기발광구조물들의타면상에상기발광구조물들별로서로다른컬러로형성된형광층; 및상기형광층별로서로구분되도록상기형광층사이에기판구조물, 절연구조물, 또는광 반사구조물로형성된격벽층을포함한다.
Abstract translation: 本发明的发光器件包括彼此分开形成的多个发光结构; 多个电极层，形成在每个发光结构的一个表面上; 分离层，被形成为在发光结构之间和电极层之间电隔离; 在发光结构中的每一个上以不同颜色形成在发光结构的另一表面上的荧光层; 并且在荧光层之间由衬底结构，绝缘结构或光反射结构形成的阻挡层由荧光层彼此区分开。
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