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    박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
    2.
    发明公开
    박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020080076292A

    公开(公告)日：2008-08-20

    申请号：KR1020070016033

    申请日：2007-02-15

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

    Inventor： 정지심 ,  류명관 ,  권장연 ,  박경배 ,  한민구 ,  이상윤 ,  박중현 ,  한상면 ,  김선재

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863 ,  H01L29/78675

    Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to change doping level for respective semiconductor layer regions by adjusting thickness and location of first, second, and third insulation layers. A thin film transistor comprises a lower structure(11), a semiconductor layer(12), first and second insulation layers(14a,14b), and a third insulation layer(16), and a gate electrode layer(17). The semiconductor layer includes a plurality of doped regions(12b,12c,12d) on the lower structure. The first and second insulation layers are formed on the semiconductor layer, separated from each other. The third insulation layer is formed on the first and second insulation layers. The gate electrode layer is formed on the third insulation layer between the first and second insulation layers. The width of the third insulation layer is longer than that between the first and second insulation layers and shorter than that between the left part of the first insulation layer and the right part of the second insulation layer.

    Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法，通过调整第一，第二和第三绝缘层的厚度和位置来改变各半导体层区域的掺杂水平。 薄膜晶体管包括下部结构（11），半导体层（12），第一和第二绝缘层（14a，14b）以及第三绝缘层（16）和栅电极层（17）。 半导体层包括在下部结构上的多个掺杂区域（12b，12c，12d）。 第一绝缘层和第二绝缘层形成在半导体层上，彼此分离。 第三绝缘层形成在第一和第二绝缘层上。 栅电极层形成在第一和第二绝缘层之间的第三绝缘层上。 第三绝缘层的宽度比第一绝缘层和第二绝缘层之间的宽度长，并且比第一绝缘层的左部分和第二绝缘层的右部分之间的宽度短。

    이중 게이트 전극을 가진 박막 트랜지스터
    4.
    发明公开
    이중 게이트 전극을 가진 박막 트랜지스터 审中-实审
    具有双门电极的薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR1020150060034A

    公开(公告)日：2015-06-03

    申请号：KR1020130143938

    申请日：2013-11-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 손경석 ,  김선재 ,  김억수 ,  김현석 ,  류명관

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

    Abstract: 이중게이트전극을가진박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 기판상의제1 게이트전극과, 상기제1 게이트를덮는제1 게이트절연층과, 상기제1 게이트절연층상의징크나이트라이드채널과, 상기채널의양단과각각연결된소스전극및 드레인전극과, 상기제1 게이트절연층상에서상기채널을덮는제2 게이트절연층과, 상기제2 게이트절연층상의제2 게이트전극을포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种包括双栅电极的薄膜晶体管。 所公开的薄膜晶体管包括形成在基板上的第一栅极电极，覆盖第一栅极的第一栅极绝缘层，形成在第一栅极绝缘层上的氮化锌沟道，源电极和漏电极， 分别连接到沟道的两端，覆盖第一栅极绝缘层上的沟道的第二栅极绝缘层和形成在第二栅极绝缘层上的第二栅电极。

    표시기판 검사 장치 및 방법
    6.
    发明公开
    표시기판 검사 장치 및 방법 无效
    检查显示基板的装置和方法

    公开(公告)号：KR1020080006202A

    公开(公告)日：2008-01-16

    申请号：KR1020060065047

    申请日：2006-07-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김선재 ,  손형일 ,  김영일 ,  양정욱 ,  양득용 ,  전찬제 ,  강석성 ,  송석규

    IPC: G02F1/13

    CPC classification number: G02F1/1309 ,  G01B11/30

    Abstract: A display substrate tester and a method thereof are provided to enhance the accuracy of a visual inspection by automatically producing the height of a protrusion formed on a display substrate. A display substrate tester(100) comprises a light source part(120), an image pickup part(130) and a measuring part(140). The light source part(120) emits light and provides it to a display substrate(200) on which a color filter layer is formed and which reveals a specific color using the light provided from the light source part(120). The image pickup part(130), such as a camera, etc., installed at the upper part of the light source part(120), photographs a protrusion area, where a protrusion is formed on the display substrate(200), and a peripheral area, which encloses the protrusion area, and creates a test image. The measuring part(140) receives the test image from the image pickup part(130), produces the color coordinate value of the protrusion area and the color coordinate value of the peripheral area on the basis of the test image, and obtains the height of the protrusion.

    Abstract translation: 提供显示基板测试器及其方法，以通过自动产生形成在显示基板上的突起的高度来提高目视检查的精度。 显示基板测试器（100）包括光源部分（120），图像拾取部分（130）和测量部分（140）。 光源部分（120）发光并将其提供到其上形成滤色器层的显示基板（200），并且使用从光源部分（120）提供的光来显示特定的颜色。 安装在光源部分（120）的上部的诸如相机等的图像拾取部分（130）拍摄在显示基板（200）上形成突起的突起区域，并且 外围区域，其包围突出区域，并且创建测试图像。 测量部分（140）从图像拾取部分（130）接收测试图像，基于测试图像产生突出区域的颜色坐标值和周边区域的颜色坐标值，并且获得 突起。

    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
    9.
    发明公开
    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 审中-实审
    晶体管，其制造方法和包括晶体管的电子器件

    公开(公告)号：KR1020140074742A

    公开(公告)日：2014-06-18

    申请号：KR1020120143031

    申请日：2012-12-10

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

    Inventor： 박준석 ,  김선재 ,  김태상 ,  김현석 ,  류명관 ,  서석준 ,  선종백 ,  손경석 ,  이상윤

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66742

    Abstract: Disclosed are a transistor, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the transistor. The disclosed transistor may include a channel layer containing metal nitroxide and a source electrode and a drain electrode in contact with first and second regions of the channel layer. The first and second regions of the channel layer may have a carrier concentration higher than the remaining region of the channel layer by being treated with plasma. The first and second regions may be regions treated with plasma containing hydrogen. The first and second regions may contain hydrogen. The first and second regions may have an oxygen concentration lower than the remaining region of the channel region. The first and second regions may have a nitrogen concentration higher than the remaining region of the channel layer. The metal nitroxide of the channel layer may include a ZnON-based semiconductor.

    Abstract translation: 公开了晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子器件。 所公开的晶体管可以包括含有金属氮氧化物的沟道层和与沟道层的第一和第二区域接触的源电极和漏电极。 通过用等离子体处理，沟道层的第一和第二区域可以具有高于沟道层的剩余区域的载流子浓度。 第一和第二区域可以是用含有氢的等离子体处理的区域。 第一和第二区域可以含有氢。 第一区域和第二区域的氧浓度可以低于沟道区域的剩余区域。 第一和第二区域的氮浓度可以高于沟道层的剩余区域。 沟道层的金属氮氧化物可以包括ZnON基半导体。

    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
    10.
    发明公开
    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 审中-实审
    晶体管，其制造方法和包括晶体管的电子器件

    公开(公告)号：KR1020150025621A

    公开(公告)日：2015-03-11

    申请号：KR1020130103428

    申请日：2013-08-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김선재 ,  김태상 ,  류명관 ,  박준석 ,  서석준 ,  손경석 ,  조성호

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78606

    Abstract: 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 다층 구조를 갖는 채널층을 포함할 수 있다. 상기 채널층은 제1 및 제2층을 포함할 수 있고, 상기 제1층이 제2층보다 게이트에 가까이 배치될 수 있다. 상기 제2층은 상기 제1층보다 높은 전기 저항을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2층 중 적어도 하나는 아연(zinc), 산소(oxygen) 및 질소(nitrogen)를 포함하는 반도체 물질을 구비할 수 있다. 또는, 상기 제1 및 제2층 중 적어도 하나는 아연 플루오르나이트라이드(zinc fluoronitride)를 포함하는 반도체 물질을 구비할 수 있다. 상기 제2층의 산소 함유량은 상기 제1층의 산소 함유량보다 높을 수 있다. 상기 제2층의 불소 함유량은 상기 제1층의 불소 함유량보다 높을 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种晶体管及其制造方法，以及包括晶体管的电子器件。 晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。 沟道层可以包括第一层和第二层。 第一层可以比第二层更靠近栅极。 与第一层相比，第二层可具有更高的电阻。 第一层和第二层中的至少一层可以包括含有锌，氧和氮的半导体材料。 此外，第一层和第二层中的至少一个可以包括含有氟化氮锌的半导体材料。 第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。 第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。

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