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公开(公告)号：KR102235041B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140016081A
申请日：2014-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 소자의 제조하는 방법을 제공한다. 반사 방지막 상에 감광성 및 리플로우 특성을 갖는 중성막을 형성하고, 중성막을 노광 및 현상하여, 반사 방지막을 부분적으로 노출시키는 예비 중성 패턴을 형성하고, 예비 중성 패턴을 가열하여 중성 패턴을 형성하며, 중성 패턴 상에 블록 코폴리머막을 형성한 후 블록 코폴리머막을 가열하여, 노출된 반사 방지막 상에 제1 패턴과, 중성 패턴 상에 제1 패턴에 공유 결합된 제2 패턴을 포함하는 블록 코폴리머 패턴을 형성한다.
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公开(公告)号：KR102233334B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140050742A
申请日：2014-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C25D3/30
CPC classification number: C25D3/32 , C25D5/022 , C25D5/505 , C25D7/123 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0381 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11502 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/81191 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2924/0105
Abstract: 도금된 범프(bump)의 결정립(grain) 사이즈를 감소시켜 반도체 장치의 신뢰성을 개선할 수 있는 주석 도금액을 제공하는 것이다. 상기 주석 도금액은 가용성 주석 전극으로부터 공급되는 주석 이온, 탄소수 1 내지 10인 지방족 술폰산, 산화 방지제, 습윤제(wetting agent), 및 방향성 카보닐 화합물(Aromatic Carbonyl Compound)인 결정 성장 억제제(grain refiner)을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2023013992A1
公开(公告)日：2023-02-09
申请号：PCT/KR2022/011198
申请日：2022-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 주식회사 비에스테크닉스 , 인탑스 주식회사
Abstract: 일 실시 예의 전자 장치는, 안착부 및 배선 홈이 마련되는 사출물, 배선 홈에 도금되는 도금 배선 및 안착부에 실장되고 도금 배선과 전기적으로 연결되는 전자 소자를 포함하고, 도금 배선은 사출물의 외부 영역에 도금되어 증착된 구조를 가지며 전자 소자는, 도금 배선 상에 디스펜싱(dispensing)된 솔더 페이스트에 의하여 사출물에 실질적으로 직접 실장될 수 있다. 이 외에 다양한 실시 예들이 가능할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170065276A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020150171507
申请日：2015-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0619 , G06F3/0653 , G06F3/0679 , G06F11/00
Abstract: 비휘발성메인메모리시스템의페이지폴트처리방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따르면, 발생된상기페이지폴트에기초하여, 상기페이지폴트의발생패턴을분석하는단계, 상기분석에기초하여, 연속적으로처리되는페이지수를설정하는단계, 및상기페이지폴트의발생시, 상기설정된페이지수만큼의페이지를연속적으로처리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性主存储器系统的页面错误处理方法。 根据本发明，所产生的页错误的基础上，分析所述页面错误的发生模式的基础上的一个实施例中，所述分析包括以下步骤：要被连续地处理设定的页数，和所述页面错误 并在页面生成时依次处理设定页数的页面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150082011A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020140002083
申请日：2014-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F12/1027 , G06F12/0246 , G06F2212/1041 , G06F2212/202 , G06F2212/305
Abstract: 본발명은메모리맵핑방법에관한것으로서, 상세하게는비휘발성메인메모리를관리하는비휘발성메인메모리의맵핑방법이개시된다. 본발명의일실시예에따른맵핑방법은비휘발성메인메모리의커널영역(Kernel Area)에저장된프로세스동작에필요한파일페이지에접근하기위해시스템콜(System Call)을수행하는단계; 및상기비휘발성메인메모리의커널영역에저장되어있는파일페이지의물리주소(Physical Address)와비휘발성메인메모리의유저영역(User Area)의가상주소(Virtual Address)를맵핑(mapping)하는단계를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种存储器映射方法，更具体地说，涉及用于映射非易失性主存储器以管理非易失性主存储器的方法，包括以下步骤：执行系统调用以接近需要的文件页面 操作过程存储在内核区域; 并映射存储在非易失性主存储器的内核区域中的文件页面的物理地址和非易失性主存储器的用户区域的虚拟地址。
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公开(公告)号：KR1020170065272A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020150171500
申请日：2015-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F12/0238 , G06F12/0246 , G06F12/1441 , G06F2212/202 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207
Abstract: 비휘발성메인메모리시스템의메모리맵핑관리방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따르면, 메모리맵핑의해제요청이수신된경우, 상기메모리맵핑과관련된메타데이터에기초하여, 상기메모리맵핑이파일의맵핑인지여부를판단하고, 상기판단의결과상기메모리맵핑이파일의맵핑인경우상기메타데이터를별도로저장하는단계, 및상기메모리맵핑이파일의맵핑이아닌경우, 상기메모리맵핑을해제하는단계를포함한다. 그리고, 본발명의다른실시예에따르면, 메모리맵핑요청이수신된경우, 상기요청된메모리맵핑이파일의맵핑인경우, 메모리맵핑저장공간에서상기파일과동일한파일에대한메모리맵핑을검색하는단계, 및상기검색의결과, 검색된메모리맵핑의가상주소공간상에서의영역이상기요청된메모리맵핑이요구하는가상주소공간상에서의영역을포함하는경우, 상기검색된메모리맵핑을재사용하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性主存储器系统的存储器映射管理方法。 根据本发明的一个实施例中，在存储器映射中的释放请求被接收时，其结果与存储器映射相关联的元数据的基础上确定的存储器映射，并且确定是否所述存储器映射的文件的映射， 在映射文件的情况下分别存储元数据;以及如果存储器映射没有映射文件，则释放存储器映射。 并且，根据本发明的另一个实施例中，映射到请求的存储器已经被接收，搜索相同文件中的存储器映射和在情况下所请求的存储器映射是该文件的映射文件，存储空间的存储器映射， 并且包括如果它包含用于搜索的结果的虚拟地址空间区域sangeseoui重用所检索的存储器映射的步骤中，虚拟地址空间区域sangeseoui移相器所请求的检索存储器映射要求存储器映射。
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公开(公告)号：KR101881039B1
公开(公告)日：2018-07-23
申请号：KR1020170008095
申请日：2017-01-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G06F12/0292 , G06F17/30174
Abstract: 본명세서는비휘발성메모리의인-메모리(In-memory) 파일시스템에서보다안전하고효율적인메모리매핑파일 I/O(memory mapped file I/O)을제공하는파일업데이트방법및 제어장치를개신한다. 본명세서에따른파일업데이트방법은원본파일에업데이트가발생한경우, 메모리동기화요청에의해실제메모리동기화가진행되는프로세스는커널영역에서비동기적으로처리하고, 프로세스는짧은대기시간만사용하고사용자영역에서활동하도록프로세스자원을활용할수 있다.
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